【技术实现步骤摘要】
本技术涉及IGBT控制
,尤其涉及IGBT驱动保护模块
技术介绍
IGBT (绝缘栅双极晶体管)作为一种既有功率MOSFET的高速交换功能,又有双极 型晶体管的处理高电压、大电流的能力的新型元件,其应用也来越广泛。而驱动电路的设计决定着能否正常的元件的性能。此外,IGBT模块可能由于过电 压、过电流等异常情况而受损。IGBT的门极驱动电路影响IGBT器件的通态压降、开关时间、 开关损耗、承受短路电流能力等参数,决定了 IGBT器件的静态与动态特性。所以,IGBT保 护电路的合理设计也至关重要。目前现有的IGBT驱动电路多数基于驱动芯片EXB841,EX841高速驱动保护模块 为15脚单列直插式结构,是一种典型的适用于300A以下的IGBT的专用驱动芯片,采用高 隔离电压光耦合器作为信号隔离,具有单电源、正负偏压、过流检测、保护、软关断等主要特 性。工作电源为独立电源20 士 IV,内部含有稳压电路,为ICBT的栅极提供+15V的驱动电 压,关断时提供-5V的偏置电压,使其可靠关断。当脚15和脚14有IOmA电流通过时,脚3 输出高电平而使IGBT在1 μ ...
【技术保护点】
1.一种IGBT驱动电路,其特征是:所述驱动电路由用于供电的电源模块和用于驱动IGBT的驱动保护模块组成,电源模块包括UC3845芯片,驱动保护模块包括EXB841芯片,所述电源模块设置有+20V和+12V的直流电压输出端,所述+20V和+12V的直流电压输出端连接驱动保护模块的电压输入端。
【技术特征摘要】
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