【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于电路领域，具体说是涉及一种用于保护IGBT的过流与短路的电路。
技术介绍
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极晶体管)是现代功率变 换技术的核心器件，对它的过流与短路保护对于整个变换设备的可靠性起到非常大的作用。目前常见的对绝缘栅双极晶体管的保护有以下几种方式1)采用霍尔电流传感器检测功率变换装置的输出电流，设立限流阀值，用比较器 进行比较，输出过流保护信号。其缺点在于霍尔传感器工作在一个高辐射的环境中，输出 的电流信号噪声大，容易造成系统误动作。同时霍尔器件非常昂贵，系统成本较高。同时还 需要提供电源，有些器件还需要提供双电源。2)采用互感器检测电流，设立限流阀值，用比较器进行比较，输出过流保护信号。 其缺点在于这种方法不能对直流电流进行检测。同时其响应速度慢，延时长，不能进行短 路保护。3)采用分流器检测电流，对分流器信号进行运算放大，然后设立限流阀值，用比较 器进行比较，输出过流保护信号。其缺点在于占用线路板面积较多，需要一片运放和一片 比较器，成本也较高。抗干扰性较差，系统有时会误动作。...
【技术保护点】
一种ＩＧＢＴ过流或短路状态检测电路，其特征在于：包括分流电路、电容、晶体管、电阻Ｒ１、电阻Ｒ２和电阻Ｒ３；所述分流电路的一端与功率电压源的负极电连接于节点Ａ，所述分流电路的另一端与功率变换电路的下桥臂的发射极以及ＩＧＢＴ驱动电路的信号接地端电连接于节点Ｂ；所述晶体管的开关控制极和所述电容的一端电连接于节点Ｂ；所述电阻Ｒ１的一端电连接于节点Ａ；所述电容的另一端和所述电阻Ｒ１的另一端均与所述晶体管的第二极电连接；所述晶体管的第三极分别与所述电阻Ｒ２的一端和所述电阻Ｒ３的一端电连接；所述电阻Ｒ２的另一端接高电平ＰＶＣＣ；所述电阻Ｒ３的另一端输出保护信号ＯＣ。
【技术特征摘要】
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