一种带有粉体料位仪的三氯氢硅流化床制造技术

本实用新型专利技术公开了一种带有粉体料位仪的三氯氢硅流化床，包括壳体，所述壳体外侧以相互对置的方式设置有γ射线发射源、γ射线信号接受屏。本实用新型专利技术通过γ射线发射源和γ射线信号接受屏的技术方案，可以实现硅粉料位自控，确保流化床反应器的生产能力和氯化氢的单程转化率两者的综合指标最佳；本实用新型专利技术氯化氢的单程转化率≥95％。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种三氯氢硅流化床，尤其涉及一种带有粉体料位仪的三氯氢硅 流化床。
技术介绍
三氯氢硅是目前生产多晶硅的重要原料，是光伏产业的原料基础，也是开发和发 展新能源一绿色环保能源的原料基础。就目前来说，开发发展环保型能源是全世界的发展 方向，所以三氯氢硅具有广阔的市场前景。三氯氢硅的生产工艺如下1)将干燥的氯化氢和硅粉；2)在三氯氢硅流化床中300°C的情况下反应生成三氯氢硅和少量的四氯化硅以及氢气；3)经除尘，冷凝，尾气吸收；4)凝液精馏得产品三氯氢硅和副产品四氯化硅。在三氯氢硅生产过程中，三氯氢硅流化床是主要的生产设备，当前没有粉体料位 仪，无法实现粉料位自控。
技术实现思路
本技术针对现有技术中的不足，提供了一种可以实现料位自控的带有粉体料 位仪的三氯氢硅流化床。为了解决上述技术问题，本技术通过下述技术方案得以解决一种带有粉体料位仪的三氯氢硅流化床，包括壳体，所述壳体外侧以相互对置的 方式设置有Y射线发射源、Y射线信号接受屏。上述技术方案中，所述壳体至少分为三段，包括扩大部、缩小部以及连接扩大部和 缩小部的中间部，所述中间部成锥形，所述的Y射线发射源设置在缩小部外侧，并临近中 间部与缩小部的连接处。上述技术方案中，所述Y射线发射源、Y射线信号接受屏和壳体的中心在同一直 线上。有益效果本技术与现有技术相比，具有如下有益效果本技术通过设置有Y射线发射源3和Y射线信号接受屏5的技术方案，可 以实现硅粉料位自控，确保流化床反应器的生产能力和氯化氢的单程转化率两者的综合指 标最佳；本技术氯化氢的单程转化率> 95%。附图说明图1为三氯氢硅流化床换热装置的结构示意图。图2为图1中I处放大图。具体实施方式以下结合附图与具体实施方式对本技术作进一步详细描述参见图1 2，一种带有粉体料位仪的三氯氢硅流化床，包括壳体1，所述壳体1至 少分为三段，包括扩大部10、缩小部16以及连接扩大部10和缩小部16的中间部14，所述 中间部14成锥形。所述缩小部16外侧以相互对置的方式设置有Y射线发射源3、γ射线信号接受 屏5。并且γ射线发射源3、γ射线信号接受屏5临近中间部14与缩小部16的连接处。优选的，所述γ射线发射源3、γ射线信号接受屏5和壳体1的中心在同一直线 上。设置有Y射线发射源3和Y射线信号接受屏5可以实现硅粉料位自控，确保流 化床反应器的生产能力和氯化氢的单程转化率两者的综合指标最佳；本技术氯化氢的 单程转化率> 95%。权利要求1.一种带有粉体料位仪的三氯氢硅流化床，包括壳体(1)，其特征在于，所述壳体(1) 外侧以相互对置的方式设置有Y射线发射源(3)、Y射线信号接受屏(5)。2.如权利要求1所述的带有粉体料位仪的三氯氢硅流化床，其特征在于，所述壳体(1) 至少分为三段，包括扩大部(10)、缩小部(16)以及连接扩大部(10)和缩小部(16)的中间 部(14)，所述中间部(14)成锥形，所述的Y射线发射源(3)设置在缩小部(16)外侧，并临 近中间部(14)与缩小部(16)的连接处。3.如权利要求1或2所述的带有粉体料位仪的三氯氢硅流化床，其特征在于，所述γ 射线发射源(3)、Y射线信号接受屏(5)和壳体(1)的中心在同一直线上。专利摘要本技术公开了一种带有粉体料位仪的三氯氢硅流化床，包括壳体，所述壳体外侧以相互对置的方式设置有γ射线发射源、γ射线信号接受屏。本技术通过γ射线发射源和γ射线信号接受屏的技术方案，可以实现硅粉料位自控，确保流化床反应器的生产能力和氯化氢的单程转化率两者的综合指标最佳；本技术氯化氢的单程转化率≥95％。文档编号C01B33/107GK201882918SQ20102057518公开日2011年6月29日 申请日期2010年10月25日 优先权日2010年10月25日专利技术者阎世城 申请人:宁波朝日硅材料有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种带有粉体料位仪的三氯氢硅流化床，包括壳体（１），其特征在于，所述壳体（１）外侧以相互对置的方式设置有γ射线发射源（３）、γ射线信号接受屏（５）。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：阎世城，
申请(专利权)人：宁波朝日硅材料有限公司，
类型：实用新型
国别省市：97