本发明专利技术公开了一种培育二倍体胡萝卜的方法。该方法包括如下步骤：(1)将胡萝卜小孢子热激处理；(2)将热激处理后的胡萝卜小孢子进行培养，得到胚状体；(3)组织培养胚状体，得到胡萝卜再生植株。实验证明，本发明专利技术提供的培育胡萝卜纯合二倍体的方法，成胚率和成苗率均较高。该方法适合多种基因型胡萝卜的培养，尤其可快速获得稳定的胡萝卜纯合二倍体，大大降低了胡萝卜育种年限，以提高胡萝卜育种效率，有助于推动胡萝卜育种进程。本发明专利技术方法在胡萝卜的育种领域将有广阔的应用前景。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及。
技术介绍
胡萝卜是一种遗传基因库狭窄的栽培作物，特别是桔红色类型，种质资源更为有 限。我国收集的389份地方品种资源，只有30. 9%为桔红色类型，多数为黄色、红色类型。随 着国内的桔红色胡萝卜栽培面积逐年增加，由于品种的单一性，多年的连作，导致国内部分 地区已有大面积的病虫害发生，因此开展优异资源创制和优良育种材料的选育始在必行。目前创制新资源的方法比较多，如远缘杂交、组织培养、辐射育种、转基因等手段。 众多研究结果表明这些方法具有很多优点，可以跨越种、属、甚至科之间的杂交，创制遗传 学家和育种者所需的特异资源，但这些资源为实际育种使用需要经过很长时间，多的可达 二十年以上(蔡旭，植物遗传育种学，北京科学出版社，1988. 427-458;刘大均，细胞遗传 学，北京中国农业出版社，1999)。游离小孢子培养是现代发展快速的一项细胞工程技术， 能在单细胞水平上获得纯合二倍体，可在2-3年内获得稳定的自交系，这在大麦、小麦、水 稻、玉米和芸苔属等作物中建立了成熟培养技术体系。NLN液体培养基、B5培养基和MS培养基均为组织培养中常用的培养基。
技术实现思路
本专利技术的一个目的是提供一种培育胡萝卜胚状体的方法。本专利技术所提供的培育胡萝卜胚状体的方法，包括如下步骤(1)将胡萝卜小孢子热激处理；(2)将热激处理后的胡萝卜小孢子进行培养，得到胚状体。上述过程中，所述热激处理的方法包括如下步骤将所述胡萝卜小孢子在33°C下 放置2d。上述过程中，所述热激处理的方法中，在所述在33°C下放置2d之前，包括如下步 骤先将所述胡萝卜小孢子悬浮于NLN液体培养基中，再向其中加入活性炭，得到混合物， 将所述混合物在33°C下放置2d。上述过程中，所述热激处理的方法中，所述混合物中，所述胡萝卜小孢子、活性炭 和NLN液体培养基的配比为(3-5) X IO5个小孢子=Img活性炭(3ml-5ml)NLN液体培养 基，具体为3 X IO5个小孢子lmg活性炭5ml NLN液体培养基、4X IO5个小孢子lmg活性 炭4ml NLN液体培养基、5X IO5个小孢子lmg活性炭3ml NLN液体培养基或3X IO5个小 孢子lmg活性碳；3ml NLN液体培养基。上述过程中，所述步骤O)中，将热激处理后的胡萝卜小孢子进行培养，得到胚状 体的方法为如下I或II所示I、包括如下步骤直接将热激处理后的胡萝卜小孢子培养至得到胚状体；II、包括如下步骤先将热激处理后的胡萝卜小孢子培养得到愈伤组织，再培养愈伤组织得到胚状体；所述方法I中，所述培养中使用的培养基为NLN液体培养基；所述培养的温度为 240C 或或25°C或^°C，所述培养为暗培养；所述方法II中，所述先将热激处理后的胡萝卜小孢子培养得到愈伤组织的步骤 中，所述培养使用的培养基为NLN液体培养基；所述培养的温度为或或 25 °C或沈°C，所述培养为暗培养；所述方法II中，所述再培养愈伤组织得到胚状体的步骤中，所述培养中使用的培 养基的组成为MS+0. lmg/L2，4-D ；所述培养的温度为或或25°C或^°C，所 述培养中每天光照16h。上述过程中，所述方法中，所述胡萝卜小孢子按照包括如下步骤的方法得到将单 核靠边期的胡萝卜花序洗净，用75%酒精水溶液浸泡30S，用10%次氯酸钠的水溶液浸泡 15min,无菌水冲洗3次，得到消毒后的花序；将消毒后的花序放入B5培养基中，挤压花蕾释 放小孢子，取上清液，300目孔径过滤，收集滤液，将滤液以1200rpm转速离心細化，弃上清， 收集沉淀，即得到所述胡萝卜小孢子。上述过程中，所述胡萝卜小孢子为如下胡萝卜的小孢子中的任一种由胡萝卜山西绛紫和胡萝卜F8-4-4杂交得到的Fl代胡萝卜，胡萝卜HCM，由胡萝卜HCM和胡萝卜BETA III杂交得到的Fl代胡萝卜，由胡萝卜HCM和胡萝卜2327杂交得到的Fl代胡萝卜，胡萝卜黑田五寸-1自交系，胡萝卜黑田五寸-2自交系，胡萝卜6366B自交系，胡萝卜2327自交系，胡萝卜3640B自交系，胡萝卜FN2-9自交系，胡萝卜Amsterdam-I自交系，胡萝卜Amsterdam-2自交系，胡萝卜Amsterdam-3自交系，胡萝卜早春红冠自交的Fl代，胡萝卜2006-295自交系，胡萝卜Hnl 117自交系，胡萝卜改良黑田五寸自交系，胡萝卜韩国黑田自交系，胡萝卜Amsterdam-3自交系，由胡萝卜超级黑田五寸和胡萝卜HCM杂交得到的F4代胡萝卜，由胡萝卜Little和胡萝卜山西绛紫杂交得到的Fl代胡萝卜，由胡萝卜PI421301和胡萝卜Amsterdam杂交得到的Fl代胡萝卜，由胡萝卜早春红冠和胡萝卜二头齐杂交得到的F2代胡萝卜，由胡萝卜HCMX和胡萝卜超级黑田五寸杂交得到的F2代胡萝卜，胡萝卜White自交系，胡萝卜Nantes CA自交系，胡萝卜Chanteny自交系，胡萝卜紫根胡萝卜自交系，胡萝卜红运自交系，胡萝卜M62B自交系。本专利技术的另一个目的是提供一种培育胡萝卜再生植株的方法。本专利技术所提供的培育胡萝卜再生植株的方法，包括如下步骤按照上述任一所述 制备胡萝卜胚状体的方法得到胡萝卜胚状体，再组织培养所述胚状体，得到胡萝卜再生苗。上述培育胡萝卜再生植株方法中，所述组织培养的温度为或或 25°C或^rc，所述组织培养的每天光照时间为16小时；所述组织培养使用的培养基为MS 培养基。上述培育胡萝卜再生植株方法中，所述胡萝卜再生苗为三倍体、四倍体或纯合二 倍体。实验证明，本专利技术提供的培育胡萝卜纯合二倍体的方法，成胚率较高。该方法适合 多种基因型胡萝卜的培养，尤其可快速获得稳定的胡萝卜纯合二倍体，大大降低了胡萝卜 育种年限，以提高胡萝卜育种效率，有助于推动胡萝卜育种进程。本专利技术方法在胡萝卜的育 种领域将有广阔的应用前景。附图说明图1为游离小孢子至再生植株的过程，A为游离小孢子形成的胚状体，B为游离小 孢子形成的愈伤组织，C为游离小孢子形成的再生植株。图2为流式细胞仪测定倍性结果。A为单倍体峰值位置图，B为二倍体峰值位置 图，C为三倍体峰值位置图。具体实施例方式下述实施例中所使用的实验方法如无特殊说明，均为常规方法。下述实施例中所用的材料、试剂等，如无特殊说明，均可从商业途径得到。实施例1、培育胡萝卜再生植株表1中所述材料在文献“欧承刚，庄飞云，赵志伟等.胡萝卜根粗和根长的遗传及 其杂种优势分析.园艺学报，2009，36(1) :115-120. ”和文献“庄飞云，裴红霞，欧承刚等.胡 萝卜小孢子胚状体和愈伤组织的诱导.园艺学报，2010，37 (10) :1613-1620. ”中公开过，公 众可从中国农业科学院蔬菜花卉研究所获得各个材料。于2009年3月、2010年3月分别种植表1所示实验材料的种根，均按照文献(中 国农业科学院蔬菜花卉研究所主编.中国蔬菜栽培学.北京农业出版社，1987)中所述方法进行管理。NLN 液体培养基具体可参照文献"Lichter, R. 1982. Induction of haploid plants fromisolated pollen of Brassica napus. Ζ. Pflanzen Physiol, 105 :427-434."本文档来自技高网...
【技术保护点】
１．一种培育胡萝卜胚状体的方法，包括如下步骤：（１）将胡萝卜小孢子热激处理；（２）将热激处理后的胡萝卜小孢子进行培养，得到胚状体。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：庄飞云，欧承刚，赵志伟，李金荣，
申请(专利权)人：中国农业科学院蔬菜花卉研究所，
类型：发明
国别省市：11
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