静电放电保护电路制造技术

本发明专利技术揭示的一种静电放电(ESD)保护电路，包括至少一双极晶体管。至少一绝缘架构设置在基板中。至少一绝缘架构用于电性绝缘至少一双极晶体管的二端点。至少一二极管电性耦接至少一双极晶体管。至少一二极管的一结界面设置相邻于至少一绝缘架构。本发明专利技术能够借由释放ESD电流，内部电路可实质上地免于被破坏。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体电路，尤其涉及静电放电(ESD)保护电路。
技术介绍
在集成电路(IC)产品中有两种型态的破坏需要防止一是因为ESD事件引起的高 ESD电流，一是因为电感负载引起的高电压突波。ESD保护机制通常以两种方式运作。利用低阻抗放电通道借由驱散ESD电流暂态防止对集成电路的结构性的损害。理想上，完整的 ESD保护解决方法是在集成电路的每根脚位建立有效的放电通道。用于作为ESD保护元件的装置包括二极管、双极晶体管、金属氧化半导体场效晶体管(MOSFETs)，及硅控整流器(SCRs)。SCRs的作用在于导通，以及分流(shunt)从集成电路的输入/输出(I/O)焊盘到接地的电压的开关。在ESD保护时，在自动装备发生放电，一些集成电路元件可能是容易受到损害的， 然而其他可能是易于受到人为操作破坏。这可能发生自静电电荷的直接转移，由人体或由充电材料到静电放电敏感性元件(ESDS)。当一个人走过地板，静电电荷累积在身体上。手指对ESDS装置的导线或配件的简单接触使得身体放电可能导致装置损坏。用于模拟这个事件的模型是人体模型(Human Body Model，HBM)。HBM本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种静电放电（ＥＳＤ）保护电路，包括：至少一双极晶体管；至少一绝缘架构，设置在基板中，所述至少一绝缘架构用于电性绝缘所述至少一双极晶体管的二端点；以及至少一二极管，电性耦接所述至少一双极晶体管，其中所述至少一二极管的一结界面设置相邻于所述至少一绝缘架构。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：任丽平，段孝勤，何大椿，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71