本发明专利技术公开了新型能量调节装置内部结构、能量调节装置外部结构组件，以及包括具有Ａ、Ｂ和Ｇ主电极的能量调节装置（７００）的新型电路。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及能量调节。
技术介绍
使用低频电源的电路产生噪声，这种噪声通过功率分配系统(power distribution system)被耦合，通常这种噪声是有害的。过去，曾使用电 容器来调节进出设备的电能。使用电容器调节电能的一类设备是有源电路(active circuitry)。在有源电路中，^^吏用电容器来将输电线与噪声解 耦合。典型地，在涉及大规模或超大规模集成电路(LSI或者VLSI)的应 用中，由于设计限制，在印刷电路(PC)板上， 一般多列电容器被尽可能 紧密地、符合逻辑地排列在靠近PC板中集成电路的位置。这种布置提供了 集成电路的有源电路的电源和地的充分的解耦合。术语"设置旁路"(bypass)和"解耦合"此处可被相互交换使用。
技术实现思路
本申请公开了新型能量调制装置的结构和在其他结构上(如PC板结 构)的能量调制装置连接的新型结合方式，以及在诸如PC板的结构中的 能量调制装置的新型电路布置，如本文所述，总的来说，这些电路布置利 用调节装置提供了改进的解耦合，并且需要更少的调节装置及诸如过孔的 相关结构来提供充分的解耦合。与PC板类似，新型调制装置的结构和新 型能量调制装置连接的新型结合方式可以被应用于第 一级互连 (interconnect)和包括诸如ASIC、 FPGA、 CPU、存储器、收发器、片 上计算机等等的半导体芯片。更具体的说，本申请公开并要求保护能量调节装置的内部结构和外部 结构、连接结构，以及具有A、 B和G主电极的能量调节装置的电路。 一方面，权利要求定义了一种能量调节装置的内部结构 其中，所述内部结构具有左侧表面、右侧表面、上侧表面、下侧表面、 顶端表面和底部表面；其中，所述内部结构包括介电材料和导电材料； 其中，所述介电材料的表面和所述导电材料的表面限定所述左侧表 面、所述右侧表面、所述上侧表面、所述下侧表面、所述顶端表面和所述底部表面；其中，所述导电材料包括位于第一平面内的第一 A导电层和第一 B 导电层；其中，所述第一A导电层和所述第一B导电层在所述结构中彼此电绝缘；其中，所述第一A导电层包括至少一个第一A导电层第一接片和第 一 A导电层主体部分；其中，所述第一B导电层包括至少一个第一B导电层第一接片和第 一B导电层主体部分；其中，所述第一A导电层主体部分不延伸至所述左侧，右侧，上侧， 和下侧中的^f壬一个；其中，所述第一B导电层主体部分不延伸至所述左侧，右侧，上侧， 和下侧的4壬一个；其中，所述至少一个第一 A导电层第一接片延伸至所述左侧表面， 所述上侧表面，和所述下侧表面；以及其中，所述至少一个第一 B导电层第一接片至少延伸至所述上侧表 面，所述下侧表面和所述右侧表面的一部分。根据前述的各个从属方面，权利要求限定，其中，所述第一A导电 层主体部分延伸至一区域，该区域与所述右侧表面的距离小于与所述左侧 表面的距离，且该区域与所述上侧表面的距离小于所述下侧表面的距离， 并且，其中所述第一B导电层主体部分延伸至另一区域，该区域与所述左 侧表面的距离小于与所述右侧表面的距离，且该区域与所述下侧表面的距 离小于所述上侧表面的距离；其中，所述至少一个第一A导电层第一接片 包括一单个接片延伸并横穿所述左侧的全部，延伸至所述上侧表面的左侧末端，以及延伸至所述下侧表面的左侧末端；其中，所述至少一个第一A导 电层第一调制片包括至少两个接片；其中，所述导电材料还包括第一G导 电层；其中，所述导电材料还包括位于所述第一A导电层和所述第一B导 电层之间的第一G导电层；其中，所述导电材料还包括在与所述第一平面 平行的第二平面中的第一 G导电层，所述G导电层具有G导电层主体部分， 所述G导电层主体部分具有至少与所述第一 A导电层A主体部分的一部分 和所述第一 B导电层B主体部分的一部分相对的区域。其中，所述导电材料包括位于第二平面中的笫二A导电层和位于所 述第二平面中的第二 B导电层；其中，所述第二A导电层和所述第二B导电层在所述结构中彼此电绝缘；其中，所述第二A导电层包括至少一个第二A导电层第一接片和第 二 A导电层主体部分；其中，所述笫二B导电层包括至少一个第二B导电层第一接片和第 二B导电层主体部分；其中，所述第二A导电层主体部分不延伸至所述左侧表面，所述右 侧表面，所述上侧表面和所述下侧表面中的任一个；其中，所述第二B导电层主体部分不延伸至所述左侧表面，所述右 侧表面，所述上侧表面和所述下侧表面中的任一个；其中，所述至少一个第二 A导电层第一接片至少延伸至所述左侧表 面，所述上侧表面，和所述下侧表面的一部分；其中，所述至少一个第二 B导电层第一接片至少延伸至所述右侧表 面，所述上侧表面，和所述下侧表面的一部分；其中，所述第二A导电层主体部分延伸至一区域，该区域与所述右侧表面的距离小于与所述左侧表面的距离，且该区域与所述下侧表面的距离小于所述上侧表面的距离，并且，所述第二B导电层主体部分延伸至另 一区域，该区域与所述左侧表面的距离小于与所述右側表面的距离，且该 区域与所述上侧表面的距离小于所述下侧表面的距离；其中，所述第一A导电层主体部分与所述第二B导电层主体部分有 基本重叠的第一区域，且所述第二 A导电层主体部分与所述第一 B导电层 主体部分有基本重叠的第二区域；其中，所述导电材料还包括第一G导电 层，且其中，所述第一G导电层包括一与所述第一区域和第二区域都基本 重叠的主体部分；其中，所述第一G导电层设在位于所述第一平面和所述 第二平面中间的第三平面上；其中，所述导电材料还包括第一 G导电层和第二 G导电层；所述第一 G导电层设在位于所述第一 A导电层和第一 B导电层之间 的所述第一平面上，且在所述结构中与所述第一 A导电层和所述第一 B导 电层电绝缘；所述第二 G导电层设在位于所述第二 A导电层和第二 B导电层之间 的第二平面上，且在所述结构中与所述第二 A导电层和所述第二 B导电层 电绝缘；其中，所述导电材料还包括第二G导电层，其中，所述第二G导 电层包括一与所述第一区域和第二区域基本重叠的主体部分；其中，所述 第一G导电层设在位于所述第一平面和第二平面之间的第三平面上；第二方面，权利要求限定了一种包括所述内部结构和一个能量调节 装置的外部结构的组件，其中，所述外部结构包括沿着所述左侧表面， 所述上侧表面和所述下侧表面中的至少一个延伸的第一导电集成区域，并 与至少一个所述的至少一个第一 A导电层第一接片接触；和沿着所述右侧 表面、所述上侧表面和所述下侧表面中的至少一个延伸的第二导电集成区域，并与至少一个所述的至少一个第一B导电层第一接片接触。基于第二方面，权利要求限定，其中，所述内部结构还包括一G导 电层，该G导电层包括G导电层主体部分，G导电层第一接片，和G导电 层第二接片，其中，所述外部结构还包括沿至少所述内部结构的一个侧表 面延伸并与所述G导电层第一接片接触的第三导电集成区域；其中，所述 外部结构还包括沿着所述内部结构的至少一个侧表面延伸的第四导电集成 区域，并与所述内部结构的一个侧表面相对，沿着所述内部结构的所述一 个侧表面，第三导电集成区域延伸到所述第四导电集成区域与所述G导电 层第二接片接触；其中，至少一个所述第一导电集成区域，所述第二导电 本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种能量调节装置的内部结构： 其中，所述内部结构具有一左侧表面，一右侧表面，一上侧表面，一下侧表面，一顶端表面和一底部表面； 其中，所述内部结构包括介电材料和导电材料； 其中，所述介电材料的表面和所述导电材料的表面限定了所 述左侧表面，所述右侧表面，所述上侧表面，所述下侧表面，所述顶端表面，和所述底部表面； 其中，所述导电材料包括位于第一平面内的第一Ａ导电层和第一Ｂ导电层； 其中，所述第一Ａ导电层和第一Ｂ导电层在所述结构中彼此电绝缘； 其中， 所述第一Ａ导电层包括至少一个第一Ａ导电层第一接片和第一Ａ导电层主体部分； 其中，所述第一Ｂ导电层包括至少一个第一Ｂ导电层第一接片和第一Ｂ导电层主体部分； 其中，所述第一Ａ导电层主体部分不延伸至所述左侧，右侧，上侧，和下侧中的任一 个； 其中，所述第一Ｂ导电层主体部分不延伸至所述左侧，右侧，上侧，和下侧的任一个； 其中，所述至少一个第一Ａ导电层第一接片延伸至所述左侧表面，所述上侧表面，和所述下侧表面；以及 其中，所述至少一个第一Ｂ导电层第一接片至少延 伸至所述上侧表面，所述下侧表面和所述右侧表面的一部分。...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：W安东尼，D安东尼，A安东尼，
申请(专利权)人：X二Y衰减器有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。