【技术实现步骤摘要】
本技术涉及功率半导体器件领域，更具体的说，是关于一种适用于降压电路 的全隔离耗尽型高压N型横向双扩散金属氧化物半导体管的新结构。
技术介绍
功率半导体器件是电力电子系统进行能量控制和转换的基本电子元件，电力电子 技术的不断发展为半导体功率器件开拓了广泛的应用领域。以横向双扩散金属氧化物半导 体晶体管为代表的现代电力电子器件和相关产品在工业、能源、交通等用电的场合发挥着 日益重要的作用，是机电一体化设备、新能源技术、空间和海洋技术、办公自动化及家用电 器等实现高性能、高效率、轻量小型的技术基础。耗尽型横向双扩散金属氧化物半导体晶体管作为一种常开器件在大规模集成电 路中有着特殊的应用，为使耗尽型横向双扩散金属氧化物半导体晶体管更好地满足在高压 电路中作为降压器件为低压电路提供低压电源的功能，同时做到缩小器件面积，降低耗尽 型横向双扩散金属氧化物半导体晶体管的阈值电压至关重要。在相关技术中，很少有人关注耗尽型高压横向双扩散金属氧化物半导体管，传统 耗尽型高压横向双扩散金属氧化物半导体管的阈值电压仅仅依靠多晶硅栅极耗尽沟道注 入区，但由于耗尽能力的限制导致传统结构耗尽管...
【技术保护点】
一种降压用耗尽型Ｎ型横向双扩散金属氧化物半导体管，包括：Ｐ型半导体衬底（１），在Ｐ型半导体衬底（１）上设置有Ｎ型埋层（２），在Ｎ型埋层（２）上设置有Ｐ型阱区（３），在Ｐ型阱区（３）的左右两侧分别设有构成ＰＮ结隔离的第一Ｎ型阱区（４）及第二Ｎ型阱区（１９），在第一Ｎ型阱区（４）上设有第一Ｎ型欧姆接触区（２１），在第二Ｎ型阱区（１９）上设有第二Ｎ型欧姆接触区（２２），在Ｐ型阱区（３）表面右侧设置有漏端Ｎ型漂移区（６），在漏端Ｎ型漂移区（６）表面上设置有Ｎ型漏区（１０），在Ｐ型阱区（３）表面左侧设置有Ｐ型接触区（７）、Ｎ型源区（８）和Ｎ型沟道注入区（９），在Ｎ型沟道注入区（９）上...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：孙伟锋，钱钦松，朱奎英，陆生礼，时龙兴，
申请(专利权)人：东南大学，
类型：实用新型
国别省市：32
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