薄膜光伏电池制造技术

本发明专利技术提供了一种薄膜光伏电池，其包括基片；提供在基片上的后接触件；提供在后接触件上的p-型半导体吸收层；在所述p-型半导体吸收层上提供的n-型半导体层；在所述n-型半导体层上提供的介电有机材料层；提供在所述介电有机材料层上的透明导电膜；以及任选的提供在所述透明导电膜上的减反射层。本发明专利技术还提供了一种制造薄膜光伏电池的方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及薄膜光伏电池领域。更具体来说，本专利技术涉及薄膜光伏电池堆及其制造方法。
技术介绍
近年来，人们对薄膜光伏电池的兴趣在持续升高。这种兴趣的升高可能是由于实验室规模制造的电池的转化效率的改进，人们预期相对于较老的较昂贵的晶体和多晶硅技术，可以显著降低生产成本。用术语"薄膜"将此种太阳能电池与更常见的基于硅的电池区别开，后者使用较厚的硅晶片。尽管单晶硅电池仍然保持着超过20%的转化效率的记录，但是现有的制造的薄膜电池已经接近该水平了。因此，薄膜电池的性能不再是限制其商业应用的主要问题了。目前仍然存在的薄膜光伏电池大规模商业化的一个主要障碍在于成本。用于商业薄膜光伏电池吸收材料的主要选择是多晶化合物半导体材料(即CdTe和 Cu (In, Ga) (S, Se)2)。常规的基于CdTe和Cu(ImGa) (S5Se)2的薄膜光伏电池具有叠层的多层结构。这些薄膜光伏电池包括基片(例如玻璃)，在基片上形成了钼后接触件。在所述钼后接触件上形成了 CdTe或Cu (In，Ga) (S，Se)2的ρ-型半导体吸收层。在所述ρ型半导体吸收层上形成了 η-型半导体，缓冲层(例如CdQ。在本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种薄膜光伏电池，其包括：基片；提供在所述基片上的后接触件；提供在所述后接触件上的ｐ－型半导体吸收层；提供在所述ｐ－型半导体吸收层上的ｎ－型半导体层；提供在所述ｎ－型半导体层上的介电有机材料层；提供在所述介电有机材料层上的透明导电膜；以及，任选的，提供在所述透明导电膜上的减反射层。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：G·卡纳里昂，N·普利亚诺，C·R·斯曼达，李哉衡，
申请(专利权)人：罗门哈斯电子材料有限公司，
类型：发明
国别省市：US