发光器件和灯单元制造技术

本发明专利技术提供一种发光器件和灯单元。该发光器件包括：封装主体，该封装主体包括主体、凹陷部和多个电极，所述多个电极位于主体上，该凹陷部位于所述多个电极中的至少一个上；发光芯片，该发光芯片包括凸起部，该凸起部与所述凹陷部相对应，以将所述凹陷部联接并附接到所述凸起部，该发光芯片包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层以及有源层，该有源层位于第一导电型半导体层和第二导电型半导体层之间；以及附着层，该附着层位于发光芯片的底表面上。

【技术实现步骤摘要】

实施例涉及一种发光器件和灯单元。
技术介绍
发光二极管(LED)是将电流转换为光的半导体发光器件。近来，随着LED的亮度增加，LED正用作显示器、车辆以及照明装置的光源。而且，通过使用荧光物质或者把具有各种颜色的LED相组合，可以实现发射高效率白光的LED。
技术实现思路
实施例提供了具有新颖结构的发光器件和灯单元。实施例还提供了具有提高的可靠性的发光器件和灯单元。在一个实施例中，发光器件包括封装主体，该封装主体包括主体、凹陷部和多个电极，所述多个电极位于主体上，该凹陷部位于所述多个电极中的至少一个上；发光芯片， 该发光芯片包括凸起部，该凸起部与所述凹陷部相对应地位于该发光芯片的下表面处，以将所述凹陷部联接并附接到所述凸起部，该发光芯片包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层以及有源层，该有源层位于第一导电型半导体层和第二导电型半导体层之间； 以及附着层，该附着层位于发光芯片的下表面上。在另一实施例中，发光器件包括封装主体，该封装主体包括主体、凹陷部和多个电极，所述多个电极位于主体上，该凹陷部位于所述多个电极中的至少一个上；发光芯片， 该发光芯片包括凸起部，该凸起部与所述凹陷部相对应地位于该发光芯片的下表面处，其中，该发光芯片包括第一导电型半导体层、有源层以及第二导电型半导体层；以及附着层， 该附着层位于发光芯片的下表面上，其中，该发光芯片包括位于第一导电型半导体层、有源层以及第二导电型半导体层下方的导电支撑构件，并且，所述凸起部形成在该导电支撑构件的下表面上。在附图和以下描述中阐明了一个或多个实施例的细节。从该描述和附图以及权利要求中，其它特征将显而易见。附图说明图1是根据第一实施例的发光器件的视图。图2和图3是附接到图1的发光器件上的发光芯片的截面图。图4和图5是示出设置在发光芯片上的凸起部的各种示例的视图。图6是根据第二实施例的发光器件的视图。图7是示出将发光芯片附接到封装主体的过程的视图；图8是根据第三实施例的发光器件的视图；图9和图10是附接到图8的发光器件上的发光芯片的截面图。图11和图12是根据一实施例的、使用发光器件的灯单元的视图。具体实施例方式在实施例的描述中，应当理解，当一个层(或膜)、区域、图案或结构被称为在基板、另一层(或膜)、区域、垫或图案“上”时，它可以“直接”位于另一层或基板上，或者也可以存在有中间层。此外，应当理解，当一个层被称为在另一层“下方”时，它可以直接位于另一层下方，也可以存在有一个或多个中间层。此外，关于每一层的“上”和“下方”，将基于附图进行参考。在附图中，为便于描述和清楚起见，每一层的厚度或尺寸可以被夸大、省略或示意性示出。而且，每个元件的尺寸并不完全反映真实尺寸。下面，将参考附图来描述根据实施例的发光器件和灯单元。〈第一实施例〉图1是根据第一实施例的发光器件的视图。参考图1，根据第一实施例的发光器件包括封装主体10，该封装主体10包括主体11 ；多个电极31和32，所述多个电极31和32设置在主体11上；凹陷部35，该凹陷部35 设置在多个电极31和32中的至少一个上；以及发光芯片100，该发光芯片100包括凸起部 181，该凸起部181与凹陷部35相对应地位于发光芯片100的下表面处，并且附接到封装主体10。主体11构成该封装主体10的主体。主体11可以由硅(Si)、铝(Al)、铝氮化物 (AlN)、AlOx、感光玻璃(PSG)、蓝宝石(Al2O3)、铍氧化物、印制电路板(PCB)或各种树脂形成，但其不限于此。例如，可以利用注射成型来制造该主体11，或者可以堆叠多个层来制造该主体。在主体11中，可以限定具有敞口上侧的腔体15。例如，可以通过注射成型或蚀刻来形成腔体15。腔体15可以具有杯子形状和凹形容器形状。腔体15可以具有竖直或倾斜的内侧表面。而且，腔体15可以具有诸如圆形、方形、多边形或椭圆形的表面构造。尽管未示出，当主体11由具有导电性的材料形成时，在主体11的表面上可以设置有绝缘层。该绝缘层可以防止此发光器件电短路。多个电极31和32可以设置在主体11上。例如，多个电极31和32可以包括第一电极31和第二电极32。第一电极31和第二电极32分别被电气隔离为正极和负极，以将电力提供给发光芯片100。例如，第一电极31和第二电极32可以由金属形成，该金属包括如下项中的至少一个Ti、Cu、Ni、以及Au。而且，可以使用电镀方法、沉积方法或光刻工艺来选择性地制造第一电极31和第二电极32，但其不限于此。凹陷部35可以设置在所述多个电极31和32中的至少一个上。根据发光芯片10 的电极结构和/或封装主体10的设计，凹陷部35的位置可以变化。例如，可以使用光刻工艺来形成掩模图案，然后沿着该掩模图案执行蚀刻工艺来形成凹陷部35，但其不限于此。凹陷部35可以具有与设置在发光芯片100的下表面上的凹陷部181的形状相对应的形状。凹陷部35可以形成为多个，并且凸起部181可以形成为多个。因此，通过联接到凹陷部35，设置在发光芯片100的下表面上的凸起部181可以附接到封装主体10。在此，凹陷部35和凸起部181可以彼此接合，以在没有扭曲而脱离位置的情况下将发光芯片100牢牢固定在封装主体10上。详细地，通过共晶结合或使用结合糊剂的结合，将发光芯片100附接到封装主体 10。在共晶结合或使用附着层(例如由树脂材料形成的粘合剂)的结合中，发光芯片100 可能未准确附接在期望位置，因此会稍微扭曲而脱离预期位置。因此，在根据本实施例的发光器件中，由于凹陷部35和凸起部181分别设置在封装主体10和发光芯片100中，所以可以防止发光芯片100在共晶结合或使用附着层(例如由树脂材料形成的粘合剂)的结合中发生扭曲。因此，可以提高该发光器件的可靠性。下面，将详细描述发光芯片100的结构。图2是根据第一实施例的发光芯片100的截面图，而图3是根据另一实施例的发光芯片100B的截面图。参考图2，发光芯片100包括第一导电型半导体层130、位于该第一导电型半导体层130上的第一电极单元170、位于该第一导电型半导体层130下方的有源层140、位于该有源层140下方的第二导电型半导体层150、位于该第二导电型半导体层150下方的导电支撑构件160、以及位于该导电支撑构件160下方的附着金属层180，该附着金属层180包括凸起部181。第一电极单元170和导电支撑构件160将电力提供给发光芯片100。第一导电型半导体层130、有源层140以及第二导电型半导体层150至少构成了用于产生光的发光结构。可以使用金属有机化学气相沉积(MOCVD)工艺、化学气相沉积(CVD)工艺、等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺、分子束外延(MBE)工艺、或氢化物气相外延(HVPE)工艺来制造该发光结构，但其不限于此。例如，第一导电型半导体层130可以包括η型半导体层。该η型半导体层可以由具有Μ/Ι^^ΝΟ)彡χ彡1，0彡y彡1，0彡x+y彡1)复合化学式的半导体材料形成，例如以下项中的至少一种InAlGaN、GaN, AlGaN, InGaN, A1N、以及hN。这里，该η型半导体层掺杂有诸如Si、Ge以及Sn等的η型掺杂物。有源层140可以设置在第一导电型半导体层130下方。有源层14本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种发光器件，包括：封装主体，所述封装主体包括主体、凹陷部以及多个电极，所述多个电极位于所述主体上，所述凹陷部位于所述多个电极中的至少一个电极上；发光芯片，所述发光芯片包括位于其下表面处的凸起部，所述凸起部与所述凹陷部相对应，以将所述凹陷部联接到所述凸起部，所述发光芯片包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层以及有源层，所述有源层位于所述第一导电型半导体层和所述第二导电型半导体层之间；以及附着层，所述附着层位于所述发光芯片的下表面上。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：韩载天，裵贞赫，郑泳奎，宋大正，
申请(专利权)人：LG伊诺特有限公司，
类型：发明
国别省市：KR