CMOS图像传感器及其形成方法技术

一种CMOS图像传感器，包括：p型半导体基底；位于所述p型半导体基底内的n型阱；位于所述n型阱内的p型阱；位于所述p型阱内的浅沟槽，以及位于所述浅沟槽底面和侧面的第一介质层和位于所述第一介质层表面的第一电极层。相应地，本发明专利技术还提供所述CMOS图像传感器的形成方法，以及所述CMOS图像传感器的光电容读取方法。通过本发明专利技术所提供的CMOS图像传感器实现了一种全新的光电信号转化方式，提高了CMOS图像传感器的效率，避免了成像滞后的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及图像传感器，特别涉及CMOS图像传感器及其形成方法。
技术介绍
电荷耦合器件(CCD)和互补金属氧化物半导体(CM0Q器件是两种常见的基于半导体的图像成像器。CCD经常用于图像采集，但是，CCD图像成像器存在诸如功耗比较高，难与CMOS处理装置集成等多种固有限制。基于CXD技术中的固有限制，CMOS图像传感器已经获得广泛应用。然而，CMOS图像传感器在电路中较易引入各种噪声(noise)，从而在一定程度上限制了其在高端领域的应用。请参见图1，图1所示为现有技术中单像素4T型CMOS图像传感器的单元像素的结构示意图。现有技术中，CMOS图像传感器的单元像素包括半导体基底(未图示)；位于半导体基底的有源区的一端光电二极管110，光电二极管110用于收集光电子；电连接所述光电二极管110的转移晶体管120，所述转移晶体管120用于传递光电二极管110收集的光电子；电连接转移晶体管120的浮动扩散区160，浮动扩散区160用于存储由所述转移晶体管 120传递的光电子；位于电源电压端子(未图示)和所述浮动扩散区160之间重置晶体管 130，用于将存储在浮动扩散区160的电子放本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种ＣＭＯＳ图像传感器，包括：ｐ型半导体基底，其特征在于，还包括：位于所述ｐ型半导体基底内的ｎ型阱；位于所述ｎ型阱内的ｐ型阱；位于所述ｐ型阱内的浅沟槽，以及位于所述浅沟槽底面和侧面的第一介质层和位于所述第一介质层表面的第一电极层。

【技术特征摘要】
1.一种CMOS图像传感器，包括p型半导体基底，其特征在于，还包括 位于所述P型半导体基底内的η型阱；位于所述η型阱内的ρ型阱；位于所述P型阱内的浅沟槽，以及位于所述浅沟槽底面和侧面的第一介质层和位于所述第一介质层表面的第一电极层。2.依据权利要求1所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述η型阱的掺杂浓度为 Iel6-lel7离子/立方厘米。3.依据权利要求1所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述η型阱的掺杂离子为磷离子或者砷离子。4.依据权利要求1所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述ρ型阱的掺杂浓度为 5el6-5el7离子/立方厘米。5.依据权利要求1所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述浅沟槽的深度为l-3um。6.依据权利要求1所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述浅沟槽的宽度为 0. 2-0. 8um07.依据权利要求1所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述第一介质层的材料是二氧化硅。8.依据权利要求6所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述第一介质层的厚度为 50-250 埃。9.依据权利要求1所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述电极层的材料是多晶硅。10.依...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴小利，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：31