一种快速制备金刚石-碳化硅电子封装材料的方法技术

本发明专利技术提供了一种快速制备金刚石-碳化硅电子封装材料的方法，其特征是按重量百分比，将10～15%的粘接剂，5～20%的石墨，20～40%的硅粉，30～60%的金刚石湿混16～24h。然后在100～200℃和10～50MPa压力下温压成形获得复合材料毛坯。在氩气气氛中1000～1100℃烧结16～24h，冷却后得到具有一定强度和孔隙度的金刚石/硅/碳多孔基体。将所制备的金刚石/硅/碳多孔基体置于石墨坩埚中，用液相渗透的渗料填埋后将坩埚整体置于高真空烧结炉中进行真空液相渗透0.5-1h，渗透温度1450～1550℃，真空度-0.08～-0.01MPa。冷却后即获得致密的金刚石-碳化硅电子封装材料。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于一种快速制备电子封装材料的方法，特别涉及一种金刚石-碳化硅电子封装材料的制备方法。
技术介绍
电子元器件在工业发展中发挥着极其重要的作用，其应用领域也越来越广泛，为了满足各领域因不断发展而提出的新要求，电子元器件的性能也在不断提高。事实证明只有功率更大、体积更小、质量更轻、集成密度更高、性能更高、成本更低的电子元器件才能满足未来工业发展的需求。然而电子元器件功率越高，体积越小，其稳定性和寿命则会因为高发热量而受到极大的影响，这对电子封装材料的导热性能和热稳定性能也提出了更高的要求。Cu、W、Mo、Invar合金、Kovar合金等第一代传统封装材料由于综合性能较差已经无法满足工业需求。SiC/Al、SiC/Cu、Si/Al等第二代电子封装材料能尽量充分利用各组分的优点，而将其不足之处的影响降低到最小，获得的电子封装材料各项性能指标均优于传统封装材料，因此复合材料是未来电子封装材料的发展方向。第二代电子封装材料取得了成功，然而现在电子元件因为集成度和功率提高而引起的发热量正以每三年四倍的速度快速提高，第二代封装材料的性能也很有限，因此必须开发热导率更高，热稳定性更好的第三本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种快速制备金刚石－碳化硅电子封装材料的方法，其特征在于：按重量百分比，将１０～１５％的粘接剂，５～２０％的石墨，２０～４０％的硅粉，３０～６０％的金刚石颗粒进行湿混，混合时间１６～２４ｈ；将混合物在１０～５０ＭＰａ压力和１００～２００℃的温度下温压成形获得复合材料毛坯；在氩气保护气氛中１０００～１１００℃烧结１６～２４ｈ，随炉冷却后得到金刚石／硅／碳多孔基体；将所制备的金刚石／硅／碳多孔基体置于石墨坩埚中，用液相渗透的渗料填埋，然后整体置于高真空烧结炉中进行真空液相渗透０．５－１ｈ，渗透温度１４５０～１５５０℃，真空度－０．０８～－０．０１ＭＰａ；随炉冷却后获得致密的金刚石－碳化硅电子封...

【技术特征摘要】
1.一种快速制备金刚石-碳化硅电子封装材料的方法，其特征在于按重量百分比，将 10 15%的粘接剂，5 20%的石墨，20 40%的硅粉，30 60%的金刚石颗粒进行湿混， 混合时间16 24h ；将混合物在10 50MPa压力和100 200°C的温度下温压成形获得复合材料毛坯；在氩气保护气氛中1000 1100°C烧结16 24h，随炉冷却后得到金刚石/硅 /碳多孔基体；将所制备的金刚石/硅/碳多孔基体置于石墨坩埚中，用液相渗透的渗料填埋，然后整体置于高真空烧...

【专利技术属性】
技术研发人员：何新波，杨振亮，吴茂，刘荣军，任淑彬，曲选辉，
申请(专利权)人：北京科技大学，
类型：发明
国别省市：11