一种单晶硅太阳能电池绒面的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种单晶硅太阳能电池绒面的制备方法，包括如下步骤：(1)硅片的清洗；(2)将清洗好的硅片放入双频容性耦合等离子体设备中进行刻蚀，得到纳米柱状的绒面结构；(3)冷却，取出硅片；所述步骤(2)中，刻蚀气体为C2F6和Ar2的混合气体，流量分别为5~10sccm和0.4~0.5sccm；本底真空为2~3×10-3Pa；工作气压为20~30Pa；高频频率和功率为60MHz，300w，低频频率和功率为2MHz，250w，刻蚀时间为10~15min。本发明专利技术得到了呈纳米柱状结构的单晶硅太阳能电池绒面结构，该绒面结构可以将光线反射损失低于9%，具有意想不到的效果。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种太阳能电池绒面的制备方法，具体涉及。
技术介绍
能源缺乏、全球气候变暖以及环境污染的日益严重，促进了可再生能源的快速发展，而太阳能具有清洁、无污染，取之不尽用之不竭等突出优点，成为未来理想能源之一。目前太阳能电池中占主要地位的是单晶硅和多晶硅太阳能电池。在太阳能电池的研究中，优化电池的结构，提高其转换效率一直是人们研究的热点。表面织构化(制作绒面)是提高电池转换效率的重要手段。经过抛光的硅片，表面对阳光的反射率超过30%，如果不对表面进行处理，损失将很严重。而经过织构处理后，表面变得粗糙，光线可在表面经历多次反射，将光线反射损失减小到10%左右，从而增加了光的吸收率，提高了电池的效率。传统的太阳能电池绒面结构主要是金字塔结构，其能较好的降低硅片的反射率， 因而得到了广泛应用。该太阳能电池绒面的制备方法是湿化学腐蚀技术，主要有酸性溶液和碱性溶液两种基本的腐蚀体系。该方法具有低成本、高可靠性、高产能及优越的刻蚀选择比等优点，但仍然存在以下缺点1)需大量使用较高成本的反应溶液及去离子水；2)湿法腐蚀剥蚀硅的厚度一般达到微米量级，不适合在薄膜电池中使用；3)化学药品处理时本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种单晶硅太阳能电池绒面的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：（１）　硅片的清洗：先用碱性过氧化氢溶液清洗，然后用去离子水清洗，接着用酸性过氧化氢溶液清洗，再用去离子水清洗；（２）　将清洗好的硅片放入双频容性耦合等离子体设备中进行刻蚀，得到纳米柱状的绒面结构；（３）　冷却，取出硅片；所述步骤（２）中，刻蚀气体为Ｃ２Ｆ６和Ａｒ２的混合气体，流量分别为８～１２　ｓｃｃｍ和０．４～０．６　ｓｃｃｍ；本底真空为２～３×１０－３Ｐａ；工作气压为２５～３５Ｐａ；高频频率和功率为６０ＭＨｚ，２５０～３００Ｗ，低频频率和功率为２ＭＨｚ，２５０～３００Ｗ，刻蚀时间为１０～２０ｍｉｎ。

【技术特征摘要】
1.一种单晶硅太阳能电池绒面的制备方法，其特征在于，包括如下步骤(1)硅片的清洗先用碱性过氧化氢溶液清洗，然后用去离子水清洗，接着用酸性过氧化氢溶液清洗，再用去离子水清洗；(2)将清洗好的硅片放入双频容性耦合等离子体设备中进行刻蚀，得到纳米柱状的绒面结构；(3)冷却，取出硅片；所述步骤(2)中，刻蚀气体为C2F6和Ar2的混合气体，流量分别为纩12 sccm和0. 6 sccm ；本底真空为2 3 X KT3Pa ；工作气压为25 35Pa...

【专利技术属性】
技术研发人员：王飞，金成刚，吴雪梅，诸葛兰剑，吴明智，王岩岩，俞友明，
申请(专利权)人：苏州大学，
类型：发明
国别省市：32