基于P型硅片的背接触式HIT太阳能电池制备方法技术

本发明专利技术公开了一种在P型硅衬底上制备背接触式HIT太阳能电池的方法。本发明专利技术的制备工艺将常规晶硅生产工艺和薄膜太阳能电池生产工艺结合，方法简单，能够迅速产业化；太阳光在电池内传播光程更长，电池较常规晶硅太阳电池厚度大大减薄；电极全部印刷在电池背面，即避免了常规太阳能电池正面电极遮光的问题，又降低了对电极印刷精度和高宽比的要求；在组件生产中使用本电池可减少焊接工序，节约焊带，降低组件生产成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术 涉及一种太阳能电池的制备方法，具体涉及一种在P型硅衬底上制备背接触式HIT太阳能电池的方法。
技术介绍
太阳能产业的迅速发展需求一种工艺流程简单，光电转化效率高的产业化技术来降低发电成本，达到与市电同价或低于市电电价的目标。当前常规晶硅电池随着产业化的发展，转换效率提升和成本降低都有了较大的进步。但常规晶硅电池的本身技术特点限制了其发电成本的进一步降低，难以达到市电同价的目标。业界出现了多种解决方案，包括选择性发射极太阳能电池、背接触式太阳能电池、 HIT电池等。同时新的技术，如激光技术、LIP技术、光刻技术等的出现也为太阳能电池进一步的转换效率提升和成本降低提供了可能。目前在各种高效太阳电池中，背接触电池和HIT电池是极为有效地解决方案。背接触电池提高太阳能电池的光利用率，使得效率有了巨大提升。但是其多采用了激光技术， 成本较高且产能较小。HIT电池减少了电池厚度且效率较常规晶硅电池有了提高，但其仍在电池正面印刷银电极，遮光率的问题没有解决。
技术实现思路
本专利技术的目的就是针对上述存在的缺陷而提供一种在P型硅衬底上制备背接触式HIT太阳能电池的方法，该方法可提高晶体硅本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．　一种基于Ｐ型硅片的背接触式ＨＩＴ太阳能电池制备方法，其特征在于，步骤包括：（１）在制绒后的Ｐ型硅片正表面沉积一层高浓度Ｐ＋型非晶硅薄膜；（２）在硅片背表面依次沉积一层本征非晶硅薄层和一层Ｎ型非晶硅薄层；（３）在硅片背表面采用丝网印刷烧结方式沉积ＳｉＯ２作为掩膜；（４）在硅片正表面沉积氮化硅减反射层；（５）使用强碱溶液腐蚀背表面掩膜未遮档区域直至露出Ｐ型硅基体；使用ＨＦ酸腐蚀掉ＳｉＯ２掩膜以露出Ｎ型非晶硅；（６）在硅片背表面沉积一层ＳｉＯ２薄层作为背面钝化层和反射面；（７）在背表面的Ｎ型区域和Ｐ型区域分别丝网印刷导电浆料经烧结作为Ｎ区电极和Ｐ　区电极。

【技术特征摘要】
1.一种基于P型硅片的背接触式HIT太阳能电池制备方法，其特征在于，步骤包括(1)在制绒后的P型硅片正表面沉积一层高浓度P+型非晶硅薄膜；(2)在硅片背表面依次沉积一层本征非晶硅薄层和一层N型非晶硅薄层；(3)在硅片背表面采用丝网印刷烧结方式沉积SiO2作为掩膜；(4)在硅片正表面沉积氮化硅减反射层；(5)使用强碱溶液腐蚀背表面掩膜未遮档区域直至露出P型硅基体；使用HF酸腐蚀掉 SiO2掩膜以露出N型非晶硅；(6)在硅片背表面沉积一层SiO2薄层作为背面钝化层和反射面；(7)在背表面的N型区域和P型区域分别丝网印刷导电浆料经烧结作为N区电极和P 区电极。2.根据权利要求1所述的基于P型硅片的背接触式HIT太阳能电池制备方法，其特征在于步骤(1)和(2)中在P型硅片正表面沉积P+型非晶硅薄层以及在背表面依次沉积一层本征非晶硅薄层和一层N型非晶硅薄层，膜厚度范围均为广50000nm。3.根据权利要求1所述的基于P型硅片的背接触式HIT太阳能电池制备方法，其特征在于步骤(4)在...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐振华，杨青天，李玉花，姜言森，刘鹏，任现坤，张春艳，王兆光，程亮，
申请(专利权)人：山东力诺太阳能电力股份有限公司，
类型：发明
国别省市：88