本发明专利技术是粘接片及其制造方法、以及半导体装置的制造方法及半导体装置。本发明专利技术半导体装置制造方法包括：贴合步骤，对于依次层叠剥离基材、粘接层、粘着层及基材薄膜构成的、粘接层有规定的第1平面形状且部分性形成于剥离基材上、粘着层层叠为覆盖粘接层且于其周围与剥离基材接触的粘接片，剥下由粘接层、粘着层及基材薄膜所成的层叠体，隔着粘接层贴于半导体晶片，得到附层叠体半导体晶片；切割步骤，切割附层叠体半导体晶片，得到规定尺寸附层叠体半导体元件；剥离步骤，以高能量射线照射粘着层，使其粘着力降低后，剥离粘着层及基材薄膜，得到附粘接层半导体元件；粘接步骤，将附粘接层半导体元件，隔着粘接层粘接于半导体元件搭载用支持部件。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术是关于粘接片及其制造方法、以及半导体装置的制造方法及半导体装置。
技术介绍
近年来，机动性相关机器的多功能化及轻量小型化的需求迅速增高。随之，相对于半导体元件的高密度安装的需求年年增加，尤其以层叠半导体元件的层叠式多芯片封装 (以下称为“层叠式MCP”)的开发为其中心。层叠式MCP的技术开发，是封装的小型化与多段装载的所谓相反目标的兼顾。因此，半导体元件所使用的硅晶片的厚度，迅速进行薄膜化，积极研究、使用厚度为ΙΟΟμπι以下的晶片。另外，多段装载，由于造成封装制作步骤的复杂化，寻求封装制作步骤的简化、及对应于因多段装载的引线接合的热经历次数增加的制作工艺、材料的提案。在这样的状况中，使用早期以来的糊状材料作为层叠式MCP的粘接部件。但是，糊状材料在半导体元件的粘接工艺中，产生树脂的挤出，有膜厚精确度降低的问题。这些问题，成为产生引线接合时的不适，或造成糊状剂的空隙等的原因，在使用糊状材料时，并无对上述的要求的处理方案。为改善这样的问题，近年来有使用薄膜状的粘接剂替代糊状材料的倾向。薄膜状的粘接剂与糊状材料比较，可控制半导体元件的粘接工艺中的挤出量为少量，且提高薄膜的膜厚精确度，能减少膜厚的偏差，故而积极研究对层叠式MCP的使用。此粘薄膜状粘接剂，通常具有在剥离基材上形成粘接层的结构。薄膜状粘接剂的代表性的使用方法之一为晶片背面贴合法。所谓晶片背面贴合法，是指在半导体元件制作中所使用的硅晶片的背面，直接贴合薄膜状粘接剂的方法。此方法中，在对半导体晶片进行薄膜状粘接剂的贴合后，去除剥离基材，在粘接层上贴合切割胶带。其后安装于晶片环，对晶片连同粘接层进行切削加工成为所期望的半导体元件尺寸。切割后的半导体元件，成为在背面具有切削为同尺寸的粘接层的构造。将此附带有粘接层的半导体元件拾取装载于衬底，以热压粘接等方法粘贴合。此背面贴合方式中采用的切割胶带，通常具有在基材薄膜上形成粘着层的结构， 大致分为感压型切割胶带与UV型切割胶带两种。要求于切割胶带的功能为，在切割时，要求不使半导体元件由于晶片切断所伴随的负荷而飞散的充分粘着力。另外，在拾取切割的半导体元件之际，要求各元件无粘着剂残留，接合设备可以轻易拾取附带有粘接层的半导体元件。另外，由于封装制作步骤的缩短化的要求，进而改善工艺的要求更为提高。以往的晶片背面贴合方式中，需要在对晶片贴合薄膜状粘接剂后，贴合切割胶带的两个步骤。因而，为简化此工艺，进行开发兼具薄膜状粘接剂与切割胶带两者功能的粘接片(接合切割薄片)。此粘接片有，具有贴合薄膜状粘接剂与切割胶带的结构的层叠型(例如参照专利文献1 幻或、以一个树脂层兼备粘着层与粘接层的功能的单层型(例如参照专利文献4)。另外，有预先将这样的粘接片加工为构成半导体元件的晶片的形状的方法(所谓预先切断加工)(例如参照专利文献5、6)。这样的预先切断加工，是使树脂层冲切为符合所使用的晶片的形状，将粘贴于晶片部分以外的树脂层剥离的方法。施行这样的预先切断加工时，层叠型的粘接片，一般而言，是使粘薄膜状粘接剂的粘接层进行预先切断加工成符合晶片的形状，在其与切割胶带粘贴后，对此切割胶带施行符合晶片环形状的预先切断加工；或者，通过使预先施行符合晶片环形状的预先切断加工的切割胶带，与施行预先切断加工的薄膜状粘接剂贴合制作而得。另外，单层型的粘接片，一般而言，是通过在剥离基材上形成具有粘接层与粘着层的功能的树脂层(以下称为“粘接着层”)，对此粘接着层进行预先切断加工，在去除树脂层的不要部分后，与基材薄膜贴合等方法制作而得。专利文献1 专利第3，348，923号公报专利文献2 特开平10-335271号公报专利文献3 专利第2，678，655号公报专利文献4 特公平7-15087号公报专利文献5 实公平6-18383号公报专利文献6 登录实用新案3，021，645号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题粘接薄膜的预先切断加工，借助例如图14所示的方法施行。图14是对于单层型的粘接片施行预先切断加工的一连串步骤图。如图14所示，首先，使剥离基材10、与由粘接着层12及基材薄膜14所成的粘接着薄膜(切割胶带)20贴合，制作成预先切断前的粘接片[图14的(a)]。其次，将对应于所期望形状的预先切断刀C，自基材薄膜14的表面F14 切入至达剥离基材10，进行切断操作[图14的(b)]。其后，去除粘接着层12及基材薄膜 14的不要部分，完成预先切断加工[图14的(c)]。还有，层叠型的粘接片的情况下，除粘接着层12为粘接层及粘着层以外，以与上述同样的方法进行预先切断加工。但是，此预先切断加工中，切断刀C未到达剥离基材10时，切断加工不足，在不要部分的剥离操作之际产生使必要部分也剥离的不适情况。因此，以往为避免这样的不良切断，预先切断刀C的进入量，设定为比粘接着层12与剥离基材10的界面还深。但是，设定这样较深的预先切断刀C进入量而进行预先切断加工的粘接片，如图 15所示，本专利技术人等发现，粘接着层12咬入剥离基材10的切入部分E，使剥离基材10与粘接着层12的界面密封。进而，本专利技术人等发现，以此状态使粘接片层压于晶片时，难以使粘接着层12自剥离基材10剥离，容易造成剥离不良。另外，粘接薄膜的预先切断加工，借助例如图M所示的方法施行。图对是对于层叠型的粘接片施行预先切断加工的一连串步骤图。如图M所示，首先，使由剥离基材212及粘接层214所成的薄膜状粘接剂与由基材薄膜2M及粘着层222所成的切割胶带贴合，制作成预先切断前的粘接片[图M的(a)]。其次，将对应于所期望形状的预先切断刀C，自基材薄膜224的表面FM切入至达剥离基材212，进行切断操作[图对的(b)]。其后，去除粘接层214、粘着层222及剥离薄膜224的不要部分，完成预先切断加工[图M的(c)]。 还有，单层型粘接片的情况下，除使用具有两者功能的粘接着层替代粘接层214和粘着层 222以外，以与上述同样的方法进行预先切断加工。但是，上述的预先切断加工中，切断刀C 未到达剥离基材212时切断加工不足，在不要部分的剥离操作之际产生使必要部分也剥离的不适情况。为避免这样的不良切断，预先切断刀C的进入量，设定为比粘接层214与剥离基材212的界面还深。但是，设定这样较深的预先切断刀C进入量而进行预先切断加工的粘接片，如图 25所示，本专利技术人等发现，粘接层214或粘着层222咬入剥离基材212的切入部分F，使剥离基材212与粘接层214的界面密封。进而，本专利技术人等发现，以此状态使粘接片层压于晶片时，难以使粘接层214自剥离基材212剥离，容易造成剥离不良。本专利技术鉴于具有上述以往技术的课题，目的是提供在施行预先切断加工中，可充分抑制含有粘接着层及基材薄膜的层叠体自剥离基材剥离的不良，或含有粘接层、粘着层及基材薄膜的层叠体的剥离不良的粘接片及其制造方法，以及使用所述粘接片的半导体装置的制造方法及半导体装置。解决问题的方案为达到上述目的，本专利技术提供一种粘接片，其为具备剥离基材、基材薄膜、及配置于所述剥离基材和所述基材薄膜之间的第1粘接着层的粘接片，其特征为，所述剥离基材上，由所述第1粘接着层侧的面形成环状的切入部分；所述第1粘接着层为，按覆盖所述剥离基材的所述切入部分的内侧面整体来层叠；所本文档来自技高网...
【技术保护点】
１．半导体装置的制造方法，其特征为，包括：对于按照剥离基材、粘接层、粘着层及基材薄膜的顺序层叠所构成的、并且所述粘接层具有规定的第１平面形状且部分性地形成于所述剥离基材上、所述粘着层层叠为其覆盖所述粘接层且于所述粘接层的周围与所述剥离基材接触的粘接片，将由所述粘接层、所述粘着层及所述基材薄膜所成的层叠体从所述剥离基材上剥离，将所述层叠体以所述粘接层为中介贴合于半导体晶片，得到附有层叠体的半导体晶片的贴合步骤；通过切割所述附有层叠体的半导体晶片，得到规定尺寸的附有层叠体的半导体元件的切割步骤；以高能量射线照射所述层叠体的所述粘着层，使所述粘着层对于所述粘接层的粘着力降低后，将所述粘着层及所述基材薄膜从所述粘接层上剥离，得到附有粘接层的半导体元件的剥离步骤；将所述附有粘接层的半导体元件，以所述粘接层为中介粘接于半导体元件搭载用的支持部件的粘接步骤。
【技术特征摘要】
2004.10.14 JP 2004-3005411.半导体装置的制造方法，其特征为，包括对于按照剥离基材、粘接层、粘着层及基材薄膜的顺序层叠所构成的、并且所述粘接层具有规定的第1平面形状且部分性地形成于所述剥离基材上、所述粘着层层叠为其覆盖所述粘接层且于所述粘接层的周围与所述剥离基材接触的粘接片，将由所述粘接层、所述粘着层及所述基材薄膜所成的层叠体从所述剥离基材上剥离，将所述层叠体以所述粘接层为中介贴合于半导体晶片，得到附有层叠体的半导体晶片的贴合步骤；通过切割所述附有层叠体的半导体晶片，得到规定尺寸的附有层叠体的半导体元件的切割步骤；以高能量射线照射所述层叠体的所述粘着层，使所述粘着层对于所述粘接层的粘着力降低后，将所述粘着层及所述基材薄膜从所述粘接层上剥离，得到附有粘接层的半导体元件的剥离步骤；将所述附有粘接层的半导体元件，以所述粘接层为中介粘接于半导体元件搭载用的支持部件的粘接步骤。2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，所述剥离基材上，沿着所述第 1平面形状的周边，从与所述粘接层接触的一侧的面形成有第1切入部分，所述第1切入部分的切入深度为小于所述剥离基材的厚度，且为25 μ m以下。3.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其中，以所述剥离基材的厚度为 a( μ m)，以所述第1切入...
【专利技术属性】
技术研发人员：田中麻衣子，宇留野道生，松崎隆行，古谷凉士，增野道夫，稻田祯一，
申请(专利权)人：日立化成工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP
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