粘接片及其制造方法、以及半导体装置的制造方法及半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术是粘接片及其制造方法、以及半导体装置的制造方法及半导体装置。本发明专利技术半导体装置制造方法包括：贴合步骤，对于依次层叠剥离基材、粘接层、粘着层及基材薄膜构成的、粘接层有规定的第1平面形状且部分性形成于剥离基材上、粘着层层叠为覆盖粘接层且于其周围与剥离基材接触的粘接片，剥下由粘接层、粘着层及基材薄膜所成的层叠体，隔着粘接层贴于半导体晶片，得到附层叠体半导体晶片；切割步骤，切割附层叠体半导体晶片，得到规定尺寸附层叠体半导体元件；剥离步骤，以高能量射线照射粘着层，使其粘着力降低后，剥离粘着层及基材薄膜，得到附粘接层半导体元件；粘接步骤，将附粘接层半导体元件，隔着粘接层粘接于半导体元件搭载用支持部件。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是关于粘接片及其制造方法、以及半导体装置的制造方法及半导体装置。
技术介绍
近年来，机动性相关机器的多功能化及轻量小型化的需求迅速增高。随之，相对于半导体元件的高密度安装的需求年年增加，尤其以层叠半导体元件的层叠式多芯片封装 (以下称为“层叠式MCP”)的开发为其中心。层叠式MCP的技术开发，是封装的小型化与多段装载的所谓相反目标的兼顾。因此，半导体元件所使用的硅晶片的厚度，迅速进行薄膜化，积极研究、使用厚度为ΙΟΟμπι以下的晶片。另外，多段装载，由于造成封装制作步骤的复杂化，寻求封装制作步骤的简化、及对应于因多段装载的引线接合的热经历次数增加的制作工艺、材料的提案。在这样的状况中，使用早期以来的糊状材料作为层叠式MCP的粘接部件。但是，糊状材料在半导体元件的粘接工艺中，产生树脂的挤出，有膜厚精确度降低的问题。这些问题，成为产生引线接合时的不适，或造成糊状剂的空隙等的原因，在使用糊状材料时，并无对上述的要求的处理方案。为改善这样的问题，近年来有使用薄膜状的粘接剂替代糊状材料的倾向。薄膜状的粘接剂与糊状材料比较，可控制半导体元件的粘接工艺中的挤出量为少量，且提高薄膜的膜本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．半导体装置的制造方法，其特征为，包括：对于按照剥离基材、粘接层、粘着层及基材薄膜的顺序层叠所构成的、并且所述粘接层具有规定的第１平面形状且部分性地形成于所述剥离基材上、所述粘着层层叠为其覆盖所述粘接层且于所述粘接层的周围与所述剥离基材接触的粘接片，将由所述粘接层、所述粘着层及所述基材薄膜所成的层叠体从所述剥离基材上剥离，将所述层叠体以所述粘接层为中介贴合于半导体晶片，得到附有层叠体的半导体晶片的贴合步骤；通过切割所述附有层叠体的半导体晶片，得到规定尺寸的附有层叠体的半导体元件的切割步骤；以高能量射线照射所述层叠体的所述粘着层，使所述粘着层对于所述粘接层的粘着力降低后，将所述粘着层及所述基材...

【技术特征摘要】
2004.10.14 JP 2004-3005411.半导体装置的制造方法，其特征为，包括对于按照剥离基材、粘接层、粘着层及基材薄膜的顺序层叠所构成的、并且所述粘接层具有规定的第1平面形状且部分性地形成于所述剥离基材上、所述粘着层层叠为其覆盖所述粘接层且于所述粘接层的周围与所述剥离基材接触的粘接片，将由所述粘接层、所述粘着层及所述基材薄膜所成的层叠体从所述剥离基材上剥离，将所述层叠体以所述粘接层为中介贴合于半导体晶片，得到附有层叠体的半导体晶片的贴合步骤；通过切割所述附有层叠体的半导体晶片，得到规定尺寸的附有层叠体的半导体元件的切割步骤；以高能量射线照射所述层叠体的所述粘着层，使所述粘着层对于所述粘接层的粘着力降低后，将所述粘着层及所述基材薄膜从所述粘接层上剥离，得到附有粘接层的半导体元件的剥离步骤；将所述附有粘接层的半导体元件，以所述粘接层为中介粘接于半导体元件搭载用的支持部件的粘接步骤。2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，所述剥离基材上，沿着所述第 1平面形状的周边，从与所述粘接层接触的一侧的面形成有第1切入部分，所述第1切入部分的切入深度为小于所述剥离基材的厚度，且为25 μ m以下。3.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其中，以所述剥离基材的厚度为 a( μ m)，以所述第1切入...

【专利技术属性】
技术研发人员：田中麻衣子，宇留野道生，松崎隆行，古谷凉士，增野道夫，稻田祯一，
申请(专利权)人：日立化成工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP