粘接片及其制造方法、以及半导体装置的制造方法及半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术是粘接片及其制造方法、以及半导体装置的制造方法及半导体装置。本发明专利技术的卷是将按照剥离基材、粘接层、粘着层及基材薄膜的顺序层叠所构成的粘接片卷绕而成的卷，其特征为，所述粘接层具有规定的第1平面形状，且部分性地形成于所述剥离基材上；所述粘着层层叠为其覆盖所述粘接层，且于所述粘接层的周围与所述剥离基材接触。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是关于粘接片及其制造方法、以及半导体装置的制造方法及半导体装置。
技术介绍
近年来，机动性相关机器的多功能化及轻量小型化的需求迅速增高。随之，相对于半导体元件的高密度安装的需求年年增加，尤其以层叠半导体元件的层叠式多芯片封装 (以下称为“层叠式MCP”)的开发为其中心。层叠式MCP的技术开发，是封装的小型化与多段装载的所谓相反目标的兼顾。因此，半导体元件所使用的硅晶片的厚度，迅速进行薄膜化，积极研究、使用厚度为ΙΟΟμπι以下的晶片。另外，多段装载，由于造成封装制作步骤的复杂化，寻求封装制作步骤的简化、及对应于因多段装载的引线接合的热经历次数增加的制作工艺、材料的提案。在这样的状况中，使用早期以来的糊状材料作为层叠式MCP的粘接部件。但是，糊状材料在半导体元件的粘接工艺中，产生树脂的挤出，有膜厚精确度降低的问题。这些问题，成为产生引线接合时的不适，或造成糊状剂的空隙等的原因，在使用糊状材料时，并无对上述的要求的处理方案。为改善这样的问题，近年来有使用薄膜状的粘接剂替代糊状材料的倾向。薄膜状的粘接剂与糊状材料比较，可控制半导体元件的粘接工艺中的挤出量为少量，且提高薄膜的膜本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种卷，是将按照剥离基材、粘接层、粘着层及基材薄膜的顺序层叠所构成的粘接片卷绕而成的卷，其特征为，所述粘接层具有规定的第１平面形状，且部分性地形成于所述剥离基材上；所述粘着层层叠为其覆盖所述粘接层，且于所述粘接层的周围与所述剥离基材接触。

【技术特征摘要】
2004.10.14 JP 2004-3005411.一种卷，是将按照剥离基材、粘接层、粘着层及基材薄膜的顺序层叠所构成的粘接片卷绕而成的卷，其特征为，所述粘接层具有规定的第1平面形状，且部分性地形成于所述剥离基材上；所述粘着层层叠为其覆盖所述粘接层，且于所述粘接层的周围与所述剥离基材接触。2.根据权利要求1所述的卷，其中，所述剥离基材上，沿着所述第1平面形状的周边，从与所述粘接层接触的一侧的面形成有第1切入部分，所述第1切入部分的切入深度为小于所述剥离基材的厚度，且为25 μ m以下。3.根据权利要求2所述的卷，其中，以所述剥离基材的厚度为a(μ m)，以所述第1切入部分的切入深度为dl(ym)，(dl/a)的值满足下述式(1)的条件，0 < (dl/a) ^ 0. 7 (1)。4.根据权利要求2或3所述的卷，其中，所述粘着层及所述基材薄膜具...

【专利技术属性】
技术研发人员：田中麻衣子，宇留野道生，松崎隆行，古谷凉士，增野道夫，稻田祯一，
申请(专利权)人：日立化成工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP