γ-相聚偏二氟乙烯薄膜的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种γ-相聚偏二氟乙烯薄膜的制备方法，用于解决现有的聚偏二氟乙烯薄膜的制备方法不能制备γ-相聚偏二氟乙烯薄膜的技术问题。技术方案是将聚偏二氟乙烯树脂粉末溶解在极性溶剂N，N-二甲基甲酰胺中，超声处理后得到聚偏二氟乙烯溶液；真空条件下祛气；将配制的聚偏二氟乙烯溶液滴在干净干燥的N型(100)单晶硅片上，静置于水平台上，流延至基片的边缘，在室温环境下继续静置挥发，得到均匀的初始模样；初始模样在30℃～80℃条件下结晶；经等温结晶后的聚偏二氟乙烯薄膜经退火，得到γ-相聚偏二氟乙烯薄膜。该方法采用溶液流延方法制备聚偏二氟乙烯薄膜，通过热处理对其晶体结构进行改性，得到了γ-相聚偏二氟乙烯薄膜。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种聚偏二氟乙烯薄膜的制备方法，特别涉及一种Y-相聚偏二氟乙烯薄膜的制备方法。
技术介绍
文献 1 “R. Hasegawa, Y. Takahashi, Y. Chatani, et al. Molecular Conformation and Packing of Poly(vinylidene fluoride) :Stability of Three Crystalline Forms and the Effect of High Pressure. Polymer. 1972,3(5) :591 ~ 599. ”中报道压电聚合物晶体材料的熔体结晶过程中，热处理对薄膜晶型的影响已被广泛证实。一个显著的实例是 PVDF经高温QOO 220°C )熔融后，缓慢冷却至室温可得到α -相结晶，但如果淬冷到0°C 以下则得到β-相，而如果退火温度在160°C以上则可能得到Y-相晶体。但是由于研究者们所采用具体制备工艺的细节差异以及所选用聚偏二氟乙烯树脂原料的差别，很难得到一致的实验结果，这也说明了溶液法制备工艺的重要性。文献2“聚合物分子量对浸没沉积法制备PVDF微孔膜本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种γ－相聚偏二氟乙烯薄膜的制备方法，其特点是包括下述步骤：（ａ）将聚偏二氟乙烯树脂粉末按质量比１０％～３０％的配比溶解在极性溶剂Ｎ，Ｎ－二甲基甲酰胺中，在２０℃～６０℃温度下超声处理，得到聚偏二氟乙烯溶液；（ｂ）在０．２～０．５Ｐａ的真空度下真空祛气；（ｃ）将配制的聚偏二氟乙烯溶液滴在干净干燥的Ｎ型（１００）单晶硅片上，静置于水平台上，使溶液在张力的作用下流延至基片的边缘，在室温环境下继续静置挥发１～３ｈ，得到均匀的初始模样；（ｄ）对初始模样在３０℃～８０℃条件下结晶；（ｅ）经等温结晶后的聚偏二氟乙烯薄膜在１００℃～１５０℃温度下进行退火，得到γ－相聚偏二氟乙烯薄膜。

【技术特征摘要】
1. 一种Y-相聚偏二氟乙烯薄膜的制备方法，其特点是包括下述步骤(a)将聚偏二氟乙烯树脂粉末按质量比10% 30%的配比溶解在极性溶剂N，N-二甲基甲酰胺中，在20°C 60°C温度下超声处理，得到聚偏二氟乙烯溶液；(b)在0.2 0. 5Pa的真空度下真空祛气；(c)将配制的聚偏二氟乙烯溶液滴...

【专利技术属性】
技术研发人员：樊慧庆，惠迎雪，
申请(专利权)人：西北工业大学，
类型：发明
国别省市：87