有机ＥＬ器件制造装置及有机ＥＬ器件制造方法以及成膜装置及成膜方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供能高精密地成膜或者生产率或运转率高的有机ＥＬ器件制造装置或有机ＥＬ器件制造方法或者成膜装置或成膜方法。本发明专利技术的特征在于，从设置于真空蒸镀腔的壁上的真空隔离机构搬出上述掩模，在共有上述真空隔离机构的掩模洗净腔内对附着于上述基板上的上述蒸镀材料的堆积物照射激光而对上述掩模进行干式洗净，在洗净后使上述掩模通过真空隔离机构返回上述真空蒸镀腔，并进行上述蒸镀。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及有机EL器件制造装置及有机EL器件制造方法以及成膜装置及成膜方 法，涉及洗净掩模并蒸镀基板上的有机EL器件制造装置及有机EL器件制造方法以及成膜 装置及成膜方法。
技术介绍
作为显示器件，有机EL器件受到关注，作为制造该器件的有力的方法有真空蒸镀 法。真空蒸镀法是使用掩模来形成元件图案的方法。元件图案如下形成，在真空腔内对蒸 镀材料进行加热而使其蒸发(升华)，并且如图4所示通过设置于要蒸镀的地方上的掩模的 开口部将蒸镀材料蒸镀在显示基板上。由于在掩模的开口部以外的地方会堆积蒸镀材料， 因此在进行一定张数的成膜后进行掩模的洗净。掩模的洗净方法采用湿式洗净方式，但由于需要处理时间、使用有机材料而环境 负荷增加、在微细图案上产生损伤、蒸镀材料的回收再利用比较困难之类的理由，开发出使 用激光光源的干式洗净方式。在专利文献1中公开如下
技术实现思路
，在进行蒸镀的成膜室(真 空腔)内进行干式洗净，在掩模上粘贴使激光透过的具有粘性的薄膜，透过薄膜照射激光， 将从掩模剥离的蒸镀材料的堆积物回收到薄膜中。专利文献1 日本特开2006-0169573号公报在有机EL器件制造装置中，由少量气体的产生所引起的真空度的变动将导致显 示器件的较大的膜厚变动，对显示性能有较大影响。而且，若垃圾等粉尘附着于显示基板或 掩模上，则由于该附着部而产生显示缺陷。另外，掩模的有开口部的掩模部非常薄，因此由 于外力而容易变形，该变形对显示性能有较大影响。因而，需要尽量抑制气体和粉尘，需要防止过度的外力施加在掩模上。这些影响随 着显示基板的微细化的推进而越来越大。但是，如专利文献1所记载，若在成膜室内将激光照射在掩模和堆积物上进行干 式洗净，则产生气体而引起真空度的变动，其结果膜厚发生变化，存在精密度下降的危险。 另外，所剥离的堆积物残留在成膜室内附着于显示基板和掩模上，由于从掩模剥离粘着薄 膜而使掩模部变形，或者粘着物残留在掩模上而产生显示缺陷，存在生产率下降的危险。而 且，存在所回收的蒸镀材料中混入粘着材料等杂质的危险。另外，并没有公开例如在成膜室 内如何使掩模移动，在蒸镀的位置如何进行干式洗净的具体内容。
技术实现思路
从而，本专利技术的第一目的是提供一种能够高精密地成膜的有机EL器件制造装置 或有机EL器件制造方法或者成膜装置或成膜方法。而且，本专利技术的第二目的是提供一种生产率高的有机EL器件制造装置或有机EL 器件制造方法或者成膜装置或成膜方法。另外，本专利技术的第三目的是提供一种运转率高的有机EL器件制造装置或有机EL 器件制造方法或者成膜装置或成膜方法。为了达到上述目的中的任一个，第一特征是从设置于真空蒸镀腔的壁上的真空 隔离机构搬出上述掩模，在共有上述真空隔离机构的掩模洗净腔内对附着于上述基板上的 上述蒸镀材料的堆积物照射激光而对上述掩模进行干式洗净，在洗净后使上述掩模通过真 空隔离机构返回上述真空蒸镀腔，并进行上述蒸镀。另外，为了达到上述目的中的任一个，在第一特征的基础上，第二特征是，上述干 式洗净在真空气氛中进行。而且，为了达到上述目的中的任一个，在第二特征的基础上，第三特征是，在上述 干式洗净中降低上述真空气氛的真空度而进行。另外，为了达到上述目的中的任一个，在第一特征的基础上，第四特征是，上述干 式洗净在气体气氛中进行。而且，为了达到上述目的中的任一个，在第四特征的基础上，第五特征是，上述气 体为氮气。另外，为了达到上述目的中的任一个，在第一特征的基础上，第六特征是，上述掩 模洗净腔从上述真空蒸镀腔以外的邻接部搬出搬入上述掩模。本专利技术具有以下效果。根据本专利技术，能够提供可高精密地成膜的有机EL器件制造装置或有机EL器件制 造方法或者成膜装置或成膜方法。而且，根据本专利技术，能够提供生产率高的有机EL器件制造装置或有机EL器件制造 方法或者成膜装置或成膜方法。另外，根据本专利技术，能够提供运转率高的有机EL器件制造装置或有机EL器件制造 方法或者成膜装置或成膜方法。附图说明图1是表示本专利技术的第一实施方式的有机EL器件制造装置的图。图2是本专利技术的实施方式的搬运腔与处理腔的结构的模式图和动作说明图。图3是表示本专利技术的一个实施方式的对准部的图。图4是表示掩模的一例的图。图5是表示本专利技术的实施方式中的搬运机构的基本概念的图。图6是表示本专利技术的第一实施方式的掩模洗净腔的结构和其动作的图。图7是表示本专利技术的第二实施方式的掩模洗净腔的结构和其动作的图。图8是表示本专利技术的第二实施方式的激光室的结构和其动作的图。图9是表示本专利技术的第二实施方式的有机EL器件制造装置的图。图10是表示本专利技术的第三实施方式的掩模洗净腔的结构和其动作的图。图11是表示本专利技术的第二实施方式的有机EL器件制造装置中的掩模搬出搬入室 的结构及动作的图。图12是表示本专利技术的第三实施方式的有机EL器件制造装置的图。图13是表示降低掩模洗净腔的真空度而进行掩模的洗净的情况下的有机EL器件5制造方法流程的图。图14是表示用氮气等气体净化掩模洗净腔而进行掩模的洗净的情况下的有机EL 器件制造方法流程的图。图中1-处理腔，Ibu-真空蒸镀腔，2-搬运腔，3-激光室，4-掩模洗净室，5_掩模洗净 腔，6-基板，7-蒸镀部，8-对准部，9-处理交接部，10-闸阀，11-隔板，12-掩模搬出搬入室， 13-载入机群(load cluster)，14-交接室，15-搬运机器人，20-控制装置，30-激光光源 (脉冲激光器)，31_激光，32-电流计镜(力‘> K 7彡(galvanometer mirror))，35-激 光扫描机构，36-激光左右扫描机构，37-激光上下扫描机构，60、65_回收机构，61-带电薄 膜，66-回收流路生成机构，67-回收辅助流路形成机构，71-蒸发源，81-掩模，81k-掩模下 部固定部81k (固定部)，87-掩模保持部，100、200-有机EL器件制造装置，A D-机群。具体实施方式使用图1至图8说明本专利技术的有机EL器件制造装置的第一实施方式。有机EL器 件制造装置并不是仅仅形成发光材料层(EL层)并用电极夹住的结构，而是在阳极之上形 成空穴注入层和输送层，在阴极之上形成电子注入层和输送层等，形成各种材料成为薄膜 的多层结构，并洗净基板。图1是表示该制造装置的一例的图。本实施方式的有机EL器件制造装置100大致包括搬入处理对象的基板6的载入 机群13 ；处理基板6的四个机群A D ；以及在各机群之间或者机群与载入机群13或下一 工序之间设置的五个交接室14。在本实施方式中，将基板的蒸镀面作为上面而搬运，在进行 蒸镀时立起基板后进行蒸镀。载入机群13包括在前后具有闸阀10以维持真空的载入锁定室13R ；以及从载入 锁定室13R接受基板，然后旋转并将基板6搬入交接室1 的搬运机器人15R。各载入锁定 室13R及各交接室14在前后具有闸阀10，控制该闸阀10的开闭而维持真空的同时向载入 机群13或下一个机群等交接基板。各机群A D具有具有一台搬运机器人15的搬运腔2 ；以及从搬运机器人15接 受基板，并进行规定的处理的在图面上上下配置的两个处理腔1 (第一后标a d表示机 群，第二后标u、d表示图中的上侧下侧)。在搬运腔2与处理腔1之间设有闸阀10。处理腔本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种成膜装置，在真空腔内进行基板与掩模的对准，具有将蒸镀材料蒸镀在上述基板上的真空蒸镀腔，其特征在于，具有：对附着于上述基板上的上述蒸镀材料的堆积物照射激光并对上述掩模进行干式洗净的掩模洗净室；设置在上述真空蒸镀腔与上述掩模洗净室的连接部上的真空隔离机构；以及在上述真空蒸镀腔与上述掩模洗净室之间通过上述真空隔离机构搬运上述掩模的搬运机构。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：弓场贤治，片桐贤司，井崎良，片冈文雄，
申请(专利权)人：株式会社日立高新技术，
类型：发明
国别省市：JP[日本]