用于制造端子结构的方法和用于制造电子器件的方法技术

用于制造端子结构的方法和用于制造电子器件的方法，为了提供用于使用除激光束照射之外的手段在暴露端子部分（用绝缘膜密封）的步骤中在该绝缘膜（其通过固化包括增强材料的半固化片而获得）中高准确度地形成开口的方法。突出物使用导体形成。包括增强材料的未固化的半固化片紧密贴附到该突出物并且该半固化片固化，使得包括该增强材料的绝缘膜形成。该绝缘膜的顶面的一部分由于该突出物而突出。该突出部分连同增强材料通过研磨处理等优先去除以在绝缘膜中形成开口，使得暴露突出物的开口在绝缘膜中形成。

【技术实现步骤摘要】

在本说明书中，将描述包括用绝缘膜覆盖的导体的端子结构。此外，还将描述提供 有具有这样的结构的端子的电子器件。
技术介绍
通过固化包括增强材料(例如玻璃纤维或玻璃填充料等)的半固化片(prepreg) 形成的树脂层应用于印刷线路板、电子器件或其类似物的支撑体、绝缘膜、保护材料或其类 似物(例如，参见专利文件1至4)。由于形成多层布线，穿透使用半固化片形成的树脂层的 开口在该层中形成以便与外部形成电连接部分。例如，专利文件1公开印刷线路板的绝缘层使用半固化片形成并且在该绝缘层中 的开口用激光处理、钻孔或冲孔形成。专利文件2和3公开开口通过执行激光束照射步骤或光学光刻步骤在固化的半固 化片中形成以便形成用固化的半固化片密封的电子器件的连接端子。专利文件4公开电子部件的支撑体使用半固化片形成并且形成树脂层，其中电子 部件和电连接到该电子部件的导体嵌入其中并且研磨该树脂层的表面以便暴露该导体。参考文献日本公布的专利申请No. 2007-091822日本公布的专利申请No. 2008-257710日本公布的专利申请No. 2008-262547日本公布的专利申请No. 2002-29000
技术实现思路
通过使用包括增强材料的半固化片作为密封膜，电子元件可以用包括该增强材料 的树脂膜密封；因此，电子元件的强度可以增加。同时，在开口在密封膜中形成以便暴露电 子元件的抽取端子的情况下，增强材料还需要与树脂膜一起被去除。当开口在树脂膜中形 成时增强材料是麻烦的。如在专利文件1中公开的，开口用钻孔、冲孔和用激光束的处理在使用半固化片 形成的树脂膜中形成。对于在电子元件用其密封的树脂层中开口的形成，钻孔处理和冲孔 处理是不合适的。采用用激光束的处理以便不损伤电子元件。然而，使用激光束形成开口的步骤耗费许多时间并且需要技术，因为难以确定树 脂膜和增强材料是否都去除。从而，取决于操作者的技术，树脂膜和/或增强材料可能去除 不充分，从而在开口中暴露的区域的面积可能变化。因此，通过开口电连接的两个导体的连 接电阻值变化，其使得难以制造具有具备设计值的电特性的电气元件。另外，在采用使用激光束形成开口的步骤的情况下，对电子元件的机械冲击与钻 孔或冲孔比较是小的；然而，电子元件的性能因激光束的能量而降低的可能性不能完全消 除。在本专利技术的专利技术者的研究中，发现具有小尺寸的电子元件和用低电压驱动的高性能电子元件的特性在一些情况下由于在密封层中形成开口的步骤中的激光束照射而降低。在本说明书中的技术目的是提供用于使用除激光束照射之外的手段在通过固化 包括增强材料的半固化片形成的绝缘膜中高准确度地形成开口的方法。根据本专利技术的实施例，用于制造端子结构的方法包括在绝缘表面上形成使用导体 形成的突出物，紧密地贴附包括增强材料的半固化片到绝缘表面和突出物的表面以形成半 固化片的顶面的一部分(其由于该突出物而突出)，固化紧密贴附到绝缘表面和突出物的 表面的半固化片以形成包括增强材料的绝缘膜，并且去除绝缘膜的顶面的突出部分连同增 强材料以在绝缘膜中形成开口。注意突出物的一部分可在形成开口的步骤中去除。根据该实施例，开口可以使用除激光束照射之外的手段在通过固化包括增强材料 的半固化片形成的绝缘膜中高准确度地容易地形成。这是因为根据该实施例，开口形成的 位置可以根据突出物形成的位置采用自对准的方式确定，并且开口形成的位置的准确度可 以通过突出物形成的位置的准确度确保并且开口的形状和尺寸可以通过改变突出物的高 度和形状控制。因此，在形成开口的步骤中，像执行激光束照射的位置的确定等的高度准确 对准是不需要的。通过研磨包括增强材料的绝缘膜，开口可以在绝缘膜中形成。如上文描述的，开口 可以采用自对准方式在绝缘膜中形成。因此，通过在平行于水平表面的方向上简单地研磨 绝缘膜，开口可以采用自对准方式在绝缘膜中形成。在根据上文的实施例的制造方法中，绝缘膜可通过固化代替包括增强材料的半固 化片的不包括增强材料的未固化树脂膜形成。在该情况下，上文的有利效果也可以获得。作 为增强材料，可以使用纤维片。在开口形成后，可形成紧密贴附到突出物的导体。根据本专利技术的实施例，用于制造电子器件的方法包括在第一绝缘膜上形成电连接 到电子元件中的至少一个的导电突出物，紧密地贴附包括增强材料的半固化片到第一绝缘 膜的顶面和突出物的表面以形成半固化片的顶面的一部分(其由于该突出物而突出)，固 化紧密贴附到第一绝缘膜的顶面和突出物的表面的半固化片以形成包括增强材料的第二 绝缘膜，并且去除第二绝缘膜的顶面的突出部分连同增强材料以在第二绝缘膜中形成开 口。注意突出物的一部分可在形成开口的步骤中去除。从而，根据上文的实施例，如上文描述的，在用于制造电子器件的方法中，开口可 以使用除激光束照射之外的手段在通过固化包括增强材料的半固化片形成的绝缘膜中高 准确度地容易地形成。根据上文的实施例，在用于制造电子器件的方法中，纤维片可以用作增强材料。在 开口形成后，可形成紧密贴附到突出物的导体。第二绝缘膜可通过固化不包括增强材料的 未固化树脂膜形成。根据上文的实施例，在用于制造电子器件的方法中，在电子元件提供在当电子元 件形成时使用的衬底上的情况下，可执行将衬底与电子元件分离的步骤。例如，优选地在第 二绝缘膜形成后对用第二绝缘膜密封的电子元件进行该步骤。在该情况下，衬底可在开口 在第二绝缘膜中形成前或后分离。根据本专利技术的实施例，在用于制造电子器件的方法中，开口在包括增强材料的绝 缘膜(固化的半固化片)中形成的位置的准确度采用自对准方式通过突出物形成的位置的 准确度确保并且开口的形状和尺寸可以通过改变突出物的高度和形状控制。因此，通过应用该实施例，开口可以使用除激光束照射之外的手段在包括增强材料的绝缘膜中高准确度 地容易地形成。附图说明图1A至1D是图示根据本专利技术的一个实施例用于制造电子器件的方法的示例的剖 视图。图2A至2D是图示跟在图ID中的步骤后面的步骤的示例的剖视图。图3是图示在绝缘膜中形成开口的步骤(在图2B中的步骤)的另一个结构示例 的剖视图。图4A和4B是图示跟在图2B中的步骤后面的步骤的示例的剖视图。图5A至5C是图示跟在图2B中的步骤后面的步骤的示例的剖视图。图6是图示在绝缘膜中形成开口的步骤中使用的研磨机的结构的示例的视图。图7是图示在绝缘膜中形成开口的步骤中使用的研磨机的结构的示例的视图。图8A是图示在图IC中施加于半固化片的片状纤维体的结构的示例的平面图，并 且图8B是沿在图8A中的线A1-A2获取的剖视图。图9是图示在图IC中施加于半固化片的片状纤维体的结构的示例的平面图。图10是图示在图IC中施加于半固化片的片状纤维体的结构的示例的平面图。图11是图示根据本专利技术的一个实施例的电子器件的结构的示例的框图。图12是图示根据本专利技术的一个实施例的电子器件的结构的示例的框图。图13是图示根据本专利技术的一个实施例的电子器件的结构的示例的框图。图14A至14D是图示根据本专利技术的一个实施例用于制造电子器件的方法的示例的 剖视图。图15A至15D是图示跟在图14D中的步骤后面的步骤的示例的剖视图。图16A至16C是图示跟在图15D中的步骤后面的步骤的示例的剖视图。图17A和17B是图示跟在图16C中的步骤后面本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于制造端子结构的方法，其包括步骤：在绝缘表面上形成使用导体形成的突出物；贴附包括增强材料的半固化片到所述绝缘表面和所述突出物的表面以形成所述半固化片的顶面的一部分，其由于所述突出物而突出；固化贴附到所述绝缘表面和所述突出物的表面的所述半固化片以形成包括所述增强材料的绝缘膜；以及去除所述绝缘膜的顶面的突出部分连同所述增强材料以在所述绝缘膜中形成开口。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：滨谷敏次，福留贵浩，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]