【技术实现步骤摘要】
本技术属于晶体生长设备
，具体涉及一种勾型磁场单晶炉用炉室抓取提升旋转装置。
技术介绍
硅晶体生长目前正朝着高纯度，高完整性，高均匀性和大直径方向发展，集成电路特别是极大规模集成电路（60-95nm）对晶体质量有严格的要求。材料中的有害杂质及其不均匀性以及掺杂剂分布的不均匀性是制约单晶质量的主要因素之一,它们会引起材料的光学、电学性能的不均匀性,最终损害半导体器件的光、电学性能。这就要求减少单晶材料的缺陷、杂质含量,提高氧、碳等杂质以及掺杂剂在晶体中分布的均匀性。晶体生长设备是一种真空高温熔炼设备，为满足大尺寸（12英寸IC级）用硅单晶生长，在现有晶体生长设备中增加了勾型磁场装置，由于所增加的勾型磁场结构安装在主炉室外侧，对装热系统及多晶硅原料的主炉室的开合造成了影响，操作变得非常困难，因此设计一种抓取提升旋转装置，能够适应主炉室的开合，成为一道必需解决的技术问题。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种勾型磁场单晶炉用炉室抓取提升旋转装置，解决了配有勾型磁场结构的大直径单晶炉主炉室开合困难的问题。本技术所采用的技术方案是，一种勾型磁场单晶炉用炉室抓取提升旋转装...
【技术保护点】
一种勾型磁场单晶炉用炉室抓取提升旋转装置，其特征在于，包括竖直设立的油缸（５），油缸（５）的活塞杆上安装有支臂（４），支臂（４）能够转动到主炉室（１）的上方，支臂（４）包括对称的多根悬臂构成，每个悬臂的外端头设置有一个气缸（３）和抓取摇臂（２），抓取摇臂（２）的中部铰接在悬臂中，气缸（３）与抓取摇臂（２）的一端连接，抓取摇臂（２）的另一端为勾爪。
【技术特征摘要】
1.一种勾型磁场单晶炉用炉室抓取提升旋转装置，其特征在于，包括竖直设立的油缸（5），油缸（5）的活塞杆上安装有支臂（4），支臂（4）能够转动到主炉室（1）的上方，支臂（4）包括对称的多根悬臂构成，每个悬臂的外端头设置有一个气缸（3）和抓取摇臂（2），抓取摇臂（2）的中部铰接在悬臂中，...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨润，蒋剑，吴世海，
申请(专利权)人：西安理工大学，
类型：实用新型
国别省市：87[中国|西安]
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