一种晶体生长的保温装置制造方法及图纸

技术编号:6219228 阅读:162 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
一种晶体生长的保温装置,所述晶体生长的保温装置包括,一保温部分,所述保温装置包括附着有锆毡的石英筒及锆筒,所述锆筒中可放置坩埚,且所述石英筒与锆筒之间设有锆砂层;一支撑部份,所述支撑部分支撑保温装置,所述支撑部分包括支撑锆筒及支撑锆筒上的锆托盘;一锆屏蔽层,所述锆屏蔽层位于保温装置上方;一观察孔,所述观察孔与保温部分相连通,保温性能更好,温场稳定,适合大尺寸晶体生长。(*该技术在2020年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种晶体生长的保温装置,特指一种Nd:YAG晶体生长的保温装置。
技术介绍
Nd:YAG晶体是固体激光器的核心元件,Nd:YAG晶体的光学均匀性决定固体激光器品质的优劣。为了获得光学均匀性好的晶体,一是增加坩埚的尺寸,国内一般的坩埚尺寸是最大的坩埚的尺寸是国外最大坩埚的尺寸是二是减小析晶率,的坩埚只能生长2英寸的晶体,其析晶率为40%,的坩埚只能生长3英寸的晶体,其析晶率为26%,的坩埚生长4英寸的晶体,其析晶率为18%,国内的析晶率一般在26%~40%。但是大直径晶体毛坯的生长对各方面的条件是很苛刻的,一是对设备的依赖性很强,要求中频电源,单晶炉的旋转提拉以及温控器能稳定运行,对控制精度提出了很高的要求;二是必须有一套适合大直径晶体生长的保温装置;三是要有与之相适应的生产工艺。这套保温装置决定着生长大直径晶体的温场,其中包括空间和溶体的径向梯度和轴向梯度;决定着生长大直径晶体的成功率和质量,如果保温装置的尺寸不合适,所生长的晶体很容易开裂,很难生长出大尺寸的晶体。
技术实现思路
针对现有技术中存在的缺陷,本技术的目的在于提供一种,适合大尺寸晶体生长,晶体不容易开裂,成功率高,质量好的晶体生长保温装置。为达到以上目的,本技术采取的技术方案是:一种晶体生长的保温装置,所述晶体生长的保温装置包括,一保温部分,所述保温装置包括附着有锆毡的石英筒及锆筒,所述锆筒中可放置坩埚,且所述石英筒与锆筒之间设有锆砂层;一支撑部份,所述支撑部分支撑保温装置,所述支撑部分包括支撑锆筒及支撑锆筒上的锆托盘;一锆屏蔽层,所述锆屏蔽层位于保温装置上方;一观察孔,所述观察孔与保温部分相连通。在上述技术方案的基础上,所述石英筒的厚度为10毫米,直径为350毫米。在上述技术方案的基础上,所述锆筒内设有第一锆盘,所述第一锆盘位于锆筒底部。在上述技术方案的基础上,所述锆筒下设有支撑锆筒的第二锆盘。在上述技术方案的基础上,所述第一锆盘及第二锆盘之间设有锆砂层。在上述技术方案的基础上,所述锆托盘与第二锆盘之间设有锆砂层。在上述技术方案的基础上,所述锆屏蔽层分为锆屏蔽上层及锆屏蔽下层。在上述技术方案的基础上,所述观察孔分观察孔上层及观察孔下层。本技术的有益效果在于:保温部分包括石英筒和锆筒,并且石英筒和锆筒之间设置锆砂层,进一步增强了保温效果,并且在坩埚和锆筒下方分别设置了第一及第二锆盘,增强了保温系统的稳定性,使温场更加稳定,可以适应大晶体的生长,降低了晶体开裂-->的几率,降低了晶体产生结构缺陷的几率。附图说明图1是本技术晶体生长的保温装置截面示意图。具体实施方式以下结合附图对本技术作进一步详细说明。如图1所示,本技术晶体生长的保温装置包括保温部分,支撑保温部分的支撑部分,在保温部分上方的屏蔽层及观察晶体的观察孔。保温部分包括附着有锆毡的石英筒1及锆筒2,所述锆筒2中可放置坩埚,且所述石英筒与锆筒2之间设有锆砂层;石英筒1厚度10mm,直径350mm。石英筒1上附着有锆毡,锆毡的作用是起保温作用同时起保护石英筒1的作用。锆筒2内的空间为放置坩埚的空间,(坩埚未图示)。所述石英筒1与锆筒2之间的锆砂层为第一锆砂层12,其起到在侧向上保温的作用。锆筒2内的下端设有第一锆盘3,第一锆盘3用于支撑坩埚。第一锆盘3下方还设有第二锆盘4,第二锆盘4支撑在锆筒2下,起到稳定锆筒2的作用。同时,第一锆盘3与第二锆盘4之间也设有锆砂层,其为第二锆砂层11,第二锆砂层11除了起保温作用外,还起调整坩埚底部第一锆盘3高低和平整度的作用。避免因坩埚歪斜或下沉而造成温场改变。支撑部分包括支撑锆筒6和锆托盘5,支撑锆筒6在支撑保温部分的同时也起到保温的作用。保温部分的上方设有锆屏蔽层,作用是构成空间梯度的保温层,有轴向梯度和径向梯度,这决定着空间的温度分布,避免晶体在生长中开裂,锆屏蔽层分上屏蔽层8和下屏蔽层7,由于增加了锆屏蔽层的高度,从而减小了轴向梯度,使晶体在生长中开裂的几率减小。观察孔的作用是便于工作人员掌握坩埚内晶体生长情况,以便控制晶体生长。同时,观察孔也包括上观察孔10及下观察孔9,增加了观察孔的高度,也进一步减小了轴向梯度,避免晶体开裂。-->本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶体生长的保温装置,其特征在于:所述晶体生长的保温装置包括,  一保温部分,所述保温装置包括附着有锆毡的石英筒及锆筒,所述锆筒中可放置坩埚,且所述石英筒与锆筒之间设有锆砂层;  一支撑部份,所述支撑部分支撑保温装置,所述支撑部分包括支撑锆筒及支撑锆筒上的锆托盘;  一锆屏蔽层,所述锆屏蔽层位于保温装置上方;  一观察孔,所述观察孔与保温部分相连通。

【技术特征摘要】
1.一种晶体生长的保温装置,其特征在于:所述晶体生长的保温装置包括,一保温部分,所述保温装置包括附着有锆毡的石英筒及锆筒,所述锆筒中可放置坩埚,且所述石英筒与锆筒之间设有锆砂层;一支撑部份,所述支撑部分支撑保温装置,所述支撑部分包括支撑锆筒及支撑锆筒上的锆托盘;一锆屏蔽层,所述锆屏蔽层位于保温装置上方;一观察孔,所述观察孔与保温部分相连通。2.如权利要求1所述晶体生长的保温装置,其特征在于:所述石英筒的厚度为10毫米,直径为350毫米。3.如权利要求1所述晶体生长的保温装置,其特征在于:...

【专利技术属性】
技术研发人员:武南平
申请(专利权)人:黄石市晶立科技有限公司
类型:实用新型
国别省市:42[中国|湖北]

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