电平移位电路及使用该电路的驱动器和显示装置制造方法及图纸

技术编号:6309237 阅读:217 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
一种电平移位电路及使用该电路的驱动器和显示装置,具有:第一电路,连接在供给第一电压的第一供电端子和电平移位电路的输出端子之间,导通时使输出端子为第一电压;第二电路,连接在输出端子和供给第二电压的第二供电端子之间,导通时使输出端子为第二电压;第三电路,输入了输出信号的反馈信号,当反馈信号表示输出端子是对应于第二电压的值,并且电平移位电路的输入信号是对应于第三电压的值时,使第一电路导通,当表示输出端子是对应于第一电压的值时,使第一电路不导通,第二电路在输入信号的倒相信号是对应于第三电压的值时导通,在倒相信号是对应于第四电压的值时不导通。其中,第二电压≤第四电压<第三电压<第一电压。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种电平移位电路及使用该电路的驱动器和显示装置
技术介绍
近来,在显示装置领域开发了应用液晶显示装置和有机EL元件的显示器等应用 多种显示器件的显示器。对于这些显示装置,倾向于要求高画质化(多灰度化)并提高扫 描信号和灰度信号的电压振幅。因此,要求驱动显示面板的扫描线的行驱动器、以及利用灰 度信号来驱动显示面板的数据线的列驱动器的各输出部高电压化。另一方面,从显示控制器提供至行驱动器(扫描驱动器)以及列驱动器(数据 驱动器)的各种控制信号以及图像数据信号要求利用少的布线数来实现高速传送、低 EMI (Electromagnetic Interference 电磁干扰)等,这些信号正在低振幅化。另外,在行 驱动器以及列驱动器内部,还要抑制处理随着高精细化、多灰度化而增加的数据量的逻辑 电路的面积增大(高成本化),因此采用微细工艺,与此相伴,逻辑电路的电源电压存在低 电压化的趋势。即,要求行驱动器以及列驱动器在输入部低电压化,在输出部高电压化。因此,在将输入部的低电压信号变换为输出部的高电压信号的电平移位电路中, 必须将低振幅信号高速地变换为高振幅信号。作为将低振幅信号高速地电平变换为高振幅信号的结构,例如,专利文献1中公 开了如图11所示的结构,该结构具有第一转换器100、第二转换器200以及锁存部300,其 中,第一转换器100具有电平转换部110,其根据输入信号输出保持有与所述输入信号的 电平不同的电平的电平变换信号;延迟部120,其使来自电平转换部110的电平变换信号延 迟设定的延迟;自重置(Self reset)部130,其根据延迟部120所延迟的电平变化信号生 成重置信号,并通过将该重置信号提供至电平转换部110,将输出的电平变换信号的脉冲宽 度设定成所述设定的延迟和内部动作延迟的和,第二转换器200具有电平转换部210、延迟 部220及自重置部230 (图11引自专利文献1的图6)。在图11中,在对第一转换器100施加如图12 (图12引自专利文献1的图9)的波 形Apos那样的输入信号DOU的情况下,输出如标号Al所示与波形Apos的上升沿对应的、 如图12的波形B那样的命名为DOUO的第一变换信号B。通过增减构成延迟部120的倒相 器的个数来增大或减小第一变换信号B的脉冲宽度D1。锁存部300内的pMOS晶体管331 在波形B过渡至Low电平时导通。作为第二电源电压的VDDQ的High电平施加至构成锁存 器L2的倒相器333的输入端,倒相器333进行倒相动作,并通过命名为DOUT的输出端输出 如图12的波形D所示那样的Low电平的信号。即便pMOS晶体管331由于波形B恢复成 High电平而被截止,也可以通过锁存器L2的锁存动作继续维持Low电平的信号。在锁存器 L2设置为输出Low电平的信号的情况下,在通过nMOS晶体管332的导通动作来重置为止 维持设置动作。参照图12的波形D,当波形Apos达到High电平时,波形D立即过渡至Low 电平,因此输出信号高速地响应输入信号的上升沿。在对第二转换器200施加如图12的波 形Aneg那样的输入信号DOD的情况下,输出如标号A2所示与波形Aneg的上升沿对应的如图12的波形C那样的命名为DOUO的第二变换信号C。锁存部300内的nMOS晶体管332在 波形C过渡至High电平时导通。因此,构成锁存器L2的倒相器333的输入端变为Low电 平并重置锁存器L2。通过倒相器333的动作,在命名为DODT的输出端输出如图12的波形 D所示那样的High电平的信号。即便nMOS晶体管332被截止,也可以通过锁存器L2的锁 存动作继续维持High电平的信号。在锁存器L2重置为输出High电平的信号的情况下,在 PMOS晶体管331的导通动作出现为止维持重置动作。参照图12的波形D,作为单端信号输 出的输出信号DOUT保持了与差动输入信号D0U、D0D的脉冲宽度一致的脉冲宽度,具有使得 电平变换所需的全部延迟时间T1+T2最小化而进行高速响应的特性。专利文献1 日本特开2003-152526号公报(其图6、图9)下面给出本专利技术对关联技术的分析结果。在参照图11、图12说明的电平移位电路中,虽然能够使电平变换高速化,但存在 自重置部含有多个元件等电路复杂、元件数量大、省面积化困难的问题。
技术实现思路
因此,本专利技术的目的在于提供一种电平移位电路,通过使电路结构简单化来抑制 元件数量的增大,并将低振幅的输入信号高速地变换为高振幅信号。另外,本专利技术的其它目的在于提供一种驱动器及具有该驱动器的显示装置,在需 要多个电平移位电路的多输出驱动器中实现高速动作并实现低功耗及节省面积(低成 本)。为解决上述问题,本申请所公开的专利技术大致包括以下结构。根据本专利技术的一个侧面(方面),提供一种电平移位电路,具有第一电路,其连接 在供给第一电压的第一供电端子和输出端子之间,在导通时使所述输出端子成为所述第一 电压;第二电路,其连接在供给第二电压的第二供电端子和所述输出端子之间,在导通时使 所述输出端子成为所述第二电压;第三电路,其中输入所述输出端子的输出信号经由反馈 路径反馈的反馈信号,当所述反馈信号表示所述输出端子的输出信号是与所述第二电压对 应的值,并且当所述输入信号是与第三电压对应的值时,使所述第一电路导通,当所述反馈 信号表示所述输出端子的输出信号是与所述第一电压对应的值时,不依赖于所述输入信号 的值而进行使所述第一电路不导通的控制,所述第二电路在所述输入信号是与第四电压对 应的值时导通,在所述输入信号是与第三电压对应的值时不导通,所述第二电压相对于所 述第一电压的高低和所述第四电压相对于所述第三电压的高低的关系相同,并且,将所述 第三电压和所述第四电压作为振幅范围的所述输入信号的振幅低于将所述第一电压和所 述第二电压作为振幅范围的所述输出信号的振幅。在本专利技术中,在所述反馈路径中具有第一延迟电路,该第一延迟电路接收所述输 出端子的输出信号并以反相方式延迟了的信号作为所述反馈信号提供至所述第三电路。在本专利技术的另一侧面中,具有第二延迟电路,其将所述输出端子的所述输出信号 以同相方式延迟,所述第二电路在所述输入信号为与所述第四电压对应的值,并且在所述 第二延迟电路的输出为与所述第一电压对应的值时导通,所述第二电路在所述输入信号为 与所述第三电压对应的值时,或者在所述第二延迟电路的输出为与所述第二电压对应的值 时不导通。专利技术效果根据本专利技术,能够将低振幅的输入信号高速地变换为高振幅信号。另外,根据本专利技术的其它侧面,对于输入信号的波形钝化等,能够抑制占空比变 差,并能抑制贯通电流。根据本专利技术,在需要多个电平移位电路的多输出驱动器及具有该驱动器的显示装 置中,实现了高速动作、低功耗和节省面积(低成本)。附图说明图1是示出本专利技术第--实施例的结构的图。图2是示出本专利技术第--实施例的定时动作的--个例子的图。图3是示出本专利技术第二二实施例的结构的图。图4是示出本专利技术第三Ξ实施例的结构的图。图5是示出本专利技术第三Ξ实施例的定时动作的--个例子的图。图6是示出本专利技术第四实施例的结构的图。图7是示出本专利技术第五实施例的结构的图。图8是示出本专利技术第--实施例的定时动作的--个例本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种电平移位电路,其特征在于,具有:输入端子;输出端子;第一供电端子,供给第一电压;第二供电端子,供给第二电压;第一晶体管至第三晶体管,在所述第一供电端子和所述第二供电端子之间以串联方式连接;第四晶体管及第五晶体管,在所述第一供电端子和所述第二供电端子之间以串联方式连接;以及第一延迟电路,其输入连接至所述第四晶体管及第五晶体管的连接节点,并输出与输入的信号反相的延迟信号,所述第四晶体管及第五晶体管的连接节点连接至所述输出端子,第二晶体管及第三晶体管中的一个晶体管的控制端子与所述第一晶体管的控制端子共同连接至所述第一延迟电路的输出,向所述第二晶体管及第三晶体管中的另一个晶体管的控制端子输入将由所述输入端子接收的第三电压、第四电压作为振幅范围的输入信号,所述第一晶体管和所述第二晶体管的连接节点连接至所述第四晶体管的控制端子,向所述第五晶体管的控制端子输入所述输入信号的互补信号,所述第一晶体管及所述第四晶体管为第一导电类型,所述第二晶体管、所述第三晶体管及所述第五晶体管为第二导电类型,所述电平移位电路还具有第一电压保持电路,将所述第一晶体管及第二晶体管的连接节点与所述第四晶体管的控制端子所连接的连接节点的电压控制为保持所述第一电压,所述第二电压相对于所述第一电压的高低和所述第四电压相对于所述第三电压的高低的关系相同,并且,将所述第三电压和所述第四电压作为振幅范围的所述输入信号的振幅低于将所述第一电压和所述第二电压作为振幅范围的所述输出信号的振幅。...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:土弘
申请(专利权)人:瑞萨电子株式会社
类型:发明
国别省市:JP[日本]

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