【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及掺杂的块状单晶含镓氮化物的获得方法和由此获得的氮化物。所述氮 化物特别用于电子工业以制造衬底以及电子器件和光电器件。本专利技术还涉及由掺杂的块状 单晶含镓氮化物制成的衬底以及在该衬底上制造的器件，特别是电子器件和光电器件。
技术介绍
本领域中已知多种获得含镓氮化物、特别是氮化镓的方法。具体而言，在此应 当提及的是外延方法，例如MOCVD(金属-有机化学气相沉积)、HVPE(氢化物气相外 延)或MBE(分子束外延)方法、熔体结晶方法和升华方法，HNP (高氮压)方法或者-最后但并非最不重要的是-在氮气氛下由熔融的镓-碱金属合金生 长的方法(所谓的 FLUX 方法)。但是，这些方法中没有一种是完全令人满意的，因为它们不允许获得 期望的尺寸、质量和/或性质的晶体，或者它们的效率和工业适用性有限。已公布的专利申请W002101120披露了一种通过由超临界的含氨溶液在晶种上选 择性结晶来获得块状单晶含镓氮化物的方法。该方法能够获得大尺寸并且结晶质量非常高 的块状氮化物单晶。公报W02004053206、W02006057463和已公布的波兰专利申请P-371...
【技术保护点】
一种获得块状单晶含镓氮化物的方法，其包括单晶含镓氮化物从含有Ⅰ族金属离子和受主掺杂剂离子的超临界含氨溶液中晶种结晶的步骤，其中在工艺条件下，所述受主掺杂剂离子与超临界含氨溶剂的摩尔比为至少０．０００１，所述方法的特征在于，在所述晶种结晶的步骤之后，所述方法还包括使所述氮化物在９５０℃～１２００℃、优选９５０℃～１１５０℃的温度下退火的步骤。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：罗伯特托马什德维林斯基，罗曼马雷克多拉津斯基，莱谢克彼得西尔兹普托夫斯基，耶日加尔钦斯基，马里乌什鲁津斯基，
申请(专利权)人：阿莫诺公司，
类型：发明
国别省市：PL[波兰]
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