半导体结构及其制作方法技术

本发明专利技术涉及半导体领域，公开了一种半导体结构及其制作方法。本发明专利技术中，电场限制环为三个环一组，位于中心的电场限制环与基底掺杂类型相反，两边电场限制环与基底掺杂类型相同；三个环具有指定浓度特征和深度特征；三个环相连构成一组，每组环间隔距离固定且该距离具有指定特征，从而能够更好地控制半导体结构的性能，有更好的结构稳定性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体领域，特别涉及半导体结构及其制造工艺。
技术介绍
半导体器体的尺寸是有限的，在从晶片上切割时，边缘上的晶格结构会被破坏。对于功率器件，如果被破坏的晶格与需要承受高压的结(junction)有关，就会导至较高的漏电流，从而降低击穿电压和稳定性。这个问题可以通过在功率器件的边缘制造特殊的半导体结构来解决，从而使高压结的耗尽区(depletion regions)不与有晶格缺陷的切割带相交。这种半导体结构被称为终端结构(Edge Termination)。常见的半导体结构包括电场限制环(Field Limiting Ring)和电场极板(Field Plate)。目前关于承受大电压半导体结构已经有比较完整的理论，如B.Jayant Baliga著的《Semiconductor Power Devices》(中文译为《半导体功率器件》)第3章第6节(1995年版)。该书中提出的一种等宽和等间隔的多电场限制环半导体结构如图1所示。该书中提出的一种电场极板的半导体结构如图2所示。工业界也有不少根据以上原理实现的高耐压半导体结构的专利技术，如德国的专利技术专利DE197411本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种半导体结构，其特征在于，包括半导体基底和该半导体基底表面上至少两组重复依次排列的单元；其中，每组单元包含：位于所述半导体基底表面的紧连的三个电场限制环，其中位于中间的电场限制环与半导体基底掺杂类型相反，位于两边的两个电场限制环与半导体基底掺杂类型相同。

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括半导体基底和该半导体基底表面上至少两组重复依次排列的单元；其中，每组单元包含：位于所述半导体基底表面的紧连的三个电场限制环，其中位于中间的电场限制环与半导体基底掺杂类型相反，位于两边的两个电场限制环与半导体基底掺杂类型相同。2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，相邻的电场限制环之间的间隔距离是固定的。3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，相邻的电场限制环之间的间隔距离在100到300微米之间。4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述位于中间的电场限制环的掺杂浓度高于所述位于两边的两个电场限制环的掺杂浓度；所述位于两边的两个电场限制环中，靠近元胞区的电场限制环的掺杂浓度高于远离元胞区的电场限制环的掺杂浓度。5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述位于中间的电场限制环的掺杂浓度为1017/cm3到1019/cm3；所述靠近元胞区的电场限制环的掺杂浓度为1016/cm3到1018/cm3；所述远离元胞区的电场限制环的掺杂浓度为1015/cm3到1017/cm3；所述位于中间的电场限制环与半导体基底形成的PN结边界距离半导体基底表面为3微米到10微米；所述靠近元胞区的电场限制环从表面到其掺杂浓度降至半导体基底掺杂浓度的距离为1微米到5微米；所述远离元胞区的电场限制环从表面到其掺杂浓度降至半导体基底掺杂浓度的距离为2微米到6微米；所述三个电场限制环各自的宽度范围在20微米到100微米之间。6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体结构，其特征在于，所述每组单元还包含：位于所述半导体基底表面上方的两个电场极板，这两个电场极板到所述半导体基底表面的平均距离不同；以及位于所述两个电场极板和所述半导体基底表面之间的隔离层。7.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，每个所述电场极板包括：位于两端的两个平行于所述半导体基底表面的平面，和位于中间连接这两个平面的一个斜面；对于离所述半导体基底表面的平均距离远的电场极板，其中斜面与所述半导体基底表面的夹角在40度至60度之间；对于离所述半导体基底表面的平均距离近的电场极板，其中斜面与所述半导...

【专利技术属性】
技术研发人员：张文杰，黄健，马正焜，邹世昌，
申请(专利权)人：上海卓骋电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]