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本发明涉及半导体领域，公开了一种半导体结构及其制作方法。本发明中，电场限制环为三个环一组，位于中心的电场限制环与基底掺杂类型相反，两边电场限制环与基底掺杂类型相同；三个环具有指定浓度特征和深度特征；三个环相连构成一组，每组环间隔距离固定且该...
该专利属于上海卓骋电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海卓骋电子科技有限公司授权不得商用。

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