【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体器件制造，特别涉及有多个连接层的半导体结构的制造方法。
技术介绍
半导体器件(semiconductor device)是利用半导体材料特殊电特性来完成特定 功能的电子器件。通常，这些半导体材料是硅、锗或砷化镓，可用作整流器、振荡器、发光器、 放大器、测光器等器材。绝缘栅双极型晶体管Gnsulated Gate Bipolar Transistor，简称“ IGBT”)和金 属氧化物半导体场效应晶体管(Metal Oxide Semiconductor Field EffectTransistor，简 称“M0SFET”)是两种常用的半导体器体，属于垂直型半导体器件。垂直型半导体器件中具 有如图1所示的半导体结构。下面对该半导体结构进行介绍区域1为核心结构，通常是硅，也可以是其他半导体材料，如锗或锗与硅的化合物 等；其中IA为P型或N型掺杂区域，厚度通常为100纳米到10微米，表面掺杂浓度为IO15 IO2Vcm3 ；IB为低掺杂的漂移区，厚度为1微米到1毫米，掺杂浓度为IO12 IO1Vcm3 ；IC为 表面元胞，可以是金属-氧化物-半...
【技术保护点】
１．一种高性能半导体结构的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：以半导体材料生成核心结构；依次生成将所述核心结构连接到外部的Ｎ个连接层，其中，第１个连接层紧靠所述核心结构，第Ｎ个连接层离所述核心结构最远，第Ｎ个连接层采用抗氧化性的材料，Ｎ为正整数；对所述核心结构和Ｎ个连接层的组合体进行热处理，使所述核心结构与第１个连接层的接触部分发生反应；在第Ｎ个连接层外，再依次生成Ｍ个连接层，其中Ｍ为正整数。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张文杰，马正焜，邹世昌，
申请(专利权)人：上海卓骋电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]
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