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本发明涉及半导体器件制造，公开了一种高性能半导体结构的制造方法。本发明中，在采用抗氧化性材料的中间连接层生成后就进行热处理，此后再生成其余的连接层，从而能够在低成本的前提下生产具有大电流能力和低功耗优良特性的半导体器件。所用的抗氧化性材料可...
该专利属于上海卓骋电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海卓骋电子科技有限公司授权不得商用。

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