一种常压合成聚碳硅烷的方法技术

一种常压合成聚碳硅烷的方法，其包括以下步骤：(1)在高纯氮气的保护下，将固体原料聚二甲基硅烷在360℃以上氮气气氛中裂解转化成液态聚硅烷；(2)在液态聚硅烷中添加相当于液态聚硅烷重量15-100%的固体粉末状原料聚二甲基硅烷，搅拌均匀，密封，在高纯氮气保护下，升温至280～330℃，反应2～6h；(3)然后程序升温至370～420℃，反应6～12h，冷却，即成。本发明专利技术反应温度低，合成产率达到60%以上；不会改变先驱体PCS的结构；设备简单；容易实现批量合成，合成步骤少。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种聚碳硅烷的合成方法，尤其是涉及一种常压合成聚碳硅烷的方 法。
技术介绍
随着航空、航天、兵器、能源等高技术的发展，对高温热结构材料提出了越来越高 的要求。传统的金属材料和高分子材料已很难满足这些应用要求。近几年来，以Cf/SiC、 SiCf/SiC为代表的纤维增强碳化硅基复合材料，由于可以在高温下保持高强度、高模量的 特性，同时质量远小于金属和合金材料，已经在航空、航天、汽车等领域得到了广泛应用。纤维增强碳化硅基复合材料的制备，常采用先驱体转化法。所谓先驱体转化法是 指，通过有机聚合物热分解转化制备陶瓷材料的方法。在先驱体转化法制备纤维、涂层或复合材料的过程中，先驱体都是制备SiC陶瓷 材料的关键，其种类和性质决定了材料的制备工艺和性质。聚碳硅烷(PCS)是最早用于制 备SiC纤维的先驱体。在SiC基复合材料制备过程中，PCS也是应用最成熟、最普遍的先驱 体。PCS是一种以Si-C为主链的聚合物，室温下为固体，稳定性好，可溶于四氢呋喃、二甲苯 等有机溶剂，加热可熔融，具有良好的可加工性能。高压法和常压高温裂解法是目前国内外两种较典型的先驱体PCS合成方法。高压 法本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．　一种常压合成聚碳硅烷的方法，其特征在于，包括以下步骤：（１）在高纯氮气的保护下，将固体粉末状原料聚二甲基硅烷在３６０℃以上氮气气氛中裂解转化成液态聚硅烷；（２）在液态聚硅烷中添加相当于液态聚硅烷重量１５－１００％的固体粉末状原料聚二甲基硅烷，搅拌均匀，密封，在高纯氮气保护下，升温至２８０～３３０℃，反应２～６ｈ；（３）然后程序升温至３７０～４２０℃，反应６～１２ｈ，冷却，即成。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：薛金根，邹治春，谢征芳，王浩，王军，
申请(专利权)人：中国人民解放军国防科学技术大学，
类型：发明
国别省市：43