【技术实现步骤摘要】
相关申请本申请要求2009年9月30日提交的韩国专利申请10-2009-0093499的优先权，通过引用将其全部内容并入本文。
本专利技术的示例实施方案涉及制造半导体器件的方法，以及更特别地，涉及具有掩 埋位线的半导体器件及其制造方法，其中每个位线连接至一个侧面接触。
技术介绍
传统平面金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)由于漏电流、导通电流、短通 道效应而正达到其物理极限，并且传统MOSFET的进一步微型化变得更加困难。为了克服此 极限，正在研发具有取代普通平面沟道的垂直沟道的半导体器件。通过形成包围在半导体衬底上垂直延伸的有源柱状物的环状栅极(此后称为垂 直栅极)，且在有源柱状物的上部和下部中形成源极区与漏极区同时栅电极位于中间，由此 制成具有垂直沟道的半导体器件。图1为传统具有垂直沟道的半导体器件的剖面视图。参照图1，其显示多个柱状物 结构，每个柱状物结构包括垂直于衬底11和硬掩模层13而延伸的有源柱状物12。有源柱 状物12的外壁由栅极绝缘层14和垂直栅极15所包围，而掩埋位线16通过杂质的离子注 入工艺而形成在衬底11内。使相邻的掩埋位线16彼此...
【技术保护点】
一种制造半导体器件的方法，包括：蚀刻半导体衬底以形成多个有源区，所述有源区通过形成于其间的沟槽而互相分开；在每个有源区的侧壁上形成侧面接触；以及形成金属位线，每个金属位线填充每个沟槽的一部分并连接至所述侧面接触。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：朴恩实，殷庸硕，李起正，金旻秀，
申请(专利权)人：海力士半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]
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