本实用新型专利技术公开了一种密封式基片上载装置，包括真空腔体、抽真空控制机构、基片盒载台及升降装置，真空腔体上设有基片入口、基片出口及通气孔，所述基片入口安装有密封腔门，所述基片出口上安装有出口闸阀；所述抽真空控制机构包括真空管、真空计和真空闸阀，真空管的一端与通气孔相连通，另一端连接抽真空系统和充气系统，真空计和真空闸阀安装在真空管上；基片盒载台置于真空腔体内，包括固定板和检测单元；所述升降装置的输出轴密封穿过所述真空腔体与所述基片盒载台固定相连，并控制所述基片盒载台做升降运动。与现有技术相比，本实用新型专利技术在基片上载过程中一直维持在稳定的真空状态中，保证真空腔体的气密封和清洁度。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种基片上载装置，尤其涉及一种应用于半导体生产线上，可在 真空环境下完成基片上载的基片上载装置。
技术介绍
玻璃基材等薄板已广泛用于制造IXD-TFT显示屏、有机发光显示器件(OLED)面 板、薄膜太阳能面板应用及其他类似者。于此类应用中大多在洁净玻璃上镀覆薄膜晶体管， 这类大型玻璃基材的制程通常包含实施多个连续步骤，包括如化学气相沉积制程(CVD)、物 理气相沉积制程(PVD)、有机物质蒸镀、磁控溅射沉积或蚀刻制程。用于处理玻璃基材的系 统可包括一或多个制程处理室，以进行前述所述制程。目前趋势面板加工朝向大面积基材 尺寸发展，以使基材上可形成更多显示器、或制造更大型的显示器以及更大型的太阳能面 板。由于此类制程的工艺要求比较严格，即必须在真空状态下以及完全洁净的空间环 境中进行，如有机发光二极管的蒸镀制程，其沉积物为呈蒸汽状的有机物质，如有空气、水 汽等存在的话极易与有机蒸镀材料发生反应进而改变基材上的沉积物成分，影响其发光效 应；再如，磁控溅射沉积制程过程中，等离子体辉光放电后相互撞击空间内惰性气体使离子 化程度达到雪崩状态，从而大面积、大范围的撞击金属靶材，金属原子或/和原子团脱离靶 材在磁力引导下沉积到基底上，然此过程如密封不好、真空环境不足将严重影响辉光放电 的程度，同时空气中的氧气和水汽也会将靶材侵蚀，导致磁控溅射制程中断或/和沉积薄 膜受到影响；类此种种玻璃等基材的镀膜、覆膜制程，都必须要保证整个制程的真空系统的 绝对可靠性。这样，在此类制程中，在真空环境下完成基片上载就凸显了重要意义。然而现有的基片上载装置中，腔体内未能保持真空状态或所设计的装置不能完全 保证腔体内的气密性，以致影响基片的洁净度，难以提高基片质量。因此，针对腔体内清洁 度不高的缺陷，急需一种保证基片上载的整个过程中，腔体内一直维持在稳定的真空状态 下的密封式基片上载装置。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种可以在持续稳定的真空状态下完成基片上载过程 的密封式基片上载装置。为了实现上有目的，本技术公开了一种密封式基片上载装置，用于将基片盒 中的基片通过机械手上载至生产线上，该密封式基片上载装置包括真空腔体、抽真空控制 机构、基片盒载台以及升降装置，所述真空腔体的腔壁上分别开设有供所述基片盒进出的 基片入口、供所述机械手进出的基片出口以及通气孔，所述基片入口安装有与该基片入口 相配合的密封腔门，所述基片出口上安装有出口闸阀；所述抽真空控制机构包括真空管、真 空计和真空闸阀，所述真空管的一端与所述通气孔相连通，另一端分别连接有抽真空系统 和充气系统，所述真空计和真空闸阀均安装在所述真空管上；所述基片盒载台置于所述真4空腔体内，所述基片盒载台包括承载基片盒的固定板和检测基片盒状态的检测单元；所述 升降装置的输出轴密封穿过所述真空腔体的底部与所述基片盒载台固定相连，并控制所述 基片盒载台做升降运动。较佳地，所述真空管包括第一真空管和第二真空管，所述真空闸阀包括第一闸阀 和第二间阀，所述第一真空管和第二真空管一端均与所述通气孔相连，所述第一真空管的 另一端与粗抽空系统和充气系统相连，所述第二真空管的另一端与所述精抽空系统相连， 且所述第一真空管和第二真空管上分别安装有所述第一闸阀和第二闸阀，所述真空计安装 在所述真空管接近通气孔的位置上。在基片上载时，为了保证真空腔体内的气压达到设定 的范围，往往采用两阶段抽真空操作，即先进行前期抽真空，然后再进行后期抽真空，直至 真空腔体内的气压达到设定值。本技术采用了粗抽空系统和精抽空系统，所述真空腔 体内开始抽真空时，第一闸阀打开，粗抽空系统开始工作，对真空腔体内开始抽真空操作， 当真空腔体内的气压达到一定范围内时，第一闸阀关闭，粗抽空系统停止工作，第二闸阀打 开，精抽空系统开始工作，直至真空腔体内的气压达到预定值。这种采用两阶段抽真空操 作，可以使得真空腔体内的气压精确地到达预定范围内，防止真空腔体内气压过低。较佳地，所述密封腔门与所述真空腔体相接触的环形区域从内至外依次开设有相 互平行的内圈凹槽、中圈凹槽及外圈凹槽，所述内圈凹槽与外圈凹槽内均装有密封圈，所述 中圈凹槽分别与所述内圈凹槽和外圈凹槽相连通，所述抽真空控制系统还包括第三真空管 和第三闸阀，所述第三真空管的一端与所述中圈凹槽相连通，另一端分别与抽真空系统和 充气系统相连，所述第三闸阀安装在所述第三真空管上。本技术密封腔门采用了双密 封结构，使得密封腔门的密封效果更好，保证了真空腔体内的气密性，而且将内圈凹槽和第 三真空管相连通，可以通过对第三真空管进行抽真空或者充气来控制密封腔门的打开与关 闭，进一步保证了密封腔门的气密性，也使密封腔门方便准确地打开和关闭。较佳地，所述密封腔门上还安装有门传感器。在密封腔门上设置门传感器可以使 得基片盒到达密封腔门外的第一时间被检测到，以便打开密封腔门，提高工作效率。较佳地，所述固定板中部沿密封腔门方向开设有凹槽，所述凹槽两侧的固定板上 设有若干个定位块，且所述定位块围成一个基片盒定位区。密封式基片上载装置开始工作 时，基片盒传送装置将基片盒从密封腔门送至基片盒定位区内，所述定位块使基片盒定位， 放置基片盒放置位置错误以至于无法进行下一步操作，而凹槽可以使得基片盒传送装置更 加方便将基片盒送至凹槽上方的基片盒定位区内。较佳地，所述检测单元包括光电传感器、传感器反射板、传感器挡板、挡板支架以 及弹性部件；所述固定板与所述基片盒接触的部位开设有通槽，所述传感器反射板安装在 所述固定板下表面临近所述通槽的位置，所述光电传感器设置于所述传感器反射板正下 方，所述传感器挡板呈Z字形，所述传感器挡板包括上板、弯折板及下板，所述传感器挡板 的上板斜向上地突出所述通槽的上端，所述下板斜向下地突出所述通槽的下端并邻近所述 光电传感器与所述传感器反射板形成的光通路，所述弯折板临近所述上板的一端旋转安装 在所述挡板支架上，所述挡板支架固定在所述固定板下表面，所述弯折板临近所述下板的 一端与所述弹性部件相连，所述弹性部件的另一端与所述固定板相连。当所述基片盒载台 上放置有基片盒时，在基片盒的重力作用下，突出于所述通槽的上板沿所述挡板支架向下 旋转，所述下板随之向光通路方向移动，直至截断光电传感器射与传感器反射板之间的光通路，光电传感器感应不到反射光，本技术检测到基片盒放置到位；当基片盒未放置在 基片盒载台时，下板在弹性部件的作用下向远离光通道的方向移动，光电传感器射与传感 器反射板之间的光通路贯通，光电传感器接收到放射光，本技术检测到基片盒未放置 到位。较佳地，所述升降装置包括升降驱动机构、输出轴和波纹管，所述真空腔体的底部 开设有安装孔，所述波纹管一端与所述升降驱动机构相连，另一端与所述安装孔相连，所述 升降驱动机构与所述输出轴相连并驱动所述输出轴沿垂直方向运动，所述输出轴滑动穿过 所述波纹管和安装孔并与所述固定板固定连接。所述波纹管结构使得腔体外的大气环境和 真空腔体内分隔开来，有效地保持真空腔体内的真空环境。较佳地，所述密封式基片上载装置还包括基片上载控制系统，所述基片上载控制 系统分别与所述抽真空控制机构、检测单元和升降装置电连接，并控制所述抽真空控制机 本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种密封式基片上载装置，用于将基片盒中的基片通过机械手上载至生产线上，其特征在于，包括：真空腔体，所述真空腔体的腔壁上分别开设有供所述基片盒进出的基片入口、供所述机械手进出的基片出口、以及通气孔，所述基片入口安装有与之相配合的密封腔门，所述基片出口上安装有出口闸阀；抽真空控制机构，所述抽真空控制机构包括真空管、真空计和真空闸阀，所述真空管的一端与所述通气孔相连通，另一端分别连接抽真空系统和充气系统，所述真空计和真空闸阀均安装在所述真空管上；基片盒载台，所述基片盒载台置于所述真空腔体内，所述基片盒载台包括承载基片盒的固定板和检测基片盒状态的检测单元；升降装置，所述升降装置的输出轴密封穿过所述真空腔体的底部与所述基片盒载台固定相连，并控制所述基片盒载台做升降运动。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：杨明生，郭业祥，刘惠森，范继良，王勇，王曼媛，
申请(专利权)人：东莞宏威数码机械有限公司，
类型：实用新型
国别省市：44[中国|广东]
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