用于定向凝固法生长硅晶体的引晶模具及晶体生长方法技术

本发明专利技术公开了一种用于定向凝固法生长硅晶体的引晶模具及晶体生长方法。该引晶模具放置在石英坩埚内的底部，包括籽晶容器和隔离液容器，隔离液容器由连接在籽晶容器周围的空腔构成，用于放置隔离物质；籽晶容器设有用于放置籽晶的第一空腔。而采用该引晶模具进行单晶硅/类单晶硅生长的方法，包括：在石英坩埚底部放置或设置该引晶模具，在其隔离液容器和籽晶容器中分别放置隔离物质和籽晶，并向石英坩埚内放置硅原料，定向凝固生成单晶/类单晶体。本发明专利技术无需改变现有定向凝固炉和石英坩埚的结构，即可解决籽晶放置问题，并使籽晶在引晶过程中消除位错，同时避免源自坩埚底部壁面的熔液自发成核现象。本发明专利技术的引晶模具成本低，易于加工。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于太阳能级硅制造设备及方法领域，具体涉及一种用于定向凝固法生长 硅晶体的引晶模具，及采用该引晶模具进行单晶硅/类单晶硅生长的方法。
技术介绍
硅单晶和硅多晶铸锭是晶体硅太阳能电池最常用的材料。通常，使用硅单晶材料 制造的太阳能电池比使用硅多晶材料制造的太阳能电池具有更高的光电传换效率。目前， 硅单晶最常用的制造方法有提拉法(Czochralski法)和区熔法(Floating hne法)；硅 多晶的制造方法则通常采用定向凝固法(即铸造法)。定向凝固法是将硅原料放置在多晶 铸锭炉内的坩埚中，通过改变温度场使硅原料从下向上定向结晶而形成硅多晶。目前，采用定向凝固法生长而成的硅晶体通常为硅多晶，而不能得到硅单晶，其主 要原因在于，定向凝固的初始过程并没有采用特定晶向的籽晶进行引导，凝固通常是从石 英坩埚壁面开始，自发形成多个凝固核心并逐渐长大，使其最终形成的晶体为多晶而不是 单晶。因此，采用定向凝固法生长硅单晶需要满足特定的条件，其中最重要的是在凝固开始 时需要采用籽晶完成引晶过程。而目前市场上没有具有籽晶引晶功能的用于硅单晶生长的 坩埚产品。在专利号为ZL 20092011本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种用于定向凝固法生长硅晶体的引晶模具，放置在石英坩埚内的底部，其特征在于：包括籽晶容器和隔离液容器，所述的隔离液容器由连接在所述的籽晶容器周围的空腔构成，用于放置隔离物质；所述的籽晶容器设有用于放置籽晶的第一空腔。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李乔，马远，
申请(专利权)人：浙江碧晶科技有限公司，
类型：发明
国别省市：33