一种用于铸造法生长硅晶体的热交换台制造技术

本实用新型专利技术公开了一种用于铸造法生长硅晶体的热交换台，包括热交换台主体，在所述的热交换台主体的底面还连接有若干根散热杆。本实用新型专利技术的热交换台能有效提高坩埚内热量向底部耗散的能力，尤其是提高坩埚底部中央的热量耗散的效率，特别适合用于定向凝固法生长硅单晶。本实用新型专利技术的热交换台可通过散热杆很好地调节从坩埚底部热量流失的分布，结构简单而且容易加工。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术属于硅晶体制造设备领域，具体涉及一种用于铸造法生长硅晶体的热交换台。
技术介绍
硅单晶和硅多晶铸锭是晶体硅太阳能电池最常用的材料。通常，使用硅单晶材料制造的太阳能电池比使用硅多晶材料制造的太阳能电池具有更高的光电传换效率。目前，硅单晶最常用的制造方法有提拉法(Czochralski法)和区熔法(Floating hne法)； 硅单晶的制造方法也可以采用定向凝固法(即铸造法)来实现。定向凝固法是将硅原料放置在铸锭炉内的坩埚中，通过改变温度场使硅原料从下向上定向结晶而成硅晶体。为了实现硅原料从下向上定向结晶的过程，需要在硅原料全部熔化之后，对坩埚底部进行冷却。现有技术中采取在坩埚及坩埚底部护板下面设置热交换台，如图1所示，热交换台放置在坩埚及坩埚底部护板下面，热交换台既支撑坩埚的重量，同时将热量从坩埚内部向外传导。在太阳能行业内，热交换台又称为HE (Heat Exchange的简写)Block、DS (Directional Solidification 的简写)Block 或 DS 块。在采用铸造法生长硅晶体时，如果加大热交换台的冷却，即可以提高坩埚内固液相界面处的温度梯度，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李乔，马远，
申请(专利权)人：浙江碧晶科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：