The present invention relates to a TFT-LCD array substrate includes a gate line is formed on the substrate, a data line, a pixel electrode and a thin film transistor, the gate line and the data line at the intersection of the gate line, located on both sides of the data line through the formation of two or more points of cross gate structure and the data line connector gate, connecting line comprises at least two first gate connection line, connecting the first gate lines and the gate lines and the same material, and the gate lines are located in the same layer. In the intersection set at least two of the first gate connecting line and a data line crossing, not only reduces the probability of occurrence of gate line short-circuit bad, but also reduce the probability of occurrence of adverse gate line circuit, at the same time, the invention also has a TFT-LCD array substrate when the gate line short circuit and short of bad repair, simple procedure and less short time and high success rate of maintenance.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种薄膜晶体管液晶显示器，尤其是一种薄膜晶体管液晶显示器阵列基板。
技术介绍
薄膜晶体管液晶显示器(ThinFilm Transistor Liquid CrystalDisplay，简称 TFT-LCD)具有体积小、功耗低、无辐射、制造成本相对较低等特点，在当前的平板显示器市 场占据了主导地位。TFT-IXD阵列基板是TFT-IXD的重要部件之一，其结构如图12所示，主 要包括作为衬底的基板，形成在基板上的栅电极41和栅线10，形成在栅电极41和栅线10 上并覆盖整个基板的栅绝缘层(未示出)，形成在栅电极上方的半导体层(未示出)、搀杂 半导体层(未示出)和由源电极42、漏电极43组成的源漏电极，同时形成与栅线10垂直交 叉的数据线20，钝化层(未示出)覆盖整个基板，位于漏电极43的上方开设有钝化层过孔 44，像素电极30形成在像素区域，像素电极30通过钝化层过孔44与漏电极43连接。其中 与栅线10连接的栅电极41作为有源元器件的开关，与数据线20连接的源电极42和与像 素电极30连接的漏电极43之间形成导电沟道，半导体层作为有源层。从现有技术T...
【技术保护点】
一种ＴＦＴ－ＬＣＤ阵列基板，包括形成在基板上的栅线、数据线、像素电极和薄膜晶体管，其特征在于，在栅线和数据线交叉处，位于所述数据线两侧的栅线通过与所述数据线形成双点或多点交叉结构的栅连接线连接，所述栅连接线包括至少二个第一栅连接线，所述第一栅连接线与所述栅线材料相同，且与所述栅线位于同一层。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：申伟，权基瑛，
申请(专利权)人：北京京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：11
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