Method for purifying polycrystalline silicon by using silicon tin alloy. The invention belongs to the field of metallurgy, and provides a method for purifying polycrystalline silicon by using a silicon tin alloy. The tin powder and industrial silicon mixture into a graphite crucible, graphite crucible with tin powder and industrial silicon in directional solidification furnace, then the vacuum, the solidification furnace temperature rose to 1480 to 1600 DEG C, introducing protective gas and adjust the pressure solidification furnace, the tin powder and industrial silicon melt in 1480 heat 3 to 1600 DEG C ~ 5h alloy melt insulation after cooling solidification to silicon material; the silicon material in the lower part of the resection of 5% ~ 30%, the solar grade polysilicon. Industrial silicon and tin powder mixed in proportion, and melting the insulation, with different cooling speed for cooling, and pure silicon alloy obtained after the separation, the separation ratio determination. The equipment and technological process are simple, small in size, easy to operate and low in cost, and have broad market prospects.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种多晶硅的提纯方法，具体涉及一种利用硅锡合金提纯多晶硅的方 法。
技术介绍
全球能源逐渐紧张，煤、石油、天然气等传统能源急剧短缺，并且污染严重，光伏能 源以其清洁、安全、可持续利用等诸多优点，在缓解能源危机的同时也成为了未来最具竞争 的能源之一。多晶硅材料是生产半导体和太阳能电池的主要原料，商用太阳能电池基本上 都是利用硅材料制作的，由于硅材料的工艺成熟、质量好、原料丰富、价格相对较低，因而在 未来的50年里，还不可能有其他材料能够替代硅材料成为半导体和光伏行业的主要原料。 在太阳能电池的生产中，硅提纯的成本占了太阳能电池生产总成本的40% 60%，并且太 阳能光伏产业以每年30% 60%的速度在增长，因此，在太阳能电池生产中尽量降低硅提 纯的成本已成为人们的普遍追求。在传统的硅提纯技术中，化学法一直是主流工艺。化学 法提纯的硅料纯度较高，质量较好，但是化学法工艺复杂且较难控制，并且污染严重，投资 大，成本高。为了避免这些缺点，近些年，一种新型的低能耗、无污染、工艺简单的提纯硅的 方法物理冶金法越来越受到人们的重视。利用硅矿提纯的工业硅的纯度一般...
【技术保护点】
１．一种利用硅锡合金提纯多晶硅的方法，其特征在于包括以下步骤：１）将锡粉与工业硅混合后装入石墨坩埚内，其中锡粉的加入量按质量百分比为１０％～５０％，余为工业硅；２）将装有锡粉与工业硅的石墨坩埚放入定向凝固炉中，再将其抽真空，将凝固炉内温度升至１４８０～１６００℃，当温度升至１００～８００℃时通入保护气体；３）将步骤２）中熔化后的锡粉与工业硅在１４８０～１６００℃下保温３～５ｈ；４）将步骤３）中保温后的合金熔体以１０～１００℃／ｈ的降温速率降温至１２００～１３５０℃凝固得硅料；切除所得硅料下部的５％～３０％，余下部分即为利用硅锡合金提纯的多晶硅。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：罗学涛，吴浩，李锦堂，黄平平，傅翠梨，张蓉，
申请(专利权)人：厦门大学，
类型：发明
国别省市：92
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