A temperature oxidation surface of the epitaxial preparation of biaxially textured NiO (200) method of coated conductor buffer layer, the steps are, will be annealed biaxially textured NiW (200) alloy substrate, after acetone, ethanol after cleaning, then use acetic acid and nitric acid molar of 1: 1 Preparation of impregnation the surface corrosion solution in 10-90 seconds, and then in the mixed solution of modified 95-99 weight portions of ammonia and hydrogen peroxide in 1-5 weight portions, dipping 10-120 seconds; then the alloy substrate at 600 DEG -850 DEG temperature in argon atmosphere or air atmosphere, oxidation heat treatment for 5-30 minutes. This method can realize the low cost coated conductor buffer layer preparation, middle temperature continuous preparation, preparation of high efficiency, suitable for large-scale industrial production; and the prepared NiO (200) film texture properties of buffer layer, thin film thickness and high density, easy to control, can effectively play a blocking effect.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及高温超导材料制备
，尤其是涂层导体缓冲层制备技术。
技术介绍
目前高温超导技术在世界范围内通过国际之间的合作和竞争，得到突飞猛进的发 展。超导技术在社会广阔领域具有极大的应用潜能，例如环境/能源、生命科学、制造工 业、信息、通讯。高性能的涂层导体将是超导技术实现大规模应用的关键技术。对涂层导体 应用发展方面来看，以下几个因素需要同时满足长带的制备，高的超导性能，高的机械强 度，高的生产率等。对于纯M基底具有较低的强度，在生产过程中很容易被损坏，导致操作 困难等问题，人们通过制备NiCr、NiV、NiAg, Niff等合金在硬度方面有显著的改善，并能保 持较强的立方织构性能。对于涂层导体技术面临的两个主要问题一是易碎的陶瓷涂层， 二是需要织构的外延生长模版。缓冲层的质量将直接影响REBCO超导层的外延生长。所 以缓冲层的制备问题成为涂层导体技术的关键问题。缓冲层晶格参数需要与基底和超导层 相匹配，其次，缓冲层的热膨胀系数要与基底和超导层相匹配，避免在生长过程中裂纹和分 层剥离的问题，最后，缓冲层要有效起到阻止0扩散到基底，并且M扩散到超导层，...
【技术保护点】
一种中温表面氧化外延制备双轴织构ＮｉＯ（２００）涂层导体缓冲层的方法，依次由以下步骤构成：ａ、基带的表面腐蚀修饰：用浓度为９９％的冰乙酸和浓度为５３％的硝酸按摩尔比１∶１配制成表面腐蚀溶液；将退火处理后的双轴织构ＮｉＷ（２００）合金基带，经过丙酮、乙醇等清洗干净后，在表面腐蚀液中浸渍１０－９０秒，取出、洗净、晾干；再将基带在９５－９９份重的氨水和１－５份重的双氧水配制的混合修饰液中，浸渍１０－１２０秒，取出、洗净、晾干；ｂ、氧化热处理：将ａ步表面腐蚀修饰后的ＮｉＷ（２００）合金基带在氩气气氛或空气气氛中、在６００℃－８５０℃温度条件下，氧化热处理５－３０分钟。
【技术特征摘要】
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