【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及LED照明设备的驱动部件，尤其是可调LED照明设备的驱动芯片部件。
技术介绍
随着当今电子技术和电子产业的发展，LED照明设备已经被广泛的应用于人们的生活和生产中，同时LED照明设备因其低能耗、环保，控制方便等优点，具有极好的市场前景。但目前，在照明领域内，LED在技术上仍存在一些不尽如人意的弊端，在传统的LED相关驱动电路方面，仍存在以下不足：(1)传统的LED驱动电路体积仍不够小巧，其内部通常有20多件无源元件，插件与装配相对繁琐，且这些内部电子元件的使用寿命限制了LED照明装置的整体使用寿命，例如传统LED驱动电路中的电解电容的寿命在高温105℃情况下，均在5000小时以下，因此LED照明设备常随着电解电容的失效而无法使用。(2)传统的LED驱动电路功率因数PF通常小于85％，仍有待进一步提高。
技术实现思路
本专利技术的目的是针对上述传统的LED驱动电路的缺陷，提供一种新型的LED驱动芯片作为LED驱动装置取代传统的LED驱动电路，所述驱动芯片体积小巧，使用稳定，大大提升了LED照明装置的性能，同时降低了成本。为达上述目的，本专利技术采用了如下...
【技术保护点】
一种ＬＥＤ驱动芯片，其特征在于：内部电路结构包括电压分配模块，缓冲－电压比较模块，电压输入模块和半导体场效应晶体管ＭＯＳＦＥＴ组成，其中：ＭＯＳＦＥＴＱ１的源极与地电位相连，栅极连接于缓冲－电压比较模块１的一个输入端、同时连接于电压输入模块的输出端，缓冲－电压比较模块１的另一个输入端分别连接至串联电阻Ｒ１和Ｒ２之间的连接点处，缓冲－电压比较模块１输出端与ＭＯＳＦＥＴＱ２的栅极相连，ＭＯＳＦＥＴＱ１的漏极作为驱动装置的输出端连接至外部ＬＥＤ的串联线路上；ＭＯＳＦＥＴＱｎ（ｎ＞１）的源极通过电阻或能够等效为电阻的元件组与地电位相连，栅极连接于缓冲－电压比较模块ｎ的一个输入端、同...
【技术特征摘要】
1.一种LED驱动芯片，其特征在于：内部电路结构包括电压分配模块，缓冲-电压比较模块，电压输入模块和半导体场效应晶体管MOSFET组成，其中：MOSFET Q1的源极与地电位相连，栅极连接于缓冲-电压比较模块1的一个输入端、同时连接于电压输入模块的输出端，缓冲-电压比较模块1的另一个输入端分别连接至串联电阻R1和R2之间的连接点处，缓冲-电压比较模块1输出端与MOSFET Q2的栅极相连，MOSFET Q1的漏极作为驱动装置的输出端连接至外部LED的串联线路上；MOSFET Qn(n＞1)的源极通过电阻或能够等效为电阻的元件组与地电位相连，栅极连接于缓冲-电压比较模块n的一个输入端、同时连接于缓冲-电压比较模块n-1的输出端，缓冲-电压比较模块n的另一个输入端连接至串联电阻R2n-1和R2n之间的连接点处，MOSFETQn的漏极作为驱动装置的输出端连接至外部LED的串联线路上；所述外部LED的串...
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