高功率因数恒流LED照明电路制造技术

本发明专利技术公开了一种结构简单、元器件少、LED使用寿命长的高功率因数恒流LED照明电路。本发明专利技术包括整流电路(1)、LED光源负载(2)、恒流源电路(3)，高功率因数恒流LED照明电路不包括滤波电容，交流电经整流电路(1)整流后变为脉动直流电，脉动直流电经LED光源负载(2)、恒流源电路(3)构成回路，恒流源电路(3)对LED光源负载(2)进行稳压、稳流，LED光源负载(4)包括至少一组相串联的若干个LED，恒流源电路(6)包括至少一组恒流源器件，每组恒流源器件包括至少一个耗尽型场效应晶体管，耗尽型场效应晶体管的漏极为一接点，耗尽型场效应晶体管的源极与栅极相短接构成另一接点。本发明专利技术可广泛应用于LED照明电路领域。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种高功率因数恒流LED照明电路。
技术介绍
目前，LED的应用越来越广泛，用于日常室内和户外照明的LED灯具也正越来越普 及。目前的LED照明交流驱动电路一般都设有滤波电路以避免电压的波动，如图1所示，最 简单的滤波电路一般包括至少一个滤波电容C2及一个泄放电阻R2，复杂的滤波电路则可 能包括更多的电容器件，由于电容器件的存在，且滤波电容值较大，使得电路的无功功率比 重较大，造成整个电路的功率因数很低，甚至低于0. 5，不符合有些国家的相关技术标准或 规范。为了提高功率因数，有的LED照明电路元器件多，甚至采用IC模块，使得其结构复杂， 成本高。“MOSraT”是英文“metal-oxide-semiconductor field effect transistor”的缩 写，意即“金属氧化物半导体场效应晶体管”，其原理是所有现代集成电路芯片的基础。一个 耗尽型MOSFET器件由三个基本部分构成源极(S)、栅极(G)和漏极(D)。一个N-通道耗 尽型MOS场效应管在源极及漏极之间接近栅极表面，有一个与源漏同极性的浅层掺杂层将 源极与漏极相连接。当栅极与源极电压为正本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高功率因数恒流ＬＥＤ照明电路，其特征在于：包括整流电路（１）、ＬＥＤ光源负载（２）、恒流源电路（３），所述高功率因数恒流ＬＥＤ照明电路不包括滤波电容，交流电经所述整流电路（１）整流后变为脉动直流电，脉动直流电经所述ＬＥＤ光源负载（２）、所述恒流源电路（３）构成回路，所述恒流源电路（３）对所述ＬＥＤ光源负载（２）进行稳压、稳流，所述ＬＥＤ光源负载（２）包括至少一组相串联的若干个ＬＥＤ，所述恒流源电路（３）包括至少一组恒流源器件，每组所述恒流源器件包括至少一个耗尽型场效应晶体管，所述耗尽型场效应晶体管的漏极为一接点，所述耗尽型场效应晶体管的源极与栅极相短接构成另一接点。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：吴俊纬，
申请(专利权)人：广州南科集成电子有限公司，
类型：发明
国别省市：81