直流低压电源注锁功率合成高压钠灯制造技术

本发明专利技术涉及电光源照明技术领域，具体是一种直流低压电源注锁功率合成高压钠灯。包括高压钠灯管、直流低电压、基准晶振、振荡驱动芯片、推挽放大器、推挽振荡器、相加耦合器、灯管触发电路、调频信号发生器、灯管异常电流检测器，振荡驱动芯片接推挽放大器，输出功率变压器T1与推挽振荡器输出功率变压器T3由相加耦合器，功率合成、升压馈送灯管触发电路引燃高压钠灯启辉，基准晶振信号经分频器注入振荡驱动芯片锁定相位，推挽放大器输出功率变压器T1与推挽振荡器输出功率变压器T3功率合成互耦注锁频率牵引相干同步锁定相位，获取大功率照明避免器件温升过高振荡频率变化功率失衡灯光下降。本发明专利技术适用于直流低电压、大电流供电的高压钠灯照明场合。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种直流低压电源注锁功率合成高压钠灯，包括直流低压电源、高压钠灯管，其特征在于：还包括基准晶振、分频器、振荡驱动芯片、推挽放大器、推挽振荡器、相加耦合器、灯管触发电路、调频信号发生器，其中，基准晶振由石英晶体谐振器、两个反相器及电阻、电容组成，第一个反相器输入与输出两端跨接偏置电阻，并分别并接接地电容，同时，还跨接串联微调电容的石英晶体谐振器，基准晶振输出信号经第二个反相器接入分频器，振荡驱动芯片内含RC振荡器、推挽放大驱动电路、电流检测CS、灯故障控制SD，RC振荡器外接电阻R2、电容C4产生振荡，输出经推挽放大驱动电路接推挽放大器两个大功率MOS场效应管Q1、Q2栅极，Q1、Q2漏极并接变压器T1电感L1两端，振荡驱动芯片电源端经电阻R7降压电容C8旁路和电感L1中点经电感L3、电容C7旁路接直流低电压，Q2源极串联电阻R6接地，经电阻R4、电容C6接振荡驱动芯片CS，推挽振荡器由两个大功率MOS场效应管Q3、Q4漏极接变压器T3电感L4两端，Q3、Q4栅极接变压器T2电感L8两端，电感L8中点并联源极接地场效应管Q5漏极及电阻R8、R14，电感L7、电阻R10与变压器T3电感L5闭合，电感L4中点经电感L9和旁路电容C9接直流低电压，调频信号发生器输出锯齿波信号接场效应管Q5栅极调频抑制灯光闪烁，Q3、Q4源极经接地电阻R9压降取样电流连接电阻R11，电阻R11和灯管异常电流检测信号经电阻R12接场效应管Q5栅极，灯管异常电流检测器信号接振荡驱动芯片灯故障控制SD，推挽放大器输出功率变压器T1与推挽振荡器输出功率变压器T3由相加耦合器功率合成、升压经灯管触发电路引燃高压钠灯启辉，基准晶振信号经分频器注入振荡驱动芯片RC振荡器CT端锁定相位，由推挽放大器变压器T1与推挽振荡器变压器T3在相加耦合器功率合成互耦注锁频率牵引相干同步锁定相位，直流低压电源接基准晶振、分频器、调频信号发生器电源端。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：阮树成，阮雪芬，
申请(专利权)人：阮雪芬，
类型：发明
国别省市：浙江;33