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直流低压电源注锁功率合成低压钠灯制造技术

技术编号:9131657 阅读:165 留言:0更新日期:2013-09-06 00:58
本实用新型专利技术涉及电光源照明技术领域,具体是一种直流低压电源注锁功率合成低压钠灯。包括低压钠灯管、直流低压电源、基准晶振、振荡驱动芯片、推挽放大器、推挽振荡器、相加耦合器、灯管异常电流检测器,振荡驱动芯片输出接推挽放大器,经变压器T1与推挽振荡器变压器T3由相加耦合器功率合成、升压接灯管启辉,基准晶振信号经分频器注入振荡驱动芯片RC振荡器锁定相位,推挽放大器变压器T1与推挽振荡器变压器T3功率合成互耦注锁频率牵引相干同步锁定相位,获取大功率灯照明,避免器件温升过高振荡频率变化功率失衡灯光下降。适用于直流低电压、大电流供电的低压钠灯照明场合。(*该技术在2023年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种直流低压电源注锁功率合成低压钠灯,包括直流低压电源、低压钠灯管,其特征在于:还包括基准晶振、分频器、振荡驱动芯片、推挽放大器、推挽振荡器、相加耦合器、灯管异常电流检测器,其中,基准晶振由石英晶体谐振器、两个反相器及电阻、电容组成,第一个反相器输入与输出两端跨接偏置电阻,并分别并接接地电容,同时,还跨接串联微调电容的石英晶体谐振器,基准晶振输出信号经第二个反相器接入分频器,振荡驱动芯片内含RC振荡器、推挽放大驱动电路、电流检测CS、灯故障控制SD,RC振荡器外接电阻R2、电容C4产生振荡,输出经推挽放大驱动电路接推挽放大器两个大功率MOS场效应管Q1、Q2栅极,Q1、Q2漏极并接变压器T1电感L1两端,振荡驱动芯片电源端经电阻R7降压电容C8旁路和电感L1中心点经电感L3、电容C7旁路接直流低压电源,Q2源极串联电阻R6接地,经电阻R4、电容C6接振荡驱动芯片停振端SD,推挽振荡器由两个大功率MOS场效应管Q3、Q4漏极接变压器T3电感L4两端,Q3、Q4栅极接变压器T2电感L8两端,电感L8中点并联源极接地场效应管Q5漏极及电阻R8、R14,电感L7、电阻R10与变压器T3电感L5闭合,电感L4中心点经电感L9和旁路电容C9接直流低压电源,Q3、Q4源极经接地电阻R9压降取样电流连接电阻R11,电阻R11和灯管异常电流检测器信号接场效应管Q5栅极,灯管异常电流检测器信号接振荡驱动芯片灯故障控制器SD,推挽放大器输出功率变压器T1与推挽振荡器输出功率变压器T3由相加耦合器功率合成、升压,经谐振电容C11、电感L12接低压钠灯管启辉,基准晶振信号经分频器注入振荡驱动芯片RC振荡器CT端锁定相位,由推挽放大器变压器T1与推挽振荡器变压器T3在相加耦合器功率合成互耦注锁频率牵引相干同步锁定相位,直流低压电源接基准晶振、分频器电源端。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:阮小青阮树成
申请(专利权)人:阮小青
类型:实用新型
国别省市:

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