双全桥注入锁相功率合成高压钠灯制造技术

本发明专利技术涉及电光源照明技术领域，具体是一种双全桥注入锁相功率合成高压钠灯。两个RC振荡器共接电阻R11、电容C14同步振荡，自振荡芯片4及全桥逆变器A输出功率变压器T1与自振荡芯片6及全桥逆变器B输出功率变压器T2反相馈入相加耦合器，功率合成接灯管触发电路启辉灯管，基准晶振信号经分频器注入两个自振荡芯片4、6锁定相位，获取大功率照明避免器件温升过高振荡频率变化功率失衡灯光下降，调频信号发生器锯齿波信号接入两个自振荡芯片4、6调频抑制灯光闪烁，灯管异常电流检测器信号经三极管接入两个自振荡芯片4、6的SD端，控制振荡快速停振关断全桥逆变器功率管。本发明专利技术适用于广场、商场等大功率高压钠灯照明场合。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术涉及电光源照明
，具体是一种双全桥注入锁相功率合成高压钠灯。两个RC振荡器共接电阻R11、电容C14同步振荡，自振荡芯片4及全桥逆变器A输出功率变压器T1与自振荡芯片6及全桥逆变器B输出功率变压器T2反相馈入相加耦合器，功率合成接灯管触发电路启辉灯管，基准晶振信号经分频器注入两个自振荡芯片4、6锁定相位，获取大功率照明避免器件温升过高振荡频率变化功率失衡灯光下降，调频信号发生器锯齿波信号接入两个自振荡芯片4、6调频抑制灯光闪烁，灯管异常电流检测器信号经三极管接入两个自振荡芯片4、6的SD端，控制振荡快速停振关断全桥逆变器功率管。本专利技术适用于广场、商场等大功率高压钠灯照明场合。【专利说明】双全桥注入锁相功率合成高压钠灯
本专利技术涉及电光源照明
，具体是一种双全桥注入锁相功率合成高压钠 灯。
技术介绍
现有技术电子镇流器通常用LC或RC振荡器作为高压钠灯电光源，产生的振荡频 率受温度变化稳定性差影响功率不够稳定，导致光强下降，虽然这种电子镇流器结构简便， 成本低。要得到大功率照明势必增大器件电流，致使振荡功率管功耗剧增温升过高导致振 荡频率变化，结果会使灯光随频率变化功率幅值失衡。同时，大电流通过线圈温升高磁性 导磁率下降，磁饱和电感量变小阻抗趋向零，灯具工作时间与温升正比，温升高加速器件老 化，轻则灯管发光不稳定亮度下降，重则烧坏器件缩短使用寿命。由两个振荡逆变功率叠加 拖动大功率灯具，解决器件功率容量限制。但是，要求功率合成振荡电压相位一致，克服非 线性互调功率不均衡。 【专利技术内容】 本专利技术的目的是提供逆变振荡高稳频相位同步，大功率强光照明的一种双全桥注 入锁相功率合成高压钠灯。 本专利技术技术解决方案为：包括电源滤波器EMI、整流桥堆、功率因数校正APFC、高 压钠灯管、基准晶振、分频器、两个自振荡芯片、全桥逆变器A、全桥逆变器B、相加耦合器、 调频信号发生器、灯管触发电路、灯管异常电流检测器，其中，基准晶振由石英晶体谐振器、 两个反相器及电阻、电容组成，第一个反相器输入与输出两端跨接偏置电阻，并分别并接接 地电容，同时，还跨接串联微调电容的石英晶体谐振器，基准晶振输出信号经第二个反相器 接入分频器，自振荡芯片内含振荡器、全桥逆变驱动电路，两个自振荡芯片振荡器共接电阻 Rn、电容C14同步振荡，输出分别经全桥逆变驱动电路连接均由四个功率M0S场效应管两组 互补半桥构成的全桥逆变器A、全桥逆变器B，自振荡芯片及全桥逆变器A输出功率变压器 ?\与自振荡芯片及全桥逆变器B输出功率变压器T2反相馈入相加耦合器，功率合成接灯管 触发电路灯管启辉，基准晶振信号经分频器注入两个自振荡芯片ΕΧ0端锁定相位，调频信 号发生器锯齿波信号接入两个自振荡芯片RC端调频抑制灯光闪烁，灯管异常电流检测器 信号经三极管接入两个自振荡芯片SD端，控制振荡快速停振关断全桥逆变器功率M0S场效 应管，电网电源经电源滤波器ΕΜΙ、整流桥堆至功率因数校正APFC输出电压接入基准晶振、 分频器、调频信号发生器、自振荡芯片及全桥逆变器Α和自振荡芯片及全桥逆变器Β的电源 端； 其中，调频信号发生器由时基芯片IC6、电阻R17、R 18、R2(I和电容C23多谐振荡，IC6的 DIS端由电阻R19接场管Q5栅极，电容C22接Q5源极电阻R 21自举正反馈，输出线性锯齿波信 号，接入两个自振荡芯片RC端调频抑制灯光闪烁； 灯管触发电路由灯管一端经脉冲点火变压器T4电感L8、电容C 19接相加耦合器T3 电感L6，同时电容C19还并接电阻R24, T4电感L7接接地电容C2(l，双向触发二极管VD14串联 τ4电感L7接地，直流高压发生器由时基芯片IC6多谐振荡方波接变压器T 5电感L1(l，由电感 Ln升压、二极管VD15整流、电容C25、电阻R22滤波，经电阻R 23接电容C19与T4电感L8接点， 灯管另一端穿过灯异常检测电流互感磁环接地，电感1^ 9接二极管vd13检波、电容c27电阻r15 滤波，经电阻R12、R13分压、三极管VI\接入两个自振荡芯片RC端； 功率因数校正APFC由整流桥堆VDp4输出经磁性变压器T6电感L 12接Q5漏极、升 压二极管VD12至电容Cn作为APFC输出，二极管VD n提供Cn预充电，电阻R4接整流桥堆输 出引入芯片IC4电源端，并与T 6电感L14经二极管￥05检波电压为芯片1(；控制门限开启， 电阻R 2、R3接整流桥堆VDp4输出分压取样接入芯片IC4乘法器一端，乘法器另一端接电阻 R8、R9分压取样输出电压，乘法器输出与Q5源极接地电阻点连接峰值电流检测比较器，芯片 IC4输出接Q5栅极，T6电感L13高频电压由二极管VD 6~9整流、二极管VD1Q稳压、电容c12滤 波为直流电压接入基准晶振、分频器、调频信号发生器的电源端。 本专利技术产生积极效果：解决双全桥逆变振荡高稳频、相位同步功率合成，达到单个 自振荡全桥逆变器难以得到的大功率高压钠灯照明，避免器件温升高振荡频率变化功率失 衡，稳定灯光延长使用寿命。 【专利附图】【附图说明】 图1本专利技术技术方案原理框图 图2基准晶振电路 图3电源滤波整流功率因数校正电路 图4双全桥注入锁相功率合成高压钠灯电路 【具体实施方式】 参照图1、2、3、4(图4以自振荡芯片及全桥逆变器A电路为例，自振荡芯片及全 桥逆变器B相同），本专利技术【具体实施方式】和实施例：包括电源滤波器EMI与整流桥堆13、功 率因数校正APFC1、高压钠灯管11、基准晶振2、分频器3、两个自振荡芯片4、6、全桥逆变器 A5、全桥逆变器B7、相加耦合器8、调频信号发生器9、灯管触发电路10、灯管异常电流检测 器12,其中，基准晶振2由石英晶体谐振器JT、两个反相器IQ、IC 2及电阻&、电容Q、Q、 C2组成，第一个反相器1(^输入与输出两端跨接偏置电阻&，并分别并接接地电容Ci、C2，同 时，还跨接串联微调电容Q的石英晶体谐振器JT，基准晶振2输出信号经第二个反相器IC 2 接入分频器，自振荡芯片IC5UBA2030T内含振荡器、全桥逆变驱动电路，两个自振荡芯片4、 6振荡器共接电阻R n、电容C14同步振荡，输出分别经全桥逆变驱动电路连接均由四个功率 M0S场效应管％、Q2、Q3、Q4两组互补半桥构成的全桥逆变器A、全桥逆变器B，自振荡芯片4 及全桥逆变器A5输出功率变压器?\与自振荡芯片6及全桥逆变器B7输出功率变压器T 2 反相馈入相加耦合器8,功率合成接灯管触发电路10灯管11启辉，基准晶振2信号经分频 器3分频+Ν基准信号&注入两个自振荡芯片4、6的ΕΧ0端锁定相位，调频信号发生器9 锯齿波信号接入两个自振荡芯片4、6的RC端调频抑制灯光闪烁，灯管异常电流检测器12 信号经三极管VI\接入两个自振荡芯片4、6的SD端，控制振荡快速停振关断全桥逆变器功 率M0S场效应管，电网电源经电源滤波器EMI与整流桥堆13、功率因数校正APFC1输出电压 +15V接入基准晶振2、分频器3、调频信号发生器9, +560V接入自振荡芯片4及全桥逆本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种双全桥注入锁相功率合成高压钠灯，包括电源滤波器EMI、整流桥堆、功率因数校正APFC、高压钠灯管，其特征在于：还包括基准晶振、分频器、两个自振荡芯片、全桥逆变器A、全桥逆变器B、相加耦合器、调频信号发生器、灯管触发电路、灯管异常电流检测器，其中，基准晶振由石英晶体谐振器、两个反相器及电阻、电容组成，第一个反相器输入与输出两端跨接偏置电阻，并分别并接接地电容，同时，还跨接串联微调电容的石英晶体谐振器，基准晶振输出信号经第二个反相器接入分频器，自振荡芯片内含振荡器、全桥逆变驱动电路，两个自振荡芯片振荡器共接电阻R11、电容C14同步振荡，输出分别经全桥逆变驱动电路连接均由四个功率MOS场效应管两组互补半桥构成的全桥逆变器A、全桥逆变器B，自振荡芯片及全桥逆变器A输出功率变压器T1与自振荡芯片及全桥逆变器B输出功率变压器T2反相馈入相加耦合器，功率合成接灯管触发电路灯管启辉，基准晶振信号经分频器注入两个自振荡芯片EXO端锁定相位，调频信号发生器锯齿波信号接入两个自振荡芯片RC端调频抑制灯光闪烁，灯管异常电流检测器信号经三极管接入两个自振荡芯片SD端，控制振荡快速停振关断全桥逆变器功率MOS场效应管，电网电源经电源滤波器EMI、整流桥堆、功率因数校正APFC输出电压接入基准晶振、分频器、调频信号发生器、自振荡芯片及全桥逆变器A、自振荡芯片及全桥逆变器B的电源端。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：阮树成，梅玉刚，
申请(专利权)人：梅玉刚，
类型：发明
国别省市：浙江;33