【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
１．一种半导体装置，包括：栅极电极，形成在基板上，该栅极电极和该基板之间具有栅极绝缘层；绝缘层，具有能够进行硅化物阻挡的特性和厚度，形成在该基板的第一区域中以覆盖该栅极电极；侧壁，在该栅极电极的侧面形成为至少部分地包括该绝缘层；第一杂质区域，在形成该绝缘层前，在该基板的该第一区域中形成的该栅极电极的周边区域中通过注入第一杂质而形成；第二杂质区域，在形成该侧壁后，在该基板的第二区域中形成的该栅极电极的该侧壁的周边区域中通过注入第二杂质而形成；以及硅化物层，形成在该基板的该第二杂质区域的表面上。
【技术特征摘要】
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