【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
１．一种图像传感器像素，包括：衬底，其经掺杂而具有第一导电型；第一外延层，其置于所述衬底之上且经掺杂而具有所述第一导电型；转移晶体管栅极，其置于所述第一外延层之上；及外延生长的光传感器区域，其置于所述第一外延层中且具有第二导电型，其中所述外延生长的光传感器区域包括在所述转移晶体管栅极的一部分下延伸的延伸区域。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：顾克强，刘家颖，戴幸志，V·韦内齐亚，钱胤，D·毛，
申请(专利权)人：美商豪威科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：US
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