具有深光反射沟槽的背照式图像传感器制造技术

本发明专利技术提供一种像素阵列，其是使用基板形成的，该基板具有前侧及用于接收入射光的背侧。各个像素通常包含金属化层、感光区域及沟槽，这种金属化层被包含在该基板的前侧中，该感光区域是形成于该基板的后侧中，该沟槽围绕该基板的后侧中的感光区域而形成。该沟槽造成入射光被导引远离该沟槽并朝向该感光区域。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术一般涉及成像电路，尤其涉及但不限于图像传感器。
技术介绍
集成电路已被研发以减小用于实施电路系统的元件的尺寸。举例来说，集成电路 利用越来越小的设计特征，其能减少用于实施该电路系统的面积，使得现在多种设计特征 正好在可见光的波长以下。随着图像传感器及作为感测阵列的一部分的单独的像素的尺寸 不断缩小，重要的是更有效地捕获照射该感测阵列的入射光。因此，更有效地捕获入射光有 助于维持或改善由尺寸不断缩小的感测阵列所捕获的电子图像的品质。
技术实现思路
本文描述一种图像感测深光反射沟槽的实施例。在如下描述中提到多个具体细节 以提供这种实施例的一透彻的理解。然而，本领域技术人员将了解此处描述的技术可被实 践而不具有一个或更多个这种具体细节，或具有其他方法、元件、材料等。在其他情况下，熟 知的结构、材料或操作未被详细显示或描述以避免混淆某些方面。贯穿此说明书，对「一个实施例」或「一实施例」的引用意为一种结合该实施例而 描述的特定特征、结构、或特性被包含于本专利技术的至少一个实施例中。因此，在此说明的多 个地方，用语「在一个实施例中」或「在一实施例中」的出现不必都涉及该相同的实施例。此 本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：V韦内齐亚，戴幸志，D毛，真锅宗平，HE罗兹，钱卫东，
申请(专利权)人：美商豪威科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：US