【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体器件，特别是应用于X射线检测仪的具有存储电容结构的非晶硅图像传感器。
技术介绍
图像传感器主要用于采集光线信号，并将其转化为电信号，通过集成电路读出上述电信号，从而获得所采集的图像。如申请号为2003801060M.6的中国专利，公开了一种X射线探测器，其包括薄膜晶体管阵列面板(非晶硅图像传感器)、χ射线发生器、读取电路、栅极驱动器，该薄膜晶体管阵列面板包括有多个像素单元，用于探测X射线发生器产生的X射线，每个像素单元均包括光敏二极管(PD)、薄膜晶体管(TFT)，该薄膜晶体管用于转换从光敏二极管输出的电信号。 读取电路用于采集来自像素单元的电信号，而栅极驱动器随后导通沿行方向排列的薄膜晶体管，从而使读取电路能随后读出来自行方向排列的像素单元的电信号。通过读取电路和栅极驱动电路，能够提取各像素单元上的电信号，并被再次转换为图像信号供显示装置显示或记录。随着半导体制造工艺的不断进步和对图像分辨率要求的不断提高，非晶硅图像传感器的像素单元的尺寸日趋减小，然而减小像素单元的尺寸将不可避免的减少光敏二极管的有效面积，进而降低光敏二极管上的电容，电...
【技术保护点】
１．一种具有存储电容结构的非晶硅图像传感器，它包括设置在所述的图像传感器的有源区内的多个像素单元，其特征在于：各所述的像素单元均包括：栅极布线，形成于玻璃基板上，所述的栅极布线包括栅极线和与所述的栅极线相连接的栅极电极；第一绝缘层，形成于所述的栅极布线上；有源层，形成于所述的第一绝缘层上；数据布线，形成于所述的第一绝缘层上，所述的数据布线包括数据线、连接到所述的数据线并至少部分设置在所述的有源层上的漏电极、至少部分设置在所述的有源层上并与所述的漏电极间隔开的源电极，所述的栅极电极、第一绝缘层、有源层、源电极、漏电极构成薄膜晶体管；第二绝缘层，形成于所述的数据布线、有源层、源...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：刘建强，王恒和，
申请(专利权)人：江苏康众数字医疗设备有限公司，
类型：发明
国别省市：32
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