一种使用增强散热基板的高功率LED封装制造技术

一种使用增强散热基板的高功率LED封装，包括高功率LED，高功率LED的上、下侧分别设置有一层绝缘型导热胶，其中下层的绝缘型导热胶的下方设置一半导体热泵。半导体热泵由“吸热铜基片-P型半导体-散热铜基片-N型半导体-吸热铜基片”串联而成，其中两吸热铜基片与绝缘型导热胶贴合，P型半导体和N型半导体分别设置于两吸热铜基片下侧，散热铜基片设置于P型半导体和N型半导体的下侧。本实用新型专利技术在高功率LED工作时，半导体热泵的工作电路也同时导通，高功率LED所散发的热量被半导体热泵迅速传至基板外表面后排出，因而散热效果好；在同等散热的情况下，本实用新型专利技术的体积比传统的LED封装要小，因而便于放置，更加实用。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及高功率LED封装的散热
，具体来说是涉及一种使用增强散热基板的高功率LED封装。
技术介绍
传统的高功率LED (发光二极管)散热主要使用散热基板和热沉结构进行被动式的散热，通常散热基板的材料选用铝铜等金属，为了达到更好的散热效果则会造成散热机构体积较大，不适合运用于某些特定的空间较小的使用场合。
技术实现思路
针对上述情况，本技术提供一种使用增强散热基板的高功率LED封装，通过在散热基板底部设置半导体热泵，使散热基板在体积较小的情况下能够迅速吸收LED工作时散发的热量，使已达到较高温度的LED快速降温，从而降低对使用场合放置空间的大小的要求。为了实现上述目的，本技术的技术方案如下一种使用增强散热基板的高功率LED封装，包括芯片状高功率LED ；其特征在于， 所述高功率LED的上、下侧分别设置有一层绝缘型导热胶；所述高功率LED下侧的绝缘型导热胶的下方设置一半导体热泵。所述半导体热泵包括两吸热铜基片，所述两吸热铜基片并列排布，此两吸热铜基片的上侧面与高功率LED下侧的绝缘型导热胶的下侧面贴合，其中一吸热铜基片的下方设置一 ρ型半导体，另一吸热铜基片的下方设置一 N型半导体，所述P型半导体和N型半导体等高，在P型半导体和N型半导体的下方设置一散热铜基片；使半导体热泵形成“吸热铜基片-ρ型半导体-散热铜基片-N型半导体-吸热铜基片”的串联电路；其中，下方设置P型半导体的吸热铜基片的上侧面向外的端部设置有一正极焊点，下方设置N型半导体的吸热铜基片的上侧面向外的端部设置有一负极焊点。所述高功率LED的正极连接一正极焊线的一端，所述正极焊线的另一端连接前述正极焊点；所述LED的负极连接一负极焊线的一端，所述负极焊线的另一端连接前述负极 ytp 点 O本技术的有益效果是，在高功率LED工作时，半导体热泵的工作电路也同时导通，高功率LED所散发的热量被半导体热泵迅速传至基板外表面后排出，因而散热效果好；在同等散热的情况下，本技术的体积比传统的LED封装要小，因而便于放置，更加实用。附图说明图1为本技术一种使用增强散热基板的高功率LED封装的结构示意图。图2为本技术一种使用增强散热基板的高功率LED封装的电路原理示意图。具体实施方式为了使本技术实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体图示，进一步阐述本技术。参见图1、图2，一种使用增强散热基板的高功率LED封装，包括芯片状高功率LED (图中标号为1)，所述高功率LED的上、下侧分别设置有一层绝缘型导热胶2 ；所述高功率 LED下侧的绝缘型导热胶2的下方设置有一组半导体热泵3。所述一组半导体热泵3包括吸热铜基片3a和吸热铜基片3b，吸热铜基片3a和吸热铜基片: 并列排布，两吸热铜基片的上侧面与高功率LED下侧的绝缘型导热胶2的下侧面贴合，其中吸热铜基片3a的下方设置一 P型半导体3c，吸热铜基片北的下方设置一 N型半导体3d，所述P型半导体3c和N型半导体3d等高，在P型半导体3c和N型半导体3d的下方设置一散热铜基片3e;使半导体热泵形成“吸热铜基片3a -P型半导体3c -散热铜基片;3e -N型半导体3d -吸热铜基片北”的串联电路；其中，吸热铜基片3a的上侧面向外的端部设置有一正极焊点4，吸热铜基片北的上侧面向外的端部设置有一负极焊点5。所述高功率LED的正极连接一正极焊线6的一端，所述正极焊线6的另一端连接前述正极焊点4 ；所述LED的负极连接一负极焊线7的一端，所述负极焊线7的另一端连接前述负极焊点5。本技术使用时，由正极焊点4连接相关电路的正极，由负极焊点5连接相关电路的负极，使电路导通。则电流依次经过正极焊点4、正极焊线6、高功率LED、负极焊线7、 负极焊点5，高功率LED处于工作状态，散发出热量。同时，电流由正极焊点4也依次通过半导体热泵3的吸热铜基片3a、P型半导体3c、散热铜基片;3e、N型半导体3d、吸热铜基片北至负极焊点6，所述半导体热泵3也处于工作状态，与高功率LED下侧的绝缘型导热胶2的下侧面贴合的吸热铜基片3a和吸热铜基片: 通过绝缘型导热胶2迅速将高功率LED散发出的大部分热量吸收，然后经P型半导体3c和N型半导体3d传至散热铜基片:3e，热量由散热铜基片:3e迅速排出，因而散热效果好。而在同等散热的情况下，本技术的体积比传统的高功率LED封装要小很多，因而便于放置，更加实用。以上显示和描述了本技术的基本原理、主要特征和本技术的优点。本行业的技术人员应该了解，本技术不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本技术的原理，在不脱离本技术精神和范围的前提下本技术还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本技术范围内。本技术要求保护范围由所附的权利要求书及其等同物界定。权利要求1.一种使用增强散热基板的高功率LED封装，包括芯片状高功率LED ；其特征在于，所述高功率LED的上、下侧分别设置有一层绝缘型导热胶；所述高功率LED下侧的绝缘型导热胶的下方设置一半导体热泵。2.根据权利要求1所述的一种使用增强散热基板的高功率LED封装，其特征在于，所述半导体热泵包括两吸热铜基片，所述两吸热铜基片并列排布，此两吸热铜基片的上侧面与高功率LED下侧的绝缘型导热胶的下侧面贴合，其中一吸热铜基片的下方设置一 P型半导体，另一吸热铜基片的下方设置一 N型半导体，所述P型半导体和N型半导体等高，在P型半导体和N型半导体的下方设置一散热铜基片；使半导体热泵形成“吸热铜基片-P型半导体-散热铜基片-N型半导体-吸热铜基片”的串联电路；其中，下方设置P型半导体的吸热铜基片的上侧面向外的端部设置有一正极焊点，下方设置N型半导体的吸热铜基片的上侧面向外的端部设置有一负极焊点。3.根据权利要求2所述的一种使用增强散热基板的高功率LED封装，其特征在于，所述高功率LED的正极连接一正极焊线的一端，所述正极焊线的另一端连接前述正极焊点；所述LED的负极连接一负极焊线的一端，所述负极焊线的另一端连接前述负极焊点。专利摘要一种使用增强散热基板的高功率LED封装，包括高功率LED，高功率LED的上、下侧分别设置有一层绝缘型导热胶，其中下层的绝缘型导热胶的下方设置一半导体热泵。半导体热泵由“吸热铜基片-P型半导体-散热铜基片-N型半导体-吸热铜基片”串联而成，其中两吸热铜基片与绝缘型导热胶贴合，P型半导体和N型半导体分别设置于两吸热铜基片下侧，散热铜基片设置于P型半导体和N型半导体的下侧。本技术在高功率LED工作时，半导体热泵的工作电路也同时导通，高功率LED所散发的热量被半导体热泵迅速传至基板外表面后排出，因而散热效果好；在同等散热的情况下，本技术的体积比传统的LED封装要小，因而便于放置，更加实用。文档编号H01L33/64GK201936919SQ20112000840公开日2011年8月17日 申请日期2011年1月13日 优先权日2011年1月13日专利技术者姚冀海 申请人:上海揽鑫节能科技有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种使用增强散热基板的高功率ＬＥＤ封装，包括芯片状高功率ＬＥＤ；其特征在于，所述高功率ＬＥＤ的上、下侧分别设置有一层绝缘型导热胶；所述高功率ＬＥＤ下侧的绝缘型导热胶的下方设置一半导体热泵。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：姚冀海，
申请(专利权)人：上海揽鑫节能科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：31