【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造设备中的气路正压系统,特别涉及一种用于化学机械抛光 (Chemical Mechanical Polishing, CMP)抛光头的气路正压系统。
技术介绍
当前,CMP是半导体制造工艺中晶圆全局平坦化最有效的技术。在CMP抛铜领域 中,抛光头夹持硅片将待抛铜层表面压向旋转的抛光盘,通过抛光盘上的抛光垫摩擦以及 抛光液腐蚀实现有效快速的铜层移除。其中,抛光头可以通过控制硅片背面各环形区腔室 压力实现对硅片抛光压力的全局动态调节。抛光头内部腔室等效于多个密闭腔室,可膨胀与收缩,腔室之间可互相挤压或者 无挤压。当CMP抛光时,各腔室之间相互耦合,腔室之间的耦合主要有两种情况一种是体 积耦合,即各腔室之间的挤压或收缩引发腔室容积的变化;另一种是气源输入耦合,各腔室 同时加压时引发气源瞬间供气压力波动。对于体积耦合的情况通常解决的办法是改变结构 设计或软件补偿等办法;而气源输入耦合却可以通过改变气路控制结构设计实现。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种用于化学机械抛光头的气路正压通路系统。其特征在于所述系统的每条正压通路由作为压力源的共用气源、正压减压阀、气 囊、电控比例阀、开关阀和过滤器依次串联而成,所述正压减压阀的输入端与所述压力源的 输出端相连,所述过滤器的输出端与抛光头内腔室的输入端相连,其中,所述电控比例阀设 有一个压差信号输入端,所述压差是指所述内部腔室的压力设定值与压力实测值之间的差 值,压差大于零,表示向所述内部腔室加压,小于零,表示向所述腔室减压,等于零,表示所 述腔室处于稳压状态,所述开关阀,设有一个通断信号输入端 ...
【技术保护点】
1.一种用于化学机械抛光头的气路正压通路系统,其特征在于所述系统的每条正压通路由作为压力源的共用气源、正压减压阀、气囊、电控比例阀、开关阀和过滤器依次串联而成,所述正压减压阀的输入端与所述压力源的输出端相连,所述过滤器的输出端与抛光头内腔室的输入端相连,其中,所述电控比例阀设有一个压差信号输入端,所述压差是指所述内部腔室的压力设定值与压力实测值之间的差值,压差大于零,表示向所述内部腔室加压,小于零,表示向所述腔室减压,等于零,表示所述腔室处于稳压状态,所述开关阀,设有一个通断信号输入端,接通表示正压系统工作。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:张辉,门延武,王同庆,路新春,叶佩青,
申请(专利权)人:清华大学,
类型:发明
国别省市:11
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