一种采用羰基钨为前驱体制备用于聚变堆中面向等离子体钨涂层的方法技术

本发明专利技术提供了一种采用羰基钨为前驱体利用等离子增强的金属有机化学气相沉积的方法制备用于聚变堆中面向等离子体钨涂层的方法，沉积反应时，反应器夹壁始终通冷却水冷却且压力恒定在150-250Pa，基座温度控制在200-600℃。通入纯度为99.9％的羰基钨饱和蒸气，气流量控制在1.0-3.0ml/s，温度范围为70-140℃。沉积时间为5-12h，然后恒定保温3-6h进行热扩散退火。本发明专利技术方法可制备出与基体结合强度高的钨涂层，涂层厚度小于5mm且该涂层具有孔隙率低、纯度高、表面光滑等特点。该方法工艺相对简单、可靠性高并可制备出大面积的钨涂层，广泛应用到聚变堆实验装置及将来的聚变反应堆的第一壁上。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种核聚变装置的第一壁部件，具体涉及一种采用羰基钨为前驱体制 备用于聚变堆中面向等离子体钨涂层的方法。
技术介绍
如今国际热核实验堆 ITERdnternational Thermonuclear Experimental Reactor)已经在法国建造，研究适合ITER及今后商用聚变堆面向等离子体材料是目前急 需要解决的难题，是直接关系到今后聚变堆商业发电是否能够实现。经过大量的研究证明，目前公认并可选择的面向等离子体材料主要有高Z(原子 序数)的钨、钼及其合金材料和低ζ的C/C复合材料，B4C材料、SiC材料和Be材料等。C/ C复合材料是一种已长期使用的低Z面向等离子体材料，它具有极好的抗热冲击能力并与 等离子体有良好的相容性。但它在400 800°C之间有较高的化学溅射，这不仅侵蚀了碳 材料本身而且会将大量碳原子引入等离子体中使得等离子体品质下降。B4C材料具有良好 的耐热性、抗热冲击性、导热性和热膨胀性而且它的耐氢冲刷性能也相对较好，并且它的化 学物理溅射产额及辐照升华均低于C/C复合材料，但B4C材料具有吸收热中子的性质，在将 来有中子产生的聚变堆中其使用本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种采用羰基钨为前驱体制备用于聚变堆中面向等离子体钨涂层的方法，其特征在于：在铜合金表面或低活化钢表面使用羰基钨为前驱体，利用等离子增强的金属有机化学气相沉积方法制备钨涂层，其中铜合金和低活化钢为热沉材料，钨涂层为面向等离子体材料。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘维良，张小锋，
申请(专利权)人：景德镇陶瓷学院，
类型：发明
国别省市：36