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本发明提供了一种采用羰基钨为前驱体利用等离子增强的金属有机化学气相沉积的方法制备用于聚变堆中面向等离子体钨涂层的方法，沉积反应时，反应器夹壁始终通冷却水冷却且压力恒定在150-250Pa，基座温度控制在200-600℃。通入纯度为99.9％...
该专利属于景德镇陶瓷学院所有，仅供学习研究参考，未经过景德镇陶瓷学院授权不得商用。

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