【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及用于电阻值基于电信号可逆地变化的电阻变化型非易失性存储元件 稳定地进行电阻变化的写入方法、以及具有这样的功能的电阻变化型非易失性存储装置， 特别涉及将电阻变化型非易失性存储元件高电阻化时的写入方法及装置。
技术介绍
近年来，具有使用电阻变化型非易失性存储元件(以下，单称作“电阻变化元件”) 构成的存储器单元的电阻变化型非易失性存储装置(以下，单称作“非易失性存储装置”) 的研究开发不断进展。所谓电阻变化元件，是具有电阻值根据电信号而可逆地变化的性质、 而且能够将对应于该电阻值的数据非易失地存储的元件。作为使用电阻变化元件的非易失性存储装置，一般已知有在正交配置的位线与字 线的交点附近的位置处、将串联连接了 MOS晶体管与电阻变化元件的、称作所谓的ITlR型 的存储器单元以矩阵状阵列配置的非易失性存储装置。在ITlR型中，将2端子的电阻变化 元件的一端连接在位线或源极线上，将另一端连接在晶体管的漏极或源极上。将晶体管的 门极连接在字线上。将源极线与位线或字线平行地配置。此外，作为另一种存储器单元结构，还一般已知有在正交配置的位线与字线的交 点的位置处...
【技术保护点】
一种电阻变化型非易失性存储元件的写入方法，是对根据被施加的电压脉冲的极性而可逆地转变高电阻状态和低电阻状态的电阻变化型非易失性存储元件的写入方法，其特征在于， 上述电阻变化型非易失性存储元件具有以下的特性：在被施加具有第１电压值以上的绝对值的电压的情况下从低电阻状态转变为高电阻状态，在被施加绝对值比上述第１电压大的第２电压的情况下成为具有最大的电阻值的高电阻状态，在被施加绝对值比上述第２电压大的第３电压的情况下成为具有比上述最大的电阻值低的电阻值的高电阻状态； 上述第１电压、上述第２电压及上述第３电压都是第１极性的电压； 上述写入方法包括： 高电阻化步骤，通过对上述...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：河合贤，岛川一彦，村冈俊作，东亮太郎，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。