【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种使电阻值根据电信号可逆地变化的电阻变化型非易失性存储元 件稳定地进行电阻变化所用的成形(初始化)方法及具有那种功能的电阻变化型非易失性存储装置。
技术介绍
近年来，正在进行具有使用电阻变化型非易失性存储元件(下面也只称为“电阻 变化元件”。)所构成的存储器单元的电阻变化型非易失性存储装置(下面也只称为“非易 失性存储装置”。)的研究开发。所谓的电阻变化元件是指，具有电阻值根据电信号可逆地 变化的性质，进而能够以非易失的方式存储与该电阻值对应的数据之元件。作为使用了电阻变化元件的非易失性存储装置，将被称为所谓ITlR型的存储器 单元按矩阵状进行阵列配置后的非易失性存储装置一般已为众所周知，该存储器单元在其 配置为正交的位线和字线之间的交点旁边的位置上，串联连接了 MOS晶体管和电阻变化元 件。在ITlR型中，2个端子的电阻变化元件一端连接于位线或者源极线上，另一端连接于晶 体管的漏极或者源极上。晶体管的栅极连接于字线上。源极线和位线或者字线平行进行配 置。另外，作为别的存储器单元结构，将被称为所谓IDlR型的交叉点存储器单元按矩 阵状进行阵列配置...
【技术保护点】
一种电阻变化型非易失性存储元件的成形方法，对电阻变化型非易失性存储元件，实施使其从制造后的第１状态变化为第２状态的作为初始化的成形，该第２状态能够根据施加的电压脉冲极性可逆地转变高电阻状态和低电阻状态，其特征为， 上述电阻变化型非易失性存储元件在上述第１状态下，具有比上述高电阻状态时大的电阻值， 上述方法包含： 判断步骤，判断上述电阻变化型非易失性存储元件的电阻值是否比上述高电阻状态下的电阻值小；以及 施加步骤，在上述判断步骤中判断出上述电阻变化型非易失性存储元件的电阻值不比上述高电阻状态下的电阻值小的情况下，将在成形开始电压中加上预先规定的电压而得到的电压设为绝对...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：河合贤，岛川一彦，村冈俊作，东亮太郎，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[]
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