存储装置及信息再记录方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种能够减少需要控制的电压的数目并能够减小外围电路尺寸的存储装置。从第一电源（２１）通过位线ＢＬＲ向可变电阻元件（１０）的电极（１１）供给第一脉冲电压（ＶＢＬＲ）。从第二电源（２２）通过字线ＷＬ向晶体管（２０）的控制端子（２０ｃ）供给用于选择单元的第二脉冲电压（ＶＷＬ）。从第三电源（２３）通过位线ＢＬＴ向晶体管（２０）的第二输入／输出端子（２０ｂ）供给第三脉冲电压（ＶＢＬＴ）。在重写信息时，通过调整电路（２４）来调整第三电源（２３）的电压值（ＶＢＬＴ）。从而，改变（增大或降低）了单元电压和单元电流。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种包括具有存储元件和开关元件的存储单元的存储装置，具体地， 涉及一种具有用于通过检验控制再记录的驱动源的存储装置和一种信息再记录方法。
技术介绍
在诸如计算机的信息设备中，能够高速运行的高密度DRAM(动态随机存取存储 器)已经被广泛地使用。然而，在DRAM中，由于其制造工艺比用于电子设备的普通逻辑电 路、普通信号处理电路等更复杂，所以存在制造成本高的问题。此外，由于DRAM是易失性存 储器(其中，如果断开电源，那么信息不被保留)，所以需要频繁地执行刷新操作。因此，作为在其中即使断开电源信息也被保留的非易失性存储器，例如，已经提出 了 FeRAM(铁电体随机存取存储器)、MRAM(磁阻随机存取存储器)等。在这些存储器中，即 使不提供电源，也能够长时间保留写入的信息。此外，在这些存储器中，不需要执行刷新操 作，所以能够相应地减少功耗。然而，在FeRAM中存在不易小型化的问题，而在MRAM中存在 写入电流大的问题(例如，非专利文献1)。因此，作为适于加快数据写入速度的存储器，例如，已经提出了在图9和图10中所 示的新型存储装置。图9示出了存储装置的存储单元100。该存储本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种存储装置，包括：存储元件，其具有一对电极并通过将电压施加至所述电极来将信息记录在其中；开关元件，其具有第一输入／输出端子、第二输入／输出端子和控制端子，其中，所述第一输入／输出端子连接至所述存储元件的一个电极；第一电源，将第一电压提供给所述存储元件的另一个电极；第二电源，将第二选用电压提供给所述开关元件的所述控制端子；以及调整装置，其包括将第三电压提供给所述开关元件的所述第二输入／输出端子的第三电源，并于在所述存储元件上记录信息过程中改变所述第三电压的电压值。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2007-12-12 2007-320578一种存储装置，包括存储元件，其具有一对电极并通过将电压施加至所述电极来将信息记录在其中；开关元件，其具有第一输入/输出端子、第二输入/输出端子和控制端子，其中，所述第一输入/输出端子连接至所述存储元件的一个电极；第一电源，将第一电压提供给所述存储元件的另一个电极；第二电源，将第二选用电压提供给所述开关元件的所述控制端子；以及调整装置，其包括将第三电压提供给所述开关元件的所述第二输入/输出端子的第三电源，并于在所述存储元件上记录信息过程中改变所述第三电压的电压值。2.根据权利要求1所述的存储装置，其中，所述存储元件是非易失性可变电阻元件，其 中，通过在所述电极之间施加具有不同极性的脉冲电压来可逆地改变其阻值。3.根据权利要求2所述的存储装置，其中，所述开关元件是MOS晶体管，并且所述调整装置于在所述可变电阻元件上记录所述信息的过程中在所述MOS晶体管的所述第二输入/输出端子用作源极端子的范围内降低或增加第三电压的电压值。4.根据权利要求3所述的存储装置，其中，所述调整装置每次在根据检查在所述存储 元件上是否正确地执行了信息记录的检验操作的结果来执行再记录时改变所述第三电压 的所述电压值。5.根据权利要求4所述的存储装置，其中，所述第一电压的电压值和所述第二电压的 电压值是不变的。6.根据权利要求2所述的存储装置，其中，所述存储...

【专利技术属性】
技术研发人员：椎本恒则，对马朋人，保田周一郎，
申请(专利权)人：索尼公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]